半導體元件物理學第四版(下冊)

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施敏
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具体描述

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍

  《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。

  Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。

  全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章)

  ▍第四版特色
  1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。

  2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。

  3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。

  4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。
 
《热力学与统计物理学原理》 内容简介 本书深入浅出地阐述了热力学和统计物理学的基本概念、原理及其在现代科学技术中的广泛应用。全书结构严谨,逻辑清晰,旨在为读者建立坚实的理论基础,培养分析和解决复杂物理问题的能力。 本书首先从热力学的基本概念入手,详细介绍了宏观系统状态的描述、功与热的定义以及热力学第一定律。在此基础上,系统地阐述了热力学第二定律,包括熵的概念、热力学第三定律以及可逆过程与不可逆过程的分析。重点讨论了各种热力学势(如内能、焓、亥姆霍兹自由能、吉布斯自由能)及其在平衡态条件下的判据,并结合相变理论,对单组分和多组分系统的相图进行了深入剖析。 在统计物理部分,本书构建了微观世界与宏观性质之间的桥梁。首先介绍了统计力学的基本假设,包括等概率假设和玻尔兹曼假设。随后,系统地讲解了三种主要的统计模型:经典统计(麦克斯韦-玻尔兹曼分布)和两种量子统计(费米-狄拉克分布和玻色-爱因斯坦分布)。对于每种分布,本书都详细推导了其统计规律,并讨论了它们在不同物理情境下的具体应用,例如理想气体、黑体辐射、固体比热、以及经典电动力学中的电磁波谱。 本书的一个显著特点是其对应用问题的深入探讨。在热力学部分,除了传统的工程应用外,还包含了对化学热力学中化学平衡、电化学电池的基本原理的介绍。在统计物理部分,则着重分析了理想气体行为的微观起源,并引入了更前沿的话题,如简易的蒙特卡洛模拟方法在计算配分函数中的初步应用,以及对玻色-爱因斯坦凝聚现象的定性描述。 在内容组织上,本书力求做到理论深度与广度兼顾。每一个核心概念的引入都伴随着清晰的数学推导和直观的物理图像解释。大量的例题和课后习题分布在各个章节,这些题目不仅有助于读者巩固所学知识,更重要的是引导读者学习如何运用物理原理解决实际问题。对于数学基础较弱的读者,书中对必要的数学工具(如拉格朗日乘数法、微分为方程的解法)进行了必要的复习和介绍。 本书适合作为高等院校物理学、化学、材料科学、生物物理学以及相关工科专业本科生或研究生的教材或参考书。通过系统学习本书内容,读者将能够掌握分析涉及能量转化、系统平衡、以及大量粒子行为的物理现象所需的核心工具和思维方式。 --- 《电动力学导论》 内容简介 本书全面、系统地介绍了经典电磁场理论,旨在为读者提供一个深入理解电场、磁场乃至电磁波现象的坚实框架。全书从最基本的麦克斯韦方程组出发,逐步深入到复杂的电磁场边界条件、波动传播、辐射理论以及相对论电磁学基础。 第一部分:静电学与静磁学 本书伊始,从库仑定律和毕奥-萨伐尔定律出发,奠定了静电场和静磁场理论的实验基础。在静电学部分,详细阐述了电势的概念、高斯定律的应用,并着重讲解了泊松方程和拉普拉斯方程的求解方法及其在求解边界值问题中的重要性。