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硅元件与积体电路制程(修订版) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2024

图书介绍

硅元件与积体电路制程(修订版)
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出版者 出版社：全华图书 订阅出版社新书快讯 新功能介绍
翻译者
出版日期 出版日期：2004/02/29
语言 语言：繁体中文

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发表于2024-04-28

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图书描述

　　此书为探讨「硅元件与积体电路制程」之教科书。

　　本书第1.2章探讨硅半导体材料之特性。从硅导体之物理概念开始，一直到半导体结构、能带做完整的解说。

　　第3.4章则说明积体电路的原理、结构及制程。

　　第5.6章则着重于硅晶圆的配制。

　　全书通用于大专院校电子、电机科系「积体电路制程」或「半导体物理与元件」课程做为教材。

著者信息

硅元件与积体电路制程(修订版) pdf epub mobi txt 电子书 下载

图书目录

　　第0章　半导体与积体电路之发展史 0-1

  • 0-1　半导体之缘起 (Semiconductor History) 0-2
  • 0-2　电晶体 (Transistor) 0-2
  • 0-3　积体电路(Integrated Circuit) 0-4
  • 0-4　半导体制程(Semiconductor Processes) 0-14

    　　第1章　半导体物理与材料(一) 1-1

  • 1-1 原子模型与週期表(Atomic Model andPeriodic Table) 1-2
  • 1-2　晶体结构(Crystal Structure) 1-4
  • 1-3　物质种类(Types of Material) 1-7
  • 1-4 本质硅，质量作用定律 (Intrinsic Silicon,Mass-action Law) 1-9
  • 1-5 掺杂质，负型和正型　(Dopant, n-type and ty.
  • 习题 1-11

    　　第2章　半导体物理与材料(二) 2-1

  • 2-1　能带(Energy Band) 2-2
  • 2-2 电阻系数与薄片电阻 (Resistivity and SheetResistance 2-5
  • 2-3　载子传输(Carrier Transport) 2-9
  • 习题 2-11

    　　第3章　积体电路(I):半导体元件 3-1

  • 3-1　二极体 (Diode) 3-2
  • 3-2　双载子电晶体 (Bipolar Transistor) 3-5
  • 3-3　金氧半场效电晶体 3-9
  • 3-4 互补金氧半场效电晶体(CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 3-12
  • 3-5　电阻 (Resistor) 3-13
  • 3-6 电容 (Capacitor) 3-15
  • 3-7 电感 (Inductor) 3-16
  • 习题 3-17

    　　第4章　积体电路(II)：制程、电路与佈局 4-1

  • 4-1 双载子制程技术(Bipolar FabricationTechnology) 4-2
  • 4-2 MOS制程技术 (MOS FabricationTechnology) 4-2
  • 4-3 电路与积体电路 (Circuit and IntegratedCircuit) 4-6
  • 4-4 设计原则 (Design Rules) 4-9
  • 4-5 佈局原则 (Layout) 4-11
  • 习题 4-14

    　　第5章　硅晶圆之制作(一) 5-1

  • 5-1　原料配制(Starting Materials) 5-2
  • 5-2　晶体生长时掺杂质之分佈(DopantsDistribution in Crystal Growth) 5-5
  • 5-3　晶体缺陷（Crystal Defects） 5-6
  • 习题 5-10

    　　第6章　硅晶圆之制作(二) 6-1

  • 6-1　晶体方向（Crystal Orientation） 6-2
  • 6-2　硅晶棒生长 (Silicon Ingot Growth) 6-4
  • 6-3　晶片方向，切割，和抛光(Orientation，Sawing，and Polishing) 6-6
  • 6-4 十二吋晶圆效益分析 6-8
  • 习题 6-10

    　　第7章　硅磊晶的成长(一) 7-1

  • 7-1　磊晶膜（Epitaxial Layout） 7-2
  • 7-2　磊晶原理（Epitaxy Theory） 7-5
  • 7-3　磊晶膜之生长程序Growth of Epitaxial Layer 7-11
  • 习题 7-13

    　　第8章　硅磊晶的成长(二) 8-1

  • 8-1　磊晶系统（Epitaxy System） 8-2
  • 8-2 磊晶膜之评估Evaluation of Epitaxial Layers） 8-5
  • 习题 8-8

