具体描述
射频积体电路 (RFIC) 晶片主要可分为功率放大器 (power amplifier)、收发器 (transceiver)、锁相回路 (phase lock loop) 三大部分。目前锁相回路与收发器已逐渐整合于系统晶片 (SoC),剩下的功率放大器成为最后等待整合的圣杯 (Holy Grail)。功率放大器大量使用于手机、Wi-Fi无线区域网路、平板电脑、蓝芽等网通产品,如GSM手机使用1颗,GPRS使用2颗,3G使用4颗、3.5G使用6颗,而WLAN 802.11a、802.11a+g使用1~2颗, 802.11n则增至4~6 颗。随着手持无线通信装置渗透率提升,功率放大器使用量将大幅提升。
本书的目的系提供一功率放大器的设计平台,以帮助设计者透过简单操作步骤,循序渐进地完成设计流程,如分析最佳匹配阻抗、最大输出功率传递、稳定度、匹配网路、大讯号分析、功率增进效率等重要功率放大器设计参数。最后以四个功率放大器实例设计完成验证。
Power amplifier (PA) is the most important circuit in transmitter in mobile communication systems, which is used to convert a DC power into a radio-frequency (RF) signal of significant power to drive the antenna of the transmitter. The PA entails the issues of the output power at output 1-dB gain compression point (OP1dB), saturated output power (Psat), power added efficiency (PAE), output third-order intermodulation intercept points (OIP3), input/output return losses, and power gain. The objective of this book is to introduce the design flow, specifications and circuit design procedure of the commonly used PAs. The design procedure divides into two parts: device characteristics and circuit simulations. Each PA circuit is simulated by the Agilent Advanced Design SystemTM (ADS) simulator which design guide for PA design has been already built.
This book is used in 3 to 4-week Lab course incorporated with ADS design and PA implementation. The book provides a step-by-step design procedure for the PA design. The design flow describes the processes of circuit design. First, we will specify the specifications and make the designed PA to conform the specifications. Meanwhile, we will select the proper device and bias conditions to meet the aforementioned requirement. In the beginning of circuit design, we will check the DC, AC and load-pull analyses of the device by using Agilent ADS simulator. In the DC analysis, we will show the I-V curve to determine the bias point and classes of the PA. In the load-pull analysis, we will use one-tone load-pull simulation to calculate the maximum output power and load impedance. The simulator also shows S-parameters, stability, and Gp circles in the small signal analysis. Then, we will choose and matching networks according to frequency, bandwidth, and gain, etc. The PA should match the output and input impedances to achieve the maximum output power and PAE. Subsequently, the one-tone and two-tone simulations are performed.
In the large signal analysis, we will perform one-tone and two-tone simulations which estimate OP1dB, Psat, PAE, and OIP3. We will find the optimum performance for the requirements of the specifications by careful adjustment of device selection, bias conditions and matching networks. Thus, the circuit design can be completed.
