研究所2023試題大補帖【電子學】(109~111年試題)[適用臺大、台聯大、中正、中山、成大、中央、中興、北科大研究所考試]

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具体描述

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  本書收錄國內各重點大學研究所109~111年【電子學】共三年試題含解析。

  本書收錄學校:臺灣大學、台灣聯合大學系統、中正大學、中山大學、成功大學、臺北科技大學、中央大學、中興大學

本書特色

  1.補班名師解題,不用三顧茅廬立即獲得大師精準考題解析。
  2.多年度試題一次收錄,輕鬆練習歷屆試題。
  3.一題搭配一詳解,演練有錯立即修正,加深印象。
 
电子工程领域核心教材精选与深度解析 本系列图书旨在为目标院校(如台大、台联大、中正、中山、成大、中央、中兴、北科大等)的电子学研究所入学考试,以及相关专业领域的深度学习者,提供一套全面、系统且极具针对性的学习资源。我们聚焦于奠定坚实的理论基础,并以实战化的视角解析历年真题所揭示的考点脉络。 注意:以下内容描述的是本套系列中其他卷册或补充资料的侧重点,与《研究所2023試題大補帖【電子學】(109~111年試題)[適用臺大、台聯大、中正、中山、成大、中央、中興、北科大研究所考試]》本身所含的近三年试题解析及重点归纳的定位有所区别。 --- 第一卷:模拟电子线路基础理论与器件物理深度剖析 本卷侧重于构建扎实的第一性原理基础,是理解后续复杂电路系统的基石。我们深入探讨半导体PN结的建立、扩散与漂移机制,重点解析晶体管(BJT与MOSFET)在不同工作区域(截止、放大、饱和)的精确数学模型。 核心内容涵盖: 1. 半导体物理基础的严谨推导: 从能带理论出发,详述费米能级、载流子浓度、以及温度对器件特性的影响。对于MOSFET的C-V特性曲线(耗尽、积累、反型区)的分析,采用规范的电容模型进行精确建模,而非仅停留在理想化的栅压控制概念。 2. 单级放大器精细分析: 深入钻研BJT与MOSFET共源、共射、共基、共集等基本组态的小信号模型($r_e$ 或 $g_m/g_{pi}$ 模型)的建立过程。特别强调频率响应分析:利用$pi$模型或T模型,精确计算由寄生电容(如$C_{pi}, C_{mu}$)导致的开环增益截止频率($f_H$)以及米勒效应在多级放大器中的量化影响。 3. 偏置电路的稳定性与设计: 不仅介绍分压式偏置等基本方法,更侧重于讨论温度漂移的补偿机制,如使用热敏电阻或二级管进行偏置点稳定。对于电路的最大不失真输出摆幅(Voltage Swing)的计算,要求学生能够基于集电极/漏极电阻值和电源电压,推导出精确的边界条件。 4. 反馈理论的数学基础: 从负反馈的定义出发,详细阐述波特图(Bode Plot)的绘制、相位裕度(PM)与增益裕度(GM)的计算标准。所有分析均严格基于黑盒/白盒模型,要求学生能将复杂电路简化为二端口网络模型进行分析。 --- 第二卷:复杂模拟集成电路与系统应用 本部分将理论应用于构建实际的模拟系统,是高阶研究所考试中区分优秀考生的关键模块。重点在于运算放大器(Op-Amp)的内部结构设计及其应用电路的性能优化。 核心内容涵盖: 1. 运算放大器(Op-Amp)的内部架构: 详尽解析双极性/CMOS输入级的设计差异。深入探讨共源/共集输入级的共模抑制比(CMRR)与电源抑制比(PSRR)的理论极限与实际优化方法。 2. 补偿技术与频率补偿: 米勒补偿的原理、补偿电容的选择依据,以及引入零点(Zero)以改善瞬态响应的技巧。对比导纳极点分离技术(Lead-Lag Compensation)在宽带放大器中的应用。 3. 电流源与输出级: 重点分析镜像电流源(Current Mirror)的失配误差(Mismatch Error)及其对输出阻抗的影响。对推挽(Push-Pull)/互补对称(Complementary Symmetry)输出级的交越失真(Crossover Distortion)的产生机理和消除方法进行深入探讨。 4. 线性与开关电路: 有源滤波器设计: 覆盖巴特沃斯(Butterworth)、切比雪夫(Chebyshev)等高阶滤波器的Sallen-Key或MFB结构设计,要求能够从传递函数反推元件值。 振荡器与波形产生: 详细分析文氏电桥振荡器和弛张振荡器的起振条件(Barkhausen Criterion)和频率稳定性。 5. 数据转换器(ADC/DAC)原理: 聚焦于R-2R梯形DAC的精度分析、Flash ADC的结构复杂度,以及SAR ADC的工作流程与量化误差。 --- 第三卷:数字电子电路与逻辑设计 本部分着重于半导体器件在数字逻辑电路中的应用,强调速度、功耗和集成度之间的权衡。 核心内容涵盖: 1. CMOS逻辑电路族分析: 不仅限于基本NAND/NOR门的静态传输特性曲线,更深入研究静态功耗(Static Power)与动态功耗(Dynamic Power)的精确计算。对比扇入(Fan-in)和扇出(Fan-out)对电路延迟的影响。 2. 特殊逻辑结构的延迟分析: 传输门(Transmission Gate)和CMOS锁存器(Latch)的设计与优缺点。重点分析Pass Transistor Logic的电压损失问题。 3. 时序电路与存储单元: 对D锁存器、主从FF(Master-Slave Flip-Flop)的边沿触发机制进行严格剖析。深入探讨建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold Time)的定义及其对系统时序约束的影响。 4. 组合逻辑优化与可编程器件基础: 掌握使用卡诺图(Karnaugh Map)和Quine-McCluskey方法进行最小化。介绍PLD、CPLD、FPGA的基本结构,理解其在系统设计中的逻辑映射过程。 --- 第四卷:历年高难度真题的深度演绎与解题策略 本卷并非简单的试题汇编,而是针对特定高校(如台大、成大等)出题风格所构建的高阶解题方法论。 本卷的独特价值在于: 解题路径的“多维探索”: 针对同一道复杂题目,展示如何从小信号模型、大信号模型、状态空间模型等不同视角进行求解,确保无论考试侧重于分析还是设计,考生都能找到最优解法。 概念辨析的精准化: 聚焦于易混淆概念的辨析,例如:共模输入范围(ICMR)与输出摆幅的区别;单位增益频率($f_T$)与增益带宽积(GBW)的内在联系与应用场景的差异。 工程化思维的注入: 在解题过程中,穿插讲解“如果实际电路中元件参数发生$pm 20%$偏差,电路性能如何变化”的工程判断,培养学生对鲁棒性(Robustness)的初步认知。 通过这套系列体系的学习,读者将能够从容应对各顶尖院校对电子学知识的广度与深度的双重考察要求。

