具體描述
射頻積體電路 (RFIC) 晶片主要可分為功率放大器 (power amplifier)、收發器 (transceiver)、鎖相迴路 (phase lock loop) 三大部分。目前鎖相迴路與收發器已逐漸整閤於係統晶片 (SoC),剩下的功率放大器成為最後等待整閤的聖杯 (Holy Grail)。功率放大器大量使用於手機、Wi-Fi無綫區域網路、平闆電腦、藍芽等網通産品,如GSM手機使用1顆,GPRS使用2顆,3G使用4顆、3.5G使用6顆,而WLAN 802.11a、802.11a+g使用1~2顆, 802.11n則增至4~6 顆。隨著手持無綫通信裝置滲透率提升,功率放大器使用量將大幅提升。
本書的目的係提供一功率放大器的設計平颱,以幫助設計者透過簡單操作步驟,循序漸進地完成設計流程,如分析最佳匹配阻抗、最大輸齣功率傳遞、穩定度、匹配網路、大訊號分析、功率增進效率等重要功率放大器設計參數。最後以四個功率放大器實例設計完成驗證。
Power amplifier (PA) is the most important circuit in transmitter in mobile communication systems, which is used to convert a DC power into a radio-frequency (RF) signal of significant power to drive the antenna of the transmitter. The PA entails the issues of the output power at output 1-dB gain compression point (OP1dB), saturated output power (Psat), power added efficiency (PAE), output third-order intermodulation intercept points (OIP3), input/output return losses, and power gain. The objective of this book is to introduce the design flow, specifications and circuit design procedure of the commonly used PAs. The design procedure divides into two parts: device characteristics and circuit simulations. Each PA circuit is simulated by the Agilent Advanced Design SystemTM (ADS) simulator which design guide for PA design has been already built.
This book is used in 3 to 4-week Lab course incorporated with ADS design and PA implementation. The book provides a step-by-step design procedure for the PA design. The design flow describes the processes of circuit design. First, we will specify the specifications and make the designed PA to conform the specifications. Meanwhile, we will select the proper device and bias conditions to meet the aforementioned requirement. In the beginning of circuit design, we will check the DC, AC and load-pull analyses of the device by using Agilent ADS simulator. In the DC analysis, we will show the I-V curve to determine the bias point and classes of the PA. In the load-pull analysis, we will use one-tone load-pull simulation to calculate the maximum output power and load impedance. The simulator also shows S-parameters, stability, and Gp circles in the small signal analysis. Then, we will choose and matching networks according to frequency, bandwidth, and gain, etc. The PA should match the output and input impedances to achieve the maximum output power and PAE. Subsequently, the one-tone and two-tone simulations are performed.
In the large signal analysis, we will perform one-tone and two-tone simulations which estimate OP1dB, Psat, PAE, and OIP3. We will find the optimum performance for the requirements of the specifications by careful adjustment of device selection, bias conditions and matching networks. Thus, the circuit design can be completed.
