VLSI概论(第六版)

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具体描述

本书循序渐进介绍VLSI的设计方法与技巧,全书共分为两个部份,第一部份共八章,其内容包括1.MOS元件特性,2.CMOS的制成技巧,3.MOS的基本电路介绍,4.电路性能分析,5.CMOS电路设计,6.积体电路设计与佈侷方法,7.低功率与可测试性电路设计,8.子电路系统设计;第二部份则是介绍思源科技所开发的佈侷工具Laker并让读者熟悉EDAI工具操作,接着就是针对TANNER做介绍,提供读者可以进行一个设计计划与学习的机会。本书适合大学、科大电子、资工科系「超大型积体电路设计」、「VLSI概论」等课程或业界相关人士及有兴趣之读者使用。
 

著者信息

图书目录

第一部份 VLSI设计原理与系统设计

第一章 VLSI与MOS元件 1-1
1.1 前言 1-2
1.1-1 积体电路的发展 1-2
1.1-2 积体电路制作技术简介 1-4
1.2 加强型MOS 1-6
1.2-1 nMOS 1-7
1.2-2 pMOS 1-9
1.3 互补式MOS(CMOS) 1-11
1.4 体效应(Body Effect) 1-12
1.5 Latch-Up 1-14
1.6 临限电压 1-16
1.7 小结(Summary) 1-16
1.8 习题 1-17

第二 章 CMOS制程技术 2-1
2.1 积体电路基本制程技术 2-2
2.1-1 掺杂技术(dopping) 2-3
2.1.2 氧化技术(oxidation) 2-4
2.1-3 累晶技术(epitaxial) 2-5
2.1-4 蚀刻技术(etching) 2-6
2.1-5 其他相关技术 2-9
2.2 CMOS制程技术 2-9
2.2-1 P型阱CMOS技术 2-10
2.2-2 N型阱CMOS技术 2-14
2.3 设计规则(design rule) 2-15
2.4 良率(yield) 2-20
2.5 小结(Summary) 2-22
2.6 习题 2-23

第 三章 MOS基本电路介绍 3-1
3.1 当开关使用的MOS 3-2
3.2 MOS基本逻辑电路 3-5
3.2-1 反相器(inverter) 3-5
3.2-2 反及闸(NAND gate) 3-8
3.2-3 反或闸(NOR gate) 3-10
3.2-4 复合逻辑电路(Compound logic gate) 3-12
3.2-5 多工器 3-16
3.2-6 记忆单元 3-18
3.3 实际电路考虑的问题 3-19
3.3-1 驱动较大负载的电路 3-20
3.3-2 电子移转现象(Electromigration) 3-25
3.3-3 接线电容进一步的考虑 3-26
3.4 小结(Summary) 3-27
3.5 习题 3-28

第 四章 电路性能分析 4-1
4.1 电阻估算 4-2
4.1-1 通道电阻(channel resistance) 4-3
4-1.2 非长方形物质的电阻值 4-4
4.2 电容估算 4-5
4.2-1 闸极电容 4-6
4.2-2 扩散层电容 4-7
4.2-3 其他电容 4-9
4.2-4 导线长度的限制 4-12
4.3 延迟时间(delay time) 4-13
4.3-1 上升时间(rise time) 4-16
4.3-2 下降时间(fall time) 4-17
4.3-3 电晶体尺寸大小 4-18
4.3-4 时间延迟的估算 4-19
4.4 直流转移曲线 4-22
4.4-1 杂讯边限(noise margin) 4-25
4.5 功率消耗(power dissipation) 4-28
4.5-1 静态功率消耗 4-29
4.5-2 动态功率消耗 4-31
4.6 CMOS和nMOS的比较 4-33
4.7 小结(Summary) 4-34
4.8 习题 4-35

第五 章 CMOS电路设计 5-1
5.1 逻辑电路设计 5-2
5.1-1 时脉静态逻辑(clocked static logic) 5-2
5.1-2 动态CMOS逻辑(Dynamic CMOS logic) 5-12
5.1-3 CMOS骨牌逻辑(CMOS domino logic) 5-20
5.1-4 管线式电路(pipeline circuit) 5-24
5.2 设计时考虑的要件 5-25
5.2-1 电晶体的尺寸大小 5-26
5-2.2 逻辑闸的输入个数 5-27
5.2-3 汲极与源极电容 5-30
5.3 输出输入电路结构(I/O PAD structure) 5-32
5.3-1 整体架构 5-33
5.3-2 VDD和VSS PADs 5-35
5.3-3 输出PAD(output PAD) 5-35
5.3-4 输入PAD(input PAD) 5-36
5.3-5 三态PAD(tri-state PAD) 5-38
5.3-6 双向PAD(bidirectional PAD) 5-40
5.4 一些特殊CMOS电路 5-41
5-4.1 虚拟NMOS(Pseudo NMOS) 5-41
5.4-2 传输逻辑(Pass transistor logic) 5-43
5.4-3 差分开关逻辑(Differential cascode
voltage switch logic) 5-46
5.5 各种逻辑电路比较 5-49
5.6 小结(Summary) 5-51
5.7 习题 5-51