对电介质中的场分布、束缚电荷的引入与处理进行了详尽的分析。静磁学部分则围绕安培定律展开,系统讨论了磁矢量势,并探讨了磁性材料(抗磁性、顺磁性、铁磁性)的微观机制与宏观描述。 第二部分:麦克斯韦方程组与电磁波 本书的核心部分在于对麦克斯韦方程组的推导、阐释及其完备性。作者详细分析了法拉第电磁感应定律,并引入了位移电流的概念,从而完成了从静场理论到动场理论的过渡。随后,全书进入到电磁波的传播研究。从齐次麦克斯韦方程组出发,推导了电磁波的波动方程,并详细分析了平面电磁波在真空、理想介质以及有损耗介质(如导体)中的传播特性,包括传播常数、相位速度和群速度。对波的反射和折射现象,本书运用了菲涅耳公式,详细讨论了不同极化方式下光束在界面上的行为。 第三部分:电磁场的能量、动量与辐射 在动生场理论的基础上,本书探讨了电磁场的能量和动量。引入了坡印亭矢量(能流密度)和坡印亭定理,用于描述能量在电磁场中的流动与守恒。随后,重点分析了电磁场的动量和电磁压力。辐射理论部分是本书的亮点之一,详细推导了处于任意运动状态的电荷的电磁场(利纳尔-维谢尔势),并在此基础上深入研究了电偶极子辐射和回旋加速辐射的基本特性,计算了辐射功率谱。 第四部分:相对论基础 为使读者对电磁学有更深刻的认识,本书在末尾部分引入了狭义相对论的初步概念。通过四维时空的概念,阐述了电磁场张量($F^{mu u}$)的洛伦兹协变性。这部分内容清晰地展示了电场和磁场如何在不同惯性系之间相互转换,从而统一了静电学和静磁学,揭示了电磁学的内在结构与相对论的紧密联系。 本书的特点在于其严谨的数学处理和丰富的物理图像。大量的矢量分析、坐标变换以及复数分析工具被应用于解决实际问题。每个章节都配有精心设计的例题,旨在帮助读者掌握从基础场论到复杂辐射问题的求解技巧。本书适合作为物理系高年级本科生或研究生学习经典电磁学的核心教材。 --- 《晶体结构与晶体学基础》 内容简介 本书聚焦于固体物理学中最基础、最核心的部分——晶体结构与晶体学。内容涵盖了从原子排列的几何描述到宏观晶体特性的微观起源,旨在为读者理解固态物质的物理、化学和材料学性质提供必要的晶体学视角。 第一部分:晶体的几何描述与对称性 本书从晶体的周期性特征出发,引入了晶格、晶基、晶胞等基本概念。详细介绍了布拉菲点阵的七大晶系和十四种晶格类型,并重点讲解了体心、面心等常见晶格的几何结构和密堆积原理。在数学工具方面,本书深入探讨了晶体学中的倒易点阵概念,解释了倒易点阵在X射线衍射分析中的核心作用。 对称性是晶体学分析的灵魂。本书系统地介绍了点群和空间群的理论,讲解了旋转轴、反演中心、滑移面和螺旋轴等对称操作。通过理解晶体的宏观对称性和微观对称性,读者能够预测材料可能具备的某些物理性质,如压电效应、热释电效应等。 第二部分:晶体衍射理论 晶体学实验的核心方法是衍射。本书详细阐述了X射线、电子束和中子束衍射的物理基础。重点推导并解释了著名的布拉格定律,并在此基础上系统分析了衍射斑图的形成机制。对于粉末衍射和单晶衍射,本书分别介绍了其数据采集与分析方法,包括如何利用衍射峰的位置和强度来确定晶体结构、晶胞参数和晶体缺陷情况。对于衍射图像的处理,书中提供了详细的图解和案例分析。 第三部分:晶体缺陷与生长 理想晶体是理论模型,而实际材料中不可避免地存在缺陷。本书将晶体缺陷分为点缺陷(如空位、间隙原子、取代原子)、线缺陷(位错)和面缺陷(晶界)。对于每种缺陷,不仅描述了其几何特征,还探讨了它们对材料力学性能(如塑性变形)、电学性质和扩散过程的影响。特别是对位错理论的介绍,是连接微观结构与宏观力学性能的关键。 晶体生长部分介绍了从溶液、熔体和气相中制备晶体的基本方法和热力学驱动力,包括熔剂法、提拉法(如切克劳斯基法)的基本原理和实际操作中的挑战。 本书强调理论与实践相结合,每一个理论概念的提出都紧密联系于X射线衍射等实验技术。书中包含了大量基于真实材料数据的分析案例,帮助读者建立从实验数据到晶体结构认知的完整路径。本书适合作为材料科学、凝聚态物理、矿物学等专业学生的基础教材。