The organization of this book text is as follows: Chapter 1 presents a general the specifications and design flow of PA. Chapter 2 presents categories of PA operation and S-parameter representation. Chapter 3 gives the stability analysis. Chapter 4 introduces Cripps loadline method. Chapter 5 presents the gain and power matching, respectively. Chapter 6 introduces large signal analysis. Chapters 7 to 10 give the design examples of single and two-stage class AB, push-pull class B and class E PA designs.
射频电路设计核心技术解析:从基础理论到先进器件应用 图书简介 本书旨在为电子工程、通信工程及相关领域的科研人员、工程师及高年级本科生、研究生提供一套全面、深入且实用的射频电路设计与系统实现参考。不同于侧重特定领域如功率放大器的专著,本书的视野更为广阔,聚焦于构建高性能射频(RF)系统所必需的通用原理、关键模块的深入剖析以及前沿工艺技术的应用实践。 全书内容结构严谨,由浅入深,系统地涵盖了从电磁场理论基础到复杂系统集成所涉及的全部核心技术环节。我们相信,一个扎实的理论基础是进行任何复杂射频电路设计的前提,而对实际器件特性的深刻理解则是将理论转化为可靠产品的关键。 --- 第一部分:射频电路与系统基础理论 本部分为后续高级内容奠定坚实的理论基石,重点在于建立对射频现象的精确数学描述和工程直觉。 第一章:微波与射频基础回顾 电磁场与传输线理论的射频视角: 详细阐述麦克斯韦方程组在导波结构(如微带线、带状线、共面波导)中的应用。重点分析TEM波、TE波和TM波的特性,并引入非理想传输线效应,如损耗、色散及非均匀性对信号完整性的影响。 集总参数与分布参数模型的转换: 探讨在不同工作频率下,电路元件(电阻、电容、电感)的寄生效应如何从集总模型过渡到分布式模型。引入集总化建模的有效频率范围判断标准。 S参数(散射参数)的深入理解: 不仅停留在定义层面,更侧重于S参数的物理意义、测量方法(如使用网络分析仪)、校准技术(如SOLT、TOSL)及其在系统级链路预算中的应用。分析S参数随频率、偏置点和温度的变化特性。 第二章:阻抗匹配与噪声理论 史密斯圆图的精妙应用: 深入讲解史密斯圆图在高频设计中的实际操作技巧,包括如何利用它进行单端口和双端口网络的匹配、扩展匹配带宽的策略(如使用L-C网络和多级匹配)。 无源网络设计与优化: 涵盖无源滤波器(LC谐振、分布式滤波器如腔体和梳状线)的理论设计、Butterworth、Chebyshev、Elliptic响应的特性比较及其在实际版图中的实现考虑。 噪声理论与低噪声放大器(LNA)设计基础: 全面介绍噪声因子、有效温度、信噪比(SNR)的概念。重点解析Friis噪声公式,并详细讨论如何利用等效电路模型计算噪声系数,为后续的低噪声器件设计指明方向。 --- 第二部分:关键射频模块设计与优化 本部分将理论知识转化为具体的电路设计实践,覆盖了现代无线通信系统中最核心的几个功能模块。 第三章:低噪声放大器(LNA)的设计实践 噪声匹配与增益-噪声折衷: 详细阐述如何基于噪声阻抗和传输阻抗的联合优化,推导出实现最小噪声系数($NF_{min}$)的最佳源阻抗。对比不同拓扑结构(如共源、共栅、反馈式LNA)在噪声、线性度和输入阻抗稳定性方面的优劣。 稳定性分析与工艺考量: 引入$mu$因子和$K$因子分析LNA在宽带工作下的稳定性问题,并介绍通过反馈元件或结构优化来确保电路稳定性的方法。讨论不同半导体工艺(如SiGe, GaAs, CMOS)对LNA性能的制约。 宽带LNA设计技巧: 探讨使用散相元件、耗散性反馈网络或多核结构来扩展LNA的工作带宽的技术路线。 第四章:混频器与频率合成技术 混频器原理与性能指标: 深入分析乘法器混频器(倍频、双平衡、单平衡)的工作原理,重点剖析混频器的非线性失真(三阶交调截点IP3)、本振泄漏和插入损耗。 无源混频器与有源混频器对比: 详细对比肖特基二极管混频器(无源)和晶体管混频器(有源)在隔离度、噪声系数和转换增益上的差异及其适用场景。 锁相环(PLL)基础与频率合成: 系统介绍压控振荡器(VCO)、鉴相器(PD)、电荷泵(CP)和环路滤波器(LF)的单元设计。重点讨论如何通过选择合适的环路带宽、相位噪声模型和分频器技术,实现满足特定通信标准(如LTE, 5G NR)的低抖动、低相位噪声频率源。 第五章:开关、衰减器与移相器 射频开关技术: 讨论PIN二极管开关和FET开关的结构、导通电阻($R_{on}$)和关断电容($C_{off}$)对插入损耗和隔离度的影响。介绍如何设计具有良好线性度的多路复用开关。 可变衰减器(VVA)设计: 侧重于设计工作在线性区间的电阻衰减器和基于PIN二极管的衰减电路,并分析其在宽动态范围信号调控中的应用。 移相器与波束赋形基础: 介绍数字控制移相器和模拟移相器的基本原理,如基于传输线的移相技术(如Switched-Line, Branch-line Coupler),为后续的相控阵列前端设计铺垫。 --- 第三部分:先进工艺、仿真与系统级集成 本部分关注现代射频设计流程中的关键挑战:高精度建模、集成化趋势以及系统级性能的验证。 第六章:高精度器件建模与电磁仿真 非线性器件模型: 详细介绍BJT、HEMT和MOSFET在射频/微波工作点下的精确非线性模型(如X参数模型、载流子输运模型)。探讨如何通过IV/S参数测量数据对这些模型进行参数提取和验证。 版图寄生效应提取与EM仿真: 强调在Sub-6GHz到毫米波频段,版图布局的电磁效应不可忽略。介绍使用Momentum、HFSS等工具进行全波电磁仿真(Full-Wave EM Simulation)的方法,包括电感、耦合线、封装引线电感和接地平面的建模。 电磁(EM)/电路协同仿真: 阐述如何将EM仿真结果作为修正的S参数或非线性模型,反馈到电路仿真器(如Spectre RF, ADS Momentum/Harmonic Balance)中进行闭环验证,以消除设计与制造之间的差距。 第七章:射频前端(RFFE)系统集成与匹配 滤波器组与多工器设计: 详细讲解如何利用耦合线结构(如交指滤波器、共面波导滤波器)实现高品质因数(Q值)的带通响应,并介绍如何设计多通道滤波器组和双工器/三工器,以满足多频段共存的需求。 阻抗匹配网络的宽带化与鲁棒性: 超越单频点匹配,讨论使用广义匹配理论(如Kurokawa’s theory)和有源匹配技术来应对工艺偏差和负载变化的挑战。 系统级链路预算与收发机架构概述: 总结如何将LNA、混频器、VCO、PA(非本文重点,但作为系统组成部分提及)的性能指标汇集,进行系统的灵敏度、误码率(BER)和动态范围分析。简要概述超外差、零IF和低中频(Low-IF)等主流收发机架构的优缺点。 --- 本书通过结构化的章节安排和深入的工程实例分析,确保读者不仅理解“如何设计”一个射频模块,更能理解“为什么”采用特定的设计方法和工艺选择,最终培养出具备独立、高效解决复杂射频系统问题的能力。