第六 章 积体电路设计与佈局方法 6-1
6.1 佈局法 6-2
6.2 光罩与条形图 6-3
6.2-1 从条形图到佈局图 6-6
6.2-2 基本逻辑电路佈局图 6-11
6.2-3 佈局时应注意的问题 6-20
6.3 设计方式 6-25
6.3-1 结构化设计 6-26
6.3-2 闸阵列(gate array)设计 6-28
6.3-3 标准单元(standard cell)设计 6-31
6.3-4 全定制(full custom)设计 6-33
6.3-5 以上三种设计方式的比较 6-34
6.3-6 可程式逻辑阵列(PLA)设计 6-35
6.4 设计者的工具箱 6-41
6.4-1 逻辑层次(logical level) 6-42
6.4-2 开关层次(switch level) 6-42
6.4-3 时序层次(timing level) 6-43
6.4-4 电路层次(circuit level) 6-43
6.4-5 电路图编辑器(Schematic Editor) 6-44
6.4-6 佈局图编辑器(Layout Editor) 6-44
6.5 小结(Summary) 6-45
6.6 习题 6-46

第 七章 低功率电路设计与可测试性电路设计 7-1
7.1 低功率电路设计 7-2
7.1-1 各种功率的消耗 7-2
7.1-2 低功率电路设计的方向 7-5
7.1-3 低功率电路设计的电路结构 7-10
7.2 可测试性电路设计 7-16
7.2-1 错误模型(fault model) 7-17
7.2-2 测试样本的产生 7-22
7.2-3 可测试性(testability) 7-25
7.2-4 扫瞄设计(scan design) 7-28
7.2-5 周边扫瞄标准 7-30
7.2-6 Scan设计的实践与问题 7-34
7.3 小结(Summary) 7-38
7.4 习题 7-39

第 八章 子电路系统设计 8-1
8.1 加法器 8-3
8.1-1 进位涟波加法器 8-7
8.1-2 进位涟波加/减法器 8-8
8.1-3 先行进位加法器(carry look-ahead adder) 8-10
8.1-4 曼彻司特进位鍊加法器(manchester carry chain
adder) 8-15
8.2 乘法器 8-17
8.2-1 平行乘法器(parallel multiplier) 8-18
8.2-2 草上飞乘法器(on-the-fly multiplier) 8-20
8.2-3 管线式乘法器(pipeline multiplier) 8-24
8.3 计数器 8-29
8.3-1 非同步计数器 8-30
8.3-2 同步计数器 8-31
8.4 记忆体 8-33
8.4-1 RAM 8-33
8.4-2 ROM 8-37
8.5 小结(Summary) 8-39
8.6 习题 8-39

第二部份 EDA工具介绍

第 九章 Laker简介 9-1
9.1 关于Laker 9-2
9.2 设计元件库与资料库 9-3
9.3 高性能佈局编辑器 9-3
9.4 Logic Browsing 9-4
9.5 电晶体摆放器 9-5
9.6 Magic CellTM(MCell) 9-5
9.7 连结取向的佈局 9-6
9.8 点对点的绕线器 9-6
9.9 佈局规则取向的编辑 9-7
9.10 客制化的平面规划器 9-7
9.11 互动式DRC 9-8

第十章 使用者介面 10-1
10.1 简介 10-2
10.2 使用者介面功能 10-2
10.3 Laker主视窗 10-3
10.4 Laker设计视窗 10-4
10.5 Laker物件选择方法 10-12

第十一章 快速使用Laker 11-1
11.1 简介 11-2
11.2 输入设计 11-2
11.3 设计规则驱策的佈局 11-4
11.4 Magic Cell操作 11-9
11.5 电晶体的串接与摆放 11-12
11.6 整合佈局自动化 11-18
11.7 佈线连接 11-20
11.8 设计验证 11-27

第十二章 Tanner Tools Pro简介 12-1
12.1 Tanner的设计流程 12-2
12.2 Tanner Tools Pro在IC设计流程上的地位 12-5
12.3 Tanner Tools Pro包含的软体 12-9
1.-4 系统需求 12-10

第十三章 S-Edit 13-1
13.1 S-Edit的视窗介绍 13-2
13.2 S-Edit的档案结构 13-8
13.3 S-Edit设定 13-10
13.4 开始进行设计 13-15
13.5 编辑与绘制 13-26
13.6 电路的联结 13-33
13.7 属性与电路档案 13-39
13.8 例子导引 13-46
13.9 练习 13-60
13.10 计划 13-61

第十四章 L-Edit与LVS 14-1
14.1 L-Edit的视窗介绍 14-2
14.2 L-Edit设定 14-7
14.3 档案与细胞(cells) 14-23
14.4 佈局 14-35
14.5 寻找与编辑 14-43
14.6 产生层次(generate layers) 14-47
14.7 剖面图(cross-section viewer) 14-50
14.8 例子导引 14-53
14.9 DRC、EXT、SPR与LVS 14-56
14.10 DRC 14-57
14.11 EXT 14-59
14.12 SPR 14-65
14.13 CIF与GDSII档案的转入与转出 14-70
14.14 Lab:SPR的使用 14-72
14.15 LVS 14-77
14.16 练习 14-84
14.17 计划 14-85

第十五章 T-Spice与W-Edit 15-1
15.1 T-Spice的视窗介绍 15-2
15.2 T-Spice命令工具 15-4
15.3 W -Edit 15-33
15.4 W-Edit的视窗介绍 15-33
15.5 练习 15-43

第十六章 Lab:四位元加法器 16-1
16.1 基本单元电路的设计与模拟 16-2
16.2 基本单元的佈局与验证 16-13
16-3 较大区块电路的验证 16-17
16.4 整个系统的验证 16-19
16.5 整个系统的佈局与验证 16-20
16.6 结论 16-25

附 录 教育性晶片 附-1
数位积体电路 附-2
类比积体电路 附-4
备註 附-7
参考文献 参-1
 

图书序言

图书试读

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