著者信息

作者簡介

施敏


  國立陽明交通大學電機學院終身講座教授、電機電子工程師學會尊榮會員、中央研究院院士及美國國家工程院院士。施敏教授為半導體元件作出了根本與開創性的貢獻,特別是共同發現導致第四次工業革命的浮閘記憶體效應。施博士著作等身,曾撰寫、合著和編輯了四百多篇論文和十六本書。

李義明

  國立陽明交通大學電機工程學系教授,曾任美國史丹福大學、法國格勒諾布林科技學院和日本東北大學客座教授。在期刊、會議和書籍章節上發表過三百多篇技術文章。李博士是電機電子工程師學會會員,並擔任包括國際電子元件會議在內的許多國際專業會議的議程委員會委員。他曾獲潘文淵文教基金會研究考察獎和中國電機工程學會傑出青年電機工程師獎。

伍國珏

  美國韋恩州立大學歐洲經委會產業顧問委員會成員、國立陽明交通大學兼任教授、IEEE Life Fellow。伍博士於1980年加入貝爾實驗室,之後在其旗下朗訊科技和阿格雷系統服務。2007年至2019年,任職於美國最大的民間半導體研究機構 Semiconductor Research Corporation(SRC),曾任IEEE Electron Device Letters期刊編輯。出版過多本著作,包括Complete Guide to Semiconductor Devices一書。

譯者簡介

顧鴻壽


  臺北海洋科技大學創新設計學院教授兼院長。國立交通大學電子所博士畢業,曾任職於工業技術研究院、光電半導體產業、明新科技大學,日本大阪大學客員教授、日本半導體研究所、日本東京大學、韓國慶熙大學等訪問學者,編輯有光電平面顯示器、有機發光二極體、太陽能電池元件概論、第三代半導體材料及元件等相關性書籍,發表多篇國際性期刊論文及獲得多項發明專利。

陳密

  明新科技大學應用材料科技系教授。國立交通大學材料系博士畢業,曾任職於中山科學研究院,其後轉入教職,曾任明新科技大學材料系主任、學務長、通識教育中心主任。主要研究領域為奈米碳管與石墨烯等碳材料之純化與應用,曾發表多篇碳材料期刊論文與獲得多項專利。

图书目录

序言
譯者序一
譯者序二
導論
第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體
8.1 簡介
8.2 JFET 和MESFET
8.3 調變摻雜場效電晶體

第四部分 負電阻以及功率元件
第九章 穿隧元件
9.1 簡介
9.2 穿隧二極體
9.3 相關穿隧元件
9.4 共振穿隧二極體
第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件
10.1 簡介
10.2 衝擊離子化累增渡時二極體
10.3 電子轉移元件
10.4 實空間轉移元件
第十一章 閘流體和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件

第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6 特殊雷射
第十三章 光偵測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2 光導體
13.3 光二極體
13.4 累增光二極體
13.5 光電晶體
13.6 電荷耦合元件
13.7 金屬-半導體-金屬光偵測器
13.8 量子井近紅外光光偵測器
13.9 太陽能電池
第十四章 感測器
14.1 簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
14.5 化學感測器
14.6 生物感測器
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統 ( SI Units )
C. 國際單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量
H. Si 與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型
J. 氧化矽與氮化矽的特性
K. 雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引

 

图书序言

  • ISBN:9789865470562
  • 規格:平裝 / 592頁 / 17 x 23 x 2.96 cm / 普通級 / 單色印刷 / 初版
  • 出版地:台灣