    　　第9章　氧化制程(一) 9-1

  • 9-1　二氧化硅与氧化（Silicon Dioxide and Oxidation） 9-2
  • 9-2　热氧化炉（Thermal Oxidation Furnance） 9-3
  • 9-3　氧化程序（The Oxidation Process） 5-4
  • 9-4 氧化膜之评估 （Oxide Evaluation） 9-7
  • 9-5 氧化膜品质改进方法（Improvement of Oxide Quality） 9-9
  • 习题 9-10

    　　第10章　氧化制程(二) 10-1

  • 10-1　氧化膜厚度之决定（Oxide Thickness Determination） 10-2
  • 10-2　氧化反应（Oxidation Reaction） 10-5
  • 10-3　薄氧化层（Thin Oxide） 10-7
  • 10-4 热氧化时掺杂原子之重行分佈（Redistribution of Dopant Atoms DuringThermal Oxidation） 10-8
  • 习题 10-9

    　　第11章　掺杂质之扩散植入(一) 11-1

  • 11-1　扩散概念 (The Idea of Diffusion) 11-2
  • 11-2　扩散过程 (The Diffusion Process) 11-3
  • 11-3　扩散之分佈曲线 (Distribution of Diffusion) 11-6
  • 习题 11-19

    　　第12章　掺杂质之离子植入(二) 12-1

  • 12-1　离子植入 (Ion Implantation) 12-2
  • 12-2　褪火 (annealing) 12-5
  • 12-3　离子佈植在CMOS积体电路制程上的应用(Ion Implantation in CMOS ICFabrication) 12-8
  • 12-3-1 调整电晶体起始临界电压 (TransistorThreshold Voltage Adjustment) 12-8
  • 12-3-2 形成N及P型井区(N and P Wells Formation) 12
  • 12-3-3 电晶体的隔离 (Isolation) 12-10
  • 12-3-4 形成电晶体的源极与汲极(Source and Drain Formation) 12-11
  • 12-3-5 形成低掺杂浓度的汲极(Lightly-Doped Drain Formation) 12-12
  • 12-3-6 掺杂复晶硅 (Poly-silicon Doping) 12-12
  • 12-4 离子佈植制程实务(Problems in Ion Implantation) 12-13
  • 12-4-1 晶圆冷却 (Wafer Cooling) 12-13
  • 12-4-2 光阻问题(Resist Problems) 12-13
  • 12-4-3 电荷中和 (Charge Neutralization) 12-14
  • 12-3-4 微尘与污染 (Dust and Contamination) 12-14
  • 习题 12-16

    　　第13章　微影蚀刻术(一) 13-1

  • 13-1　微影蚀刻技术(Lithography) 13-2
  • 13-2　光罩之制作(Fabrication of Mask) 13-2
  • 13-3　光微影术(photolithography) 13-5
  • 13-4 微影术之光源(Photolithographic sources) 13-11
  • 13-4-1 X光微影(X-ray Lithography) 13-12
  • 13-4-2 电子束微影(Electron Beam Lithography) 13-15
  • 习题 13-18

    　　第14章　微影蚀刻术(二) 14-1

  • 14-1　湿、干蚀刻(Wet and Dry Etching) 14-2
  • 14-2　湿蚀刻(Wet Etching) 14-2
  • 14-3　干蚀刻(Dry Etching) 14-3
  • 14-3-1 电浆反应器中基板被覆区之生成机制(mechanism of sheath formation onsubstrate in plasma reactor)
  • 14-3-2 底切与非均向性蚀刻(undercut and anisotropic etching) 14-5
  • 14-4 干蚀刻反应器 (Dry Etching Reactors) 14-6
  • 14-4-1 电容耦合式电浆反应器 (CapacitanceCoupled Plasma Reactor) 14-7
  • 14-4-2电感耦合式电浆反应器 (InductanceCoupled Plasma Reactor-ICP) 14-8
  • 习题 14-10

    　　第15章　化学气相沉积 15-1

  • 15-1　化学气相沈积概念 (Introduction of CVD) 15-2
  • 15-2　化学气相沈积流程(CVD Procedures) 15-5
  • 15-3　低压化学气相沉积(LPCVD-Low Pressure CVD) 15-10
  • 15-4 电浆化学气相沉积(PCVD-Plasma CVD) 15-10
  • 15-5 光照射化学气相沉积 (Photo CVD) 15-11
  • 15-6 液相沉积法 (Liquid Phase Deposition) 15-11
  • 习题 15-12 ty.