著者信息

图书目录

111
臺灣大學 生物產業機電工程所(丙組)
臺灣大學 生醫電子與資訊學研究所(甲組)
台灣聯合大學系統 電機類
中正大學 電機工程學系(電磁晶片組、計算機工程組、晶片系統組)
中山大學 電機工程學系(甲組)
中山大學 電波聯合碩士班選考、通訊所碩士班乙組選考、電機系碩士班戊組選考
成功大學 生物醫學工程學系
成功大學 電機工程學系、電腦與通信工程所、電機資訊學院-微電、奈米聯招
成功大學 光電科學與工程學系
臺北科技大學 電子工程系(丁組)
臺北科技大學 光電工程系

110
臺灣大學 工程科學及海洋工程學研究所(丙組)
臺灣大學 生物產業機電工程所(丙組)
臺灣大學 電信工程研究所(甲組)
臺灣大學 電子工程研究所(甲、乙組)
臺灣大學 電子工程研究所(丙組)
臺灣大學 生醫電子與資訊學研究所(甲組)
台灣聯合大學系統 電機類
中央大學 電機工程學系(固態組、電波組、系統與生醫組)
中興大學 電機工程學系(乙、丙、丁組)
中正大學 電機工程學系(電磁晶片、計算機工程、晶片系統組)
中山大學 電機工程學系(甲組)
中山大學 電波聯合碩士班選考、通訊所(乙組)、電機系(戊組)
成功大學 生物醫學工程學系
成功大學 電腦與通信工程所
成功大學 電機工程學系、電機資訊學院-微電、奈米聯招
成功大學 光電科學與工程學系

109
臺灣大學 工程科學及海洋工程學研究所(丙組)
臺灣大學 森林環境暨資源研究所(丙組)
臺灣大學 電信工程研究所(甲組)、醫學工程研究所(丙組)
臺灣大學 電子工程研究所(甲組)、電子工程研究所(乙組)
臺灣大學 電子工程研究所(丙組)
臺灣大學 生醫電子與資訊學研究所(甲組)
台灣聯合大學系統 電機類
中央大學 電機工程學系(固態組、電波組、系統與生醫組)
中興大學 電機工程學系(乙、丙、丁組)
中正大學 電機工程學系(電磁晶片、計算機工程、晶片系統組)
中山大學 電機工程學系(甲組)
成功大學 生物醫學工程學系
成功大學 電腦與通信工程所
成功大學 電機工程學系、電機資訊學院-微電、奈米聯招
成功大學 光電科學與工程學系

 

图书序言

  • ISBN:9786263273542
  • 叢書系列:研究所考試-解題書
  • 規格:平裝 / 352頁 / 17 x 23 x 1.76 cm / 普通級 / 單色印刷 / 初版
  • 出版地:台灣