图书试读



  自1947 年貝爾電話實驗室研究團隊(現在為諾基亞貝爾實驗室)發現電晶體效應以來,半導體元件領域快速成長。隨著此領域的發展,半導體元件的文獻逐漸增加並呈現多元化,要吸收這方面的大量資訊,需要一本完整介紹元件物理及操作原理的書籍。

  第一版、第二版與第三版的Physics of Semiconductor devices《半導體元件物理學》分別在1969 年、1991 年與2007 年發行以符合如此的需求。令人驚訝的是,本書長期以來一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生的主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。直到目前為止,本書仍為被引用最多次的書籍之一,在當代工程以及應用科學領域上,已被引用超過55,000 次 (Google Scholar)*。自從本書上一版在2007 年出版後,已有超過1,000,000 篇與半導體元件相關的論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版的Physics of Semiconductor devices 中,有超過50% 的材料資訊已經被校正或是被更新,並將這些材料資訊全部重新整理。我們保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等,亦在每章後增加大量問題集,幫助整合主題的發展,而某些問題可以在課堂上作為教學範例。

  在撰寫這本書的過程,我們有幸得到許多人幫助及支持。首先,我們對於自己所屬的學術單位國立陽明交通大學表示謝意,沒有學校的支持,本書將無法完成;也感謝台灣高等教育深耕計畫第2 部分—特色領域研究中心—毫米波智慧雷達系統與技術研究中心,以及交大思源基金會的經費資助。

  以下學者在百忙中花了不少時間校閱本書並提供建議, 使我們獲益良多, 績效屬於下列學者:M. Ancona, T.-C. Chang, C.-H. Chaing, Y.-S. Chauhan, K. Endo, M.-Y. Lee, Y.-J. Lee, P.-T. Liu, T. Matsuoka, M. Meyyappan, N. Mori, S. Samukawa, A. Schenk, N. M. Shrestha, P.-H. Su, T. Tanaka, V. Rajagopal Reddy, 以及 D. Vasileska。我們也感謝各期刊以及作者允許我們重製並引用他們的原始圖。

  我們很高興地感謝C.-H. Chen, C.-Y. Chen, S. R. Kola, Y.-C. Lee, C.-C. Liu, W.-L. Sung, N. Thoti 及Y.-C. Tsai 等協助製備這份原稿。我們更進一步地感謝 Min-Hui Chuang, Norman Erdos 及Ju-Min Hsu 協助整理原稿的技術編輯。在John Wiley 以及 Sons,感謝Sarah Keegan 鼓勵我們進行這個計畫。最後,對我們的妻子Therese Sze 以及Linda Ng 在寫作這本書過程的支持及幫助表示謝意。本書作者李義明教授將本書獻給他的母親黃葱女士,黃女士於2019 年6 月過世。

施敏
台灣 新竹
李義明
台灣 新竹
伍國珏
美國 北卡羅來納州 教堂山
2020 年2 月
*編按:本書於中文版翻譯完成時,引用次數已超過63,800 次。

用户评价

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这本书最让我感到惊喜的,反而是那些看似不经意的历史回顾和实验方法的介绍。在讲到场效应晶体管(FET)的发展历程时,作者并没有简单地罗列时间点,而是穿插了一些早年研究人员在克服界面态和氧化层缺陷时的心路历程。这些“人情味”的内容,虽然对最终的器件设计参数影响不大,却极大地丰富了对整个半导体科学演进的宏观认知。它让你意识到,每一个公式背后,都凝结着无数次失败的实验和精妙的洞察力。特别是关于MOS电容器的C-V曲线分析章节,它不仅给出了理想情况下的模型,还详细讨论了慢速陷阱电荷和快速陷阱电荷对曲线的非理想影响,并给出了相应的测量补偿方法,这远比一般的教材仅仅停留在理论模型层面要深入得多,真正体现了“实践出真知”的内涵。

