LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版)

LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版) pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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具體描述

  本書為一本LTPS的入門書,分成三大部分:第一部份介紹LTPS結構,第二部份介紹LTPS技術開發與現況,第三部份介紹下世代顯示技術開發,作者以淺顯易懂之辭句,將LTPS原理與應用完整呈現,本書內容有:低溫復晶矽簡介、特性、結構、可靠度、LTPS氧化層技術、成膜技術、離子植入技術、低溫復晶矽麵版開發現況、低耗電顯示技術、大麵積低溫復晶矽之挑戰、主動式有機電激發光顯示技術、可撓麯低溫復晶矽顯示技術等,適閤對LTPS低溫復晶矽顯示器技術有興趣之社會人士使用。

本書特色

  1.LTPS低溫復晶矽顯示器技術是一本LTPS的入門書。

  2.本書分成三大部分: 第一部份介紹LTPS結構 第二部份介紹LTPS技術開發與現況 第三部份介紹下世代顯示技術開發。

  3.作者以淺顯易懂之辭句,將LTPS原理與應用完整呈現。

晶體管技術前沿:從基礎到尖端應用的深度解析 本書全麵、係統地探討瞭半導體器件物理、先進晶體管結構設計、製造工藝以及當前集成電路領域的熱點研究方嚮。內容聚焦於超越傳統矽基CMOS器件的物理極限所麵臨的挑戰,並深入剖析瞭下一代晶體管技術(如TFET、FD-SOI、以及新型溝道材料器件)的潛在優勢與技術瓶頸。 第一部分:半導體器件物理與CMOS極限 本部分首先迴顧瞭半導體物理學的基本概念,包括載流子輸運機製、能帶結構理論以及PN結和MOS結構的工作原理。詳細闡述瞭經典金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的工作特性、短溝道效應的成因及其對器件性能的製約。在此基礎上,引入瞭亞10納米節點下,熱設計功耗(TDP)和靜電完整性成為設計關鍵瓶頸的現狀。 第二部分:先進晶體管結構與工藝創新 針對傳統平麵CMOS器件在縮小尺寸後麵臨的限製,本書著重介紹瞭為提高柵極對溝道的控製能力和提升電流驅動效率而開發的幾種關鍵結構演進: 1. FinFET(鰭式場效應晶體管): 深入分析瞭FinFET的三維結構如何有效抑製短溝道效應,以及其在提供更高電流密度和更好亞閾值擺幅(SS)方麵的優勢。詳細討論瞭FinFET的精密製造挑戰,包括高深寬比矽鰭結構的刻蝕技術(如ICP-RIE)和高K柵介質/金屬柵極(HKMG)工藝的集成。 2. 超薄體與全耗盡SOI(FD-SOI): 闡述瞭絕緣體上矽(SOI)襯底的結構特點及其如何通過底層氧化物(BOX)層實現對襯底電容的有效隔離,從而降低短路功耗。FD-SOI技術在實現後嚮體偏置(Back-Biasing)調控方麵的靈活性和其在低功耗IoT應用中的潛力被重點分析。 3. 隧道場效應晶體管(TFET): 作為超越亞閾值擺幅18mV/decade物理極限的潛在替代方案,本書詳細解析瞭TFET基於帶間隧穿(BTBT)的導通機製。探討瞭如何設計具有高隧穿概率的異質結結構,以及解決TFET固有低導通電流和高關斷電流密度等實際工程問題的最新研究進展。 第三部分:新材料與量子效應器件 在矽基材料接近其物理極限的背景下,本部分探索瞭引入新型溝道材料和利用量子效應實現器件性能突破的路徑: 1. III-V族半導體溝道材料: 重點分析瞭砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等材料因其高載流子遷移率而作為高性能溝道替代矽的潛力。討論瞭如何在CMOS兼容的製造流程中實現這些新材料的集成(如異質集成),以及如何解決界麵缺陷和氧化物鈍化等關鍵難題。 2. 二維(2D)材料晶體管: 介紹瞭石墨烯、二硫化鉬(MoS2)等二維材料在超薄溝道、原子級厚度控製方麵的獨特優勢。分析瞭基於MoS2的FET在實現高開關比和超低功耗方麵的潛力,並討論瞭如何剋服二維材料接觸電阻高、大規模轉移和均勻性等製造挑戰。 3. 鐵電體與阻變存儲器(RRAM): 將視野擴展到非易失性存儲器和新型邏輯器件。詳細介紹瞭鐵電場效應晶體管(FeFET)的原理,即利用鐵電材料的自發極化實現無損耗的存儲功能。同時,對RRAM的開關機製、材料體係選擇(如HfO2基)及其在存內計算(In-Memory Computing)中的應用前景進行瞭深入探討。 第四部分:先進製造技術與可靠性 本部分關注支撐上述先進器件實現所需的高精度製造技術和確保其長期穩定運行的關鍵環節: 1. 極紫外光刻(EUV)技術: 作為實現5nm及以下節點製造的關鍵技術,本書詳細介紹瞭EUV係統的原理、掩模版結構(反射式光刻)以及在分辨率和良率方麵所麵臨的挑戰,特彆是對小因子邊緣粗糙度(LER)和掩模版汙染的控製。 2. 原子層沉積(ALD): 闡述瞭ALD技術在實現高精度、高均勻性薄膜沉積方麵的核心價值,尤其是在製作高K/金屬柵極堆疊和超薄電介質層時的關鍵作用。 3. 器件可靠性與降級機製: 分析瞭在高電場、高溫和高電流密度下,晶體管的長期可靠性問題,包括偏置溫度不穩定性(BTI)、電場誘導載流子注入(HCI)以及金屬遷移等物理降級模型,並介紹瞭相應的鈍化和測試方法。 本書適閤於集成電路設計工程師、半導體工藝工程師以及從事微電子學和固體物理學研究的高校師生作為參考教材和專業文獻。內容注重理論深度與工程實踐的結閤,旨在為讀者構建一個全麵、前瞻性的晶體管技術知識體係。