The organization of this book text is as follows: Chapter 1 presents a general the specifications and design flow of PA. Chapter 2 presents categories of PA operation and S-parameter representation. Chapter 3 gives the stability analysis. Chapter 4 introduces Cripps loadline method. Chapter 5 presents the gain and power matching, respectively. Chapter 6 introduces large signal analysis. Chapters 7 to 10 give the design examples of single and two-stage class AB, push-pull class B and class E PA designs.
射頻電路設計核心技術解析:從基礎理論到先進器件應用 圖書簡介 本書旨在為電子工程、通信工程及相關領域的科研人員、工程師及高年級本科生、研究生提供一套全麵、深入且實用的射頻電路設計與係統實現參考。不同於側重特定領域如功率放大器的專著,本書的視野更為廣闊,聚焦於構建高性能射頻(RF)係統所必需的通用原理、關鍵模塊的深入剖析以及前沿工藝技術的應用實踐。 全書內容結構嚴謹,由淺入深,係統地涵蓋瞭從電磁場理論基礎到復雜係統集成所涉及的全部核心技術環節。我們相信,一個紮實的理論基礎是進行任何復雜射頻電路設計的前提,而對實際器件特性的深刻理解則是將理論轉化為可靠産品的關鍵。 --- 第一部分:射頻電路與係統基礎理論 本部分為後續高級內容奠定堅實的理論基石,重點在於建立對射頻現象的精確數學描述和工程直覺。 第一章:微波與射頻基礎迴顧 電磁場與傳輸綫理論的射頻視角: 詳細闡述麥剋斯韋方程組在導波結構(如微帶綫、帶狀綫、共麵波導)中的應用。重點分析TEM波、TE波和TM波的特性,並引入非理想傳輸綫效應,如損耗、色散及非均勻性對信號完整性的影響。 集總參數與分布參數模型的轉換: 探討在不同工作頻率下,電路元件(電阻、電容、電感)的寄生效應如何從集總模型過渡到分布式模型。引入集總化建模的有效頻率範圍判斷標準。 S參數(散射參數)的深入理解: 不僅停留在定義層麵,更側重於S參數的物理意義、測量方法(如使用網絡分析儀)、校準技術(如SOLT、TOSL)及其在係統級鏈路預算中的應用。分析S參數隨頻率、偏置點和溫度的變化特性。 第二章:阻抗匹配與噪聲理論 史密斯圓圖的精妙應用: 深入講解史密斯圓圖在高頻設計中的實際操作技巧,包括如何利用它進行單端口和雙端口網絡的匹配、擴展匹配帶寬的策略(如使用L-C網絡和多級匹配)。 無源網絡設計與優化: 涵蓋無源濾波器(LC諧振、分布式濾波器如腔體和梳狀綫)的理論設計、Butterworth、Chebyshev、Elliptic響應的特性比較及其在實際版圖中的實現考慮。 噪聲理論與低噪聲放大器(LNA)設計基礎: 全麵介紹噪聲因子、有效溫度、信噪比(SNR)的概念。重點解析Friis噪聲公式,並詳細討論如何利用等效電路模型計算噪聲係數,為後續的低噪聲器件設計指明方嚮。 --- 第二部分:關鍵射頻模塊設計與優化 本部分將理論知識轉化為具體的電路設計實踐,覆蓋瞭現代無綫通信係統中最核心的幾個功能模塊。 第三章:低噪聲放大器(LNA)的設計實踐 噪聲匹配與增益-噪聲摺衷: 詳細闡述如何基於噪聲阻抗和傳輸阻抗的聯閤優化,推導齣實現最小噪聲係數($NF_{min}$)的最佳源阻抗。對比不同拓撲結構(如共源、共柵、反饋式LNA)在噪聲、綫性度和輸入阻抗穩定性方麵的優劣。 穩定性分析與工藝考量: 引入$mu$因子和$K$因子分析LNA在寬帶工作下的穩定性問題,並介紹通過反饋元件或結構優化來確保電路穩定性的方法。討論不同半導體工藝(如SiGe, GaAs, CMOS)對LNA性能的製約。 寬帶LNA設計技巧: 探討使用散相元件、耗散性反饋網絡或多核結構來擴展LNA的工作帶寬的技術路綫。 第四章:混頻器與頻率閤成技術 混頻器原理與性能指標: 深入分析乘法器混頻器(倍頻、雙平衡、單平衡)的工作原理,重點剖析混頻器的非綫性失真(三階交調截點IP3)、本振泄漏和插入損耗。 無源混頻器與有源混頻器對比: 詳細對比肖特基二極管混頻器(無源)和晶體管混頻器(有源)在隔離度、噪聲係數和轉換增益上的差異及其適用場景。 鎖相環(PLL)基礎與頻率閤成: 係統介紹壓控振蕩器(VCO)、鑒相器(PD)、電荷泵(CP)和環路濾波器(LF)的單元設計。重點討論如何通過選擇閤適的環路帶寬、相位噪聲模型和分頻器技術,實現滿足特定通信標準(如LTE, 5G NR)的低抖動、低相位噪聲頻率源。 第五章:開關、衰減器與移相器 射頻開關技術: 討論PIN二極管開關和FET開關的結構、導通電阻($R_{on}$)和關斷電容($C_{off}$)對插入損耗和隔離度的影響。介紹如何設計具有良好綫性度的多路復用開關。 可變衰減器(VVA)設計: 側重於設計工作在綫性區間的電阻衰減器和基於PIN二極管的衰減電路,並分析其在寬動態範圍信號調控中的應用。 移相器與波束賦形基礎: 介紹數字控製移相器和模擬移相器的基本原理,如基於傳輸綫的移相技術(如Switched-Line, Branch-line Coupler),為後續的相控陣列前端設計鋪墊。 --- 第三部分:先進工藝、仿真與係統級集成 本部分關注現代射頻設計流程中的關鍵挑戰:高精度建模、集成化趨勢以及係統級性能的驗證。 第六章:高精度器件建模與電磁仿真 非綫性器件模型: 詳細介紹BJT、HEMT和MOSFET在射頻/微波工作點下的精確非綫性模型(如X參數模型、載流子輸運模型)。探討如何通過IV/S參數測量數據對這些模型進行參數提取和驗證。 版圖寄生效應提取與EM仿真: 強調在Sub-6GHz到毫米波頻段,版圖布局的電磁效應不可忽略。介紹使用Momentum、HFSS等工具進行全波電磁仿真(Full-Wave EM Simulation)的方法,包括電感、耦閤綫、封裝引綫電感和接地平麵的建模。 電磁(EM)/電路協同仿真: 闡述如何將EM仿真結果作為修正的S參數或非綫性模型,反饋到電路仿真器(如Spectre RF, ADS Momentum/Harmonic Balance)中進行閉環驗證,以消除設計與製造之間的差距。 第七章:射頻前端(RFFE)係統集成與匹配 濾波器組與多工器設計: 詳細講解如何利用耦閤綫結構(如交指濾波器、共麵波導濾波器)實現高品質因數(Q值)的帶通響應,並介紹如何設計多通道濾波器組和雙工器/三工器,以滿足多頻段共存的需求。 阻抗匹配網絡的寬帶化與魯棒性: 超越單頻點匹配,討論使用廣義匹配理論(如Kurokawa’s theory)和有源匹配技術來應對工藝偏差和負載變化的挑戰。 係統級鏈路預算與收發機架構概述: 總結如何將LNA、混頻器、VCO、PA(非本文重點,但作為係統組成部分提及)的性能指標匯集,進行係統的靈敏度、誤碼率(BER)和動態範圍分析。簡要概述超外差、零IF和低中頻(Low-IF)等主流收發機架構的優缺點。 --- 本書通過結構化的章節安排和深入的工程實例分析,確保讀者不僅理解“如何設計”一個射頻模塊,更能理解“為什麼”采用特定的設計方法和工藝選擇,最終培養齣具備獨立、高效解決復雜射頻係統問題的能力。