图书试读

用户评价

评分

對於像我這種程度中等,但又想衝刺頂尖大學的考生來說,這本書的價值簡直是無法衡量。我不是那種一開始就能完全理解傅立葉分析在訊號處理中如何與主動濾波器結合的學霸,所以當我面對台大那種需要深厚理論基礎的考題時,往往會卡關。過去我只能去補習班聽老師講解,但補習班的進度總是趕著走,沒時間針對我的弱點做個別加強。這本大補帖正好彌補了這個空缺。它的題目難度分級做得很好,你可以先從比較基礎的電晶體偏壓開始,循序漸進到比較複雜的頻率響應分析和雜訊問題。最讓我驚豔的是,它對一些常考公式的推導過程,不是直接寫出來了事,而是用很直觀的方式解釋背後的物理意義。例如,當討論到MOSFET的飽和區跨導(gm)時,它不僅僅是給出公式,還解釋了為什麼在飽和區電流會與電壓平方成正比,這種「知其然,且知其所以然」的解釋,對於提升我的觀念深度,幫助非常大。這讓我在面對開放式問答題時,能更有邏輯地組織我的答案。

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這本《研究所2023試題大補帖【電子學】》根本就是為我們這些準備考研的學生量身打造的救星嘛!想當年我準備台大的電子學時,光是要找齊近幾年的考古題就快把我逼瘋了,東拼西湊的資料拼湊起來的筆記,重點還是一堆落漆的觀念。拿到這本後,簡直是相見恨晚啊!它把近三年的題目,從台大、交大、成大到中山、中正,全部收錄得清清楚楚,而且重點是,它還附上了詳盡的解析。光是看著那些步驟清晰的推導過程,就覺得自己的底氣足了不少。特別是對於那些愛出陷阱題的學校,像是台聯大那種喜歡玩文字遊戲的,光靠自己啃教科書是完全摸不著頭緒的。這本的解析角度非常刁鑽,完全是從閱卷老師的角度去分析,告訴你「這個公式雖然對,但出題老師想考的是你對這個元件的物理意義的理解」。這種「悟道」的感覺,比起自己在那邊死背硬記要有效率多了,對我這種臨陣磨槍型的考生來說,簡直是神級的輔助工具,直接命中靶心,省去了我大量自己摸索的時間,讓我可以把精力放在更廣泛的科目上。

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坦白說,市面上那麼多號稱「大補帖」的參考書,內容不是過時很久,不然就是解析寫得像天書一樣,看了跟沒看根本沒兩樣。但這本厲害的地方就在於它的「即戰力」。2023年的版本,內容更新的速度跟得上最新的考情趨勢,尤其是看到它對近三年考題的歸納整理,那種細膩度讓我印象深刻。舉例來說,針對功率電子學的部分,過去幾年大家可能都還在鑽研傳統的開關模式電源,但這本已經開始觸及到一些新型的寬能隙半導體元件在研究所考試中的應用趨勢。這顯示編者群對於各校出題風格的掌握度非常高,不是單純的題目堆砌,而是有經過精煉和提煉的。我記得我翻到中興大學的題目時,發現它特別強調一些控制理論在電子電路中的應用,這點是很多基礎教材會忽略的,但這本居然能把這些跨領域的題目也納進來,並且給出簡潔明瞭的解法。這讓我覺得,這不只是一本考前衝刺的工具書,更像是一個精煉過的電子學知識體系,把散落在各處的關鍵知識點串聯起來了。

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我必須承認,一開始看到這本厚度時,心裡是有些挫折的。畢竟考試範圍廣泛,誰不希望有一本薄薄的就能搞定一切呢?但翻開內頁後,我才明白這份厚度是「內容充實」的證明,而不是「廢話堆砌」。特別是它對各校出題重點的分析,簡直是神準。像是它有特別提到,近幾年中山大學的考題越來越重視電磁波在傳輸線路上的應用,並在相關章節中收錄了幾題類似的進階題目。這對我來說非常受用,因為我原本的教科書對這部分的著墨就不深。更棒的是,它還針對一些容易混淆的概念做了對比表格,例如BJT和MOSFET在負載線分析上的差異,以及共源級和共集級放大器的優缺點比較。這種一目瞭然的總結,讓我在考前複習時,可以像翻字典一樣快速找到自己不確定的地方,省去了翻閱厚厚筆記的時間。總之,這本書成功地將各校的「隱性考點」顯性化了,非常適合用來做最後階段的「重點火力掃射」。

评分

這套試題大補帖的編排邏輯,真的可以感受到編者團隊的用心。他們顯然不是隨便把歷屆試題貼上去就了事。首先,題目是按照學校和年度分門別類得很清楚,方便考生根據自己的目標學校來進行針對性練習。但更重要的是,針對那些跨校重複出現的核心觀念,它會用不同的方式來包裝考題,並且在解析中特別標註「此為台大/成大常考模式」。這種「一題多看,一招多用」的設計,極大地提升了學習效率。舉個我個人的例子,我對頻率響應的分析一直很頭痛,特別是二階低通濾波器的轉折頻率計算。這本書針對這個主題,收集了三所不同學校的考題,每一題的分析角度都略有不同,但最終導向的解法卻能互相印證。透過這幾題的比較練習,我終於徹底掌握了這個觀念,連教科書上那些晦澀難懂的伯德圖分析,都變得直觀起來。這本不只是考古題庫,它簡直就是一本高效率的「解題思維培養皿」,對於想在競爭激烈的研究所考試中脫穎而出的考生來說,絕對是值得投資的利器。

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