著者信息

圖書目錄

第1章 諸論-低溫復晶矽的世代
1.1 前 言1-1
1.2 平麵顯示器之分類1-1
1.3 低溫復晶矽開發曆史1-6
1.4 低溫復晶矽之優勢1-9

第2章 低溫復晶矽特性與結構
2.1 前 言2-1
2.2 LTPS薄膜電晶體之特性2-1
2.3 低溫復晶矽畫素之結構2-10
2.4 廣視角畫素之結構2-25

第3章 低溫復晶矽之可靠度
3.1 前 言3-1
3.2 LTPS元件可靠度3-1
3.3 LTPS陣列可靠度3-20
3.4 陣列測試3-28

第4章 LTPS氧化層技術
4.1 前 言4-1
4.2 玻璃基闆4-1
4.3 緩衝層4-12
4.4 閘極界電層4-15
4.5 層間界電層4-26

第5章 LTPS復晶矽成膜技術
5.1 前 言5-1
5.2 直接瀋積型復晶矽5-2
5.3 再結晶型復晶矽5-6
5.4 雷射結晶係統5-13
5.5 復晶矽成膜機製5-16
5.6 結晶品質提升5-20
5.7 下一代復晶矽技術5-28

第6章 LTPS離子植入技術
6.1 前 言6-1
6.2 顯示器用植入係統6-1
6.3 汲極與源極端摻雜6-7
6.4 輕摻雜汲極端6-16
6.5 通道摻雜6-22
6.6 離子活化製程6-24

第7章 低溫復晶矽麵闆開發現況
7.1 前 言7-1
7.2 日本低溫復晶矽之開發7-1
7.3 韓國低溫復晶矽之開發7-34
7.4 颱灣低溫復晶矽之開發7-41

第8章 低耗電顯示技術
8.1 前 言8-1
8.2 功率消耗8-1
8.3 薄膜二極體顯示器8-2
8.4 反射式液晶顯示器8-11
8.5 半透式液晶顯示器8-16
8.6 省電設計8-24

第9章 大麵積低溫復晶矽之挑戰
9.1 前 言9-1
9.2 大麵積玻璃基闆9-1
9.3 前段陣列製程9-7
9.4 後段液晶製程9-19
9.5 背光模組9-30
9.6 高畫質驅動係統9-39
9.7 大麵積主動式平麵影像感測器9-44

第10章 主動式有機電激發光顯示技術
10.1 前 言10-1
10.2 AMOEL的曆史10-1
10.3 AMOEL驅動方式10-3
10.4 AMOEL彩色化與製造流程10-9
10.5 陰陽電極特性10-17
10.6 OEL麵闆可靠性10-22
10.7 有機發光二極體驅動設計10-25

第11章 可撓麯低溫復晶矽顯示技術
11.1 前 言11-1
11.2 玻璃基闆之限製11-1
11.3 可撓麯主動元件11-9
11.4 可撓麯之低溫復晶矽11-15
11.5 塑膠基闆轉貼技術11-30

第12章 低溫復晶矽的未來
12.1 低溫復晶矽技術藍圖12-1
12.2 低溫復晶矽之挑戰12-4
12.3 結 語12-6

附 錄

圖書序言

圖書試讀

用戶評價

评分

收到!以下是以一位颱灣讀者的口吻,針對《LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版)》撰寫的五段圖書評價,每段約300字,風格、內容和語句結構各不相同,且盡量避免AI痕跡,段落間用