评分

这本书的翻译质量,我必须得提一下。虽然从专业术语上来说,基本上都做到了精准对译,比如对“载流子迁移率”和“德拜长度”的表述都非常规范,但整体的行文风格却透露着一种明显的“翻译腔”。句子结构往往是典型的欧式长句,一句话能横跨好几行,读起来需要不断地在脑海中进行重组和断句,极大地影响了阅读的流畅性。我发现自己经常需要在理解了句子的前半部分后,回头再仔细咀嚼后半部分所承载的修饰成分,才能真正把握作者想要表达的完整意思。这对于需要快速吸收知识点的学习过程来说,是一个不小的负担。我猜想,如果能采用更符合中文学术语境的短句和清晰的主谓宾结构,即使内容本身再晦涩,阅读体验也会提升一个档次。对于这种高强度的专业阅读材料而言,清晰的语言表达简直就是生命线。

评分

从装帧和实用性的角度来看,这本书的厚度和重量,确实不太适合经常携带出门。它更像是一本需要固定在书桌上,配合大显示器和计算软件才能发挥最大效用的参考书。纸张的质量中规中矩,光泽度不高,这在一定程度上减轻了阅读时的反光问题,对长时间面对屏幕后需要转向纸质内容来休息的眼睛来说算是个小小的安慰。然而,我注意到,书脊在多次翻阅后已经开始出现轻微的“开裂”迹象,这也许是内容过于致密,书本需要承受较大张力的结果。总而言之,它是一本极其详尽、数据驱动的参考工具,适合那些需要深入挖掘半导体物理底层机制,并将其应用于实际设计和分析的专业人士。对于休闲阅读或者入门了解来说,它可能过于厚重和专业化了。

评分

这本厚重的家伙,初翻时着实让人有些望而却步。封面设计虽然朴实,但内页的排版却显得相当紧凑,字里行间的信息密度之高,简直让人怀疑作者是不是想把所有能想到的知识点都塞进来。我本是冲着对半导体物理的某个特定难题寻找解答而来,结果却被引导到了一片更广阔、更深邃的知识海洋。书中对基础理论的阐述非常扎实,几乎是从最基本的能带理论开始,层层递进,逻辑链条严密得像瑞士钟表。尤其是在处理复杂边界条件和薄膜效应时,作者展现出的数学功底令人敬佩,那些公式的推导过程详略得当,既保证了严谨性,又不会让初学者感到完全无从下手。当然,作为一本“下册”,它无疑建立在对“上册”内容的充分理解之上,有些地方的引用和衔接非常迅速,如果中间隔了太久没碰书,确实需要回过头去复习一下前作的章节脉络。总的来说,它更像一本工具书加教材的混合体,适合有一定基础,想要深入钻研特定器件机理的工程师或研究生。

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说实话,刚拿到手的时候,我有点失望,因为它给我的感觉更像是一份详尽的工程手册,而不是一本侧重概念美感的理论著作。书中的插图数量相对较少,而且大多是用来辅助说明数学模型的,缺乏那种能让人一眼抓住核心物理图像的示意图。在讲解器件性能优化和工艺流程相关的内容时,内容显得非常详尽,甚至达到了“事无巨细”的地步,这对于需要快速掌握特定器件工作原理的人来说是福音,但对于我这种更偏爱“Why”而不是“How”的读者来说,就显得有些冗长了。比如,在讨论PN结的雪崩击穿机制时,它用大量的篇幅去量化各种掺杂浓度下的临界场强,虽然数据详实,但对于解释“为什么”雪崩会发生这种非线性行为的内在机制的哲学思考却着墨不多。我期待的,或许是更精炼的语言和更有启发性的比喻,但这本书选择了一条更稳妥、更偏向工程实践的路线,它不教你如何“思考”物理,而是教你如何“计算”和“实现”物理。

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