    　　第16章　金属接触与蒸着 16-1

  • 16-1 金属化之要求 (MetallizationRequirements) 16-2
  • 16-2　真空蒸着(Vacuum Deposition) 16-8
  • 16-3 蒸着技术(Deposition Techniques) 16-3
  • 16-4　真空蒸着程序 (Vacuum DepositionProcedure) 16-12
  • 16-5 合金/退火(Alloy/Anneal) 16-14
  • 16-6 铜制程技术(Copper Processes) 16-15
  • 习题 16-18

    　　第17章　制程洁净控制与安全(一) 17-1

  • 17-1 洁净程序与药品　(Cleaning Procedures and Chemical
  • 17-2　水 (Water) 17-4
  • 17-3 空气/无尘室 (Air/Clean Room) 17-5
  • 17-4 人员 (Personnel) 17-8
  • 17-5 化学药品 (Chemicals) 17-9
  • 17-6　气体 (Gases) 17-11
  • 习题 17-12

    　　第18章　制程洁净控制与安全(二) 18-1

  • 18-1　高压气瓶 (High Pressure Cyclinder) 18-2
  • 18-1-1 高压气瓶之使用 18-3
  • 18-2　压力调节器 (Regulator) 18-4
  • 18-3 吹净 (Blow Up) 18-5
  • 18-4 洩漏侦测 (Leak Check) 18-5
  • 18-5 设备上应注意事项 (Equipment Check) 18-5
  • 18-6 废气之排放 (Exhaust) 18-6
  • 18-6-1 气体排放 18-6
  • 18-6-2 排放气体的除害 18-7
  • 18-7　紧急时应注意事项 (Emergency) 18-10
  • 18-7-1 洩漏气体时的紧急处置 18-10
  • 18-7-2 发生火警时的紧急处置 18-10
  • 18-7-3 中毒时的紧急处置 18-11
  • 18-7-4 预 防 18-11
  • 习题 18-12

    　　第19章　半导体元件之缩小化 19-1

  • 19-1 金氧半电晶体之缩小化 (Scaling of MOSTransistor) 19-2
  • 19-2　短通道效应 (short-channel effects) 19-4
  • 19-2-1　速度饱和效应(velocity saturation) 19-4
  • 19-2-2 通道长度调变效应 (channel-lengthmodulation) 19-6
  • 19-2-3 次临界电流效应 (subthreshold current) 19-7
  • 19-2-4 击穿效应 (punchthrough) 19-8
  • 19-2-5 CMOS闩启 (latch-up) 19-9
  • 习题 19-11

    　　第20章　积体电路封装 20-1

  • 20-1　积体电路封装 (IC Package) 20-2
  • 20-1-1 积体电路中半导体元件失效的主因(IC Failure Analysis) 20-2
  • 20-1-2 封装的目的 (Target of Packaging) 20-2
  • 20-1-3 积体电路封装材料的要求 (MaterialReguirement) 20-3
  • 20-2　封装分类 (Classification) 20-3
  • 20-3　封装流程 (Packaging Flow Chart) 20-5
  • 20-3-1 背面研磨 (Back-Side Grinding) 20-5
  • 20-3-2 晶粒拣选 (Chip Sorting) 20-5
  • 20-3-3 晶圆切割 ( Sawing) 20-6
  • 20-3-4 銲晶 (Die Attaching) 20-8
  • 20-3-5 銲线 (Wire Bonding) 20-8
  • 20-3-6 封胶 (Molding) 20-12
  • 20-3-7 电镀 (Solder Plating) 20-12
  • 20-3-8 弯脚成形 (Forming) 20-13
  • 20-3-9 最后测试 (Final Testing) 20-14
  • 20-3-10 打包 (Packing) 20-14

    • 图书序言

    图书试读

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