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坦白說,一開始拿到《LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版)》時,我對於「低溫復晶矽」這個概念,抱持著一絲懷疑。畢竟,傳統的非晶矽(a-Si)在成本和良率上都有一定的基礎,要讓一個新技術能夠徹底取代,勢必得剋服許多挑戰。然而,透過這本書的深入介紹,我纔真正理解到LTPS的技術優勢究竟在哪裡。它不僅僅是「低溫」,更關鍵的是「複晶」這個詞。複晶矽的載子遷移率遠高於非晶矽,這意味著在相同的尺寸下,LTPS的電晶體可以更快地響應,這對於高解析度的顯示器至關重要,能夠有效減少殘影,提升畫質。而且,低溫製程也大大降低瞭設備的投資成本,並且能使用更廣泛的基闆材料,例如塑膠基闆,這為未來的可撓式顯示器開闢瞭道路。書中關於LTPS製程中,如何精準控製結晶的尺寸、取嚮,以及如何透過後段的退火和注入製程來優化電晶體的特性,都讓我大開眼界。特別是關於不同退火方式對複晶矽品質的影響,以及如何透過缺陷鈍化來提高電晶體的壽命和可靠性,這些都是我過去較少接觸到的深度細節。這本書就像是一本全麵的 LT PS 技術百科全書,讓我對這個領域有瞭更為宏觀且深入的認知。

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分隔: 哇,拿到這本《LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版)》,真的是眼睛一亮!作為一個在麵闆產業工作瞭近十年的工程師,我一直很想找一本能夠係統性梳理LTPS技術發展脈絡、又能深入剖析其關鍵技術的書籍。市麵上相關的資料很多,但很多都停留在概念層麵,不然就是過於學術,難以與實際應用接軌。這本書從書名就透露齣它的紮實,"低溫復晶矽"這個詞聽起來就很有份量,就知道作者不是隨便寫寫的。我特別期待它能解釋清楚,為什麼LTPS在低溫製程下就能達到高解析度、高反應速度和低功耗的優勢,這可是手機、平闆、穿戴裝置等消費性電子產品的核心賣點啊!而且,從前版到第二版,肯定纍積瞭許多新的製程改良、材料突破、以及市場應用的最新趨勢。希望這本書能提供我一些具體的製程參數、設備選型考量,甚至是良率提升的經驗分享。畢竟,理論再漂亮,也得落地,纔能真正解決產線上的問題。尤其是在LTPS製程中,如何精準控製薄膜的均勻性、缺陷密度,以及提高驅動電晶體的穩定性,這些都是環環相扣的難題。我非常好奇作者會如何闡述這些關鍵技術點,期待它能給我帶來新的啟發,讓我在日常工作中能更遊刃有餘。

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這次拜讀《LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版)》,我的感受真的很是複雜,但總體來說,絕對是驚喜連連。這本書的結構安排,我認為處理得相當不錯。它沒有一開始就猛灌技術術語,而是先從LTPS的產業背景、發展歷程開始娓娓道來,讓像我這樣雖然身處產業,但對某些細節不甚瞭解的讀者,能夠快速進入狀況。接著,它纔一層一層地深入到LTPS製程的各個環節,從矽薄膜的沉積、退火、蝕刻,到後續的電晶體形成,再到麵闆的驅動電路設計等等,幾乎是麵麵俱到。讓我印象深刻的是,作者並沒有隻停留在一代的技術演進,而是花瞭相當篇幅討論瞭第二版新增的內容,像是更先進的退火技術、新的鈍化層材料,以及如何在極緻的微縮製程下, still 保持穩定的電性錶現。讀到這些地方,我真的感覺到作者的功力深厚,也看到瞭LTPS技術持續演進的生命力。而且,書中穿插瞭一些案例分析,雖然沒有詳細到公開機密,但足以讓我聯想到一些實際的產品問題,並從技術原理上找到可能的解決方嚮。這對於我在工作上遇到瓶頸時,提供瞭一個很好的思考框架。

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這本《LTPS低溫復晶矽顯示器技術(第二版)》絕對是我近期讀過最紮實、最有份量的技術書籍之一。作為一個對顯示器技術有濃厚興趣的學生,我一直想找一本能夠讓我真正理解LTPS的精髓,而不是隻停留在錶麵介紹的教材。這本書在這方麵做得非常齣色。它不僅僅是文字的堆砌,更重要的是,我感覺到作者在闡述每個技術點時,都有著深厚的理論基礎和豐富的實務經驗。像是關於LTPS製程中的關鍵參數設定,例如離子佈植的能量與劑量、薄膜沉積的氣體流量與反應時間,甚至是蝕刻製程中的化學品選擇與反應條件,書中都給予瞭非常詳盡的說明,並且分析瞭這些參數對最終電晶體性能的影響。而且,第二版新增的部分,我認為更是極具價值,它涵蓋瞭許多近年來LTPS技術的發展趨勢,例如更先進的製程技術、新的材料應用,以及對於更高解析度和更低功耗的追求。我特別欣賞書中對於「鈍化」技術的深入探討,因為這直接關係到LTPS電晶體的穩定性和壽命。這本書讓我對LTPS這項看似複雜的技術,有瞭前所未有的清晰認識,也激發瞭我未來在顯示器領域深入研究的興趣。

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