數位邏輯閘如何用電晶體實現 (電子書)

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李家同
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具体描述

  專門為資訊系學生寫的電晶體類比電路。
  電腦的最低層都是由電晶體和其他元件所構成,身為資訊系學生,一定要了解的知識!

  大家都知道電腦內部的線路都是所謂的數位電路,也就是說,電路的元件是一些AND gate、OR gate等等,但是如果打開任何一個晶片,裡面的元件卻是電晶體、電阻、電容等等。換言之,任何一個數位電路都要被轉換成一個由電晶體、電阻、電容等元件的電路,這種電路就是類比電路。

  很多同學都對類比電路感到害怕,資訊系同學更是如此,因為他們不太熟悉電晶體。

  雖然類比電路不容易學,但是由數位電路對應的類比電路卻是很容易理解的,因此我們決定寫下這本書,使很多資訊系同學能夠對類比電路多一些了解。

  在這本書中,我們將很多專有名詞保持英文版,道理很簡單,同學們應該盡量多懂英文,在職場中,科技名詞仍是用英文的。

  這本書是為了資訊系的學生寫的,的確資訊系的學生不可能搞懂類比電路,但是讀了這本書,相信大家會比較了解電腦的最低層是怎麼一回事,因為電腦的最低層都是由電晶體和其他元件所構成的。資訊系的學生總不能完全不了解一個電腦的最低層吧!

 
电子工程基础与前沿技术概览:深入理解现代电子系统的底层构建 本书系精选的电子工程领域权威著作集萃,旨在为读者构建一个全面、深入且具有前瞻性的电子系统认知框架。内容涵盖从最基础的半导体物理学原理,到复杂集成电路的设计与制造工艺,再到新兴的计算范式与器件技术。本书不涉及特定逻辑门电路的晶体管级实现细节,而是聚焦于支撑这些实现的宏观理论、设计方法论及其在实际工程中的应用与挑战。 --- 第一部分:半导体物理与器件基础的再审视 本部分着重于对构成现代电子系统的核心材料——半导体的内在特性进行深入剖析。我们抛开了对单一逻辑单元实现的具体关注,转而探讨支撑所有电子器件工作的基础物理机制。 1.1 固态物理基础与能带理论的工程化视角 我们将详尽阐述晶体结构、周期性势场下的电子行为,以及能带理论如何精确地描述导体、绝缘体和半导体的根本区别。重点在于费米能级、有效质量、载流子输运机理(漂移与扩散)在不同温度和掺杂条件下的动态变化。这为理解任何半导体器件的宏观I-V特性提供了坚实的理论基石。 1.2 PN结的建立与特性分析 对PN结的构建过程、内建电场、耗尽区宽度、以及势垒高度的形成机制进行细致的数学建模与物理图像的构建。书中将详细分析在不同偏置条件下(零偏、正偏、反偏)的电流-电压特性曲线,特别是雪崩击穿和齐纳击穿的物理机制,这对于设计高可靠性电路至关重要。 1.3 晶体管的基本工作原理:超越开关功能 本章将核心探讨双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET,特别是MOSFET)的物理结构和基本工作模式。我们深入分析载流子注入、空间电荷区调制、跨导、输出电阻等关键参数的物理来源。重点将放在如何利用这些器件的线性放大区特性,以及如何通过精确控制栅极电压实现对电流的有效调控,而非仅仅将其视为理想的开关元件。 --- 第二部分:模拟电路设计与信号调理 电子系统的大部分物理交互依赖于连续的模拟信号处理。本部分系统性地介绍了设计高性能模拟电路所需的理论工具和设计流程。 2.1 晶体管级的小信号模型与等效电路 详细推导和应用不同工作状态下BJT和MOSFET的小信号模型(如$pi$模型、$r_e$模型,以及高频下的混合$pi$模型)。书中提供了如何从物理结构参数(如结电容、本征增益)精确推导出这些模型的实用方法。 2.2 放大器基础:偏置、增益与频率响应 系统性地讲解共源、共集、共基(及对应BJT结构)放大电路的静态偏置设计(如使用电流源和电压源),并精确计算其电压增益、电流增益和输入/输出阻抗。随后,深入分析频率响应,包括跨越频率(Corner Frequencies)的计算,以及利用伯德图(Bode Plot)进行相位裕度和带宽评估的工程实践。 2.3 反馈理论与稳定性分析 反馈是所有高性能模拟电路的核心。本书详细介绍了负反馈的四种基本组态(串-串、串-并、并-串、并-并),并应用波特分析法(Bode Analysis)和根轨迹法(Root Locus)来评估电路的稳定裕度、闭环增益与失真度的改善效果。 2.4 运算放大器的深度剖析 从理想运算放大器的特性出发,逐步过渡到基于晶体管的实际运算放大器结构(如双极性输入级、推挽输出级)。重点分析多级放大器中的失配、噪声源的建模(热噪声、闪烁噪声),以及如何设计高共模抑制比(CMRR)和高电源抑制比(PSRR)的电路。 --- 第三部分:数字系统架构与集成电路制造工艺 本部分将视野提升到系统层面,探讨如何将基础器件组织成复杂的数字系统,并了解支撑这一切的物理实现环境。 3.1 VLSI设计方法学导论 介绍超大规模集成电路(VLSI)的设计流程,从系统级规格定义、算法映射到逻辑综合、布局规划(Floorplanning)和时序分析。重点强调设计规划中的功耗、面积和性能(PPA)之间的权衡。 3.2 互连线延迟与时序约束 在现代工艺节点中,互连线的延迟(RC延迟)往往超过了器件本身的延迟。本书详细分析了传输线效应、串扰(Crosstalk)的建模,以及如何运用SPICE等工具进行静态时序分析(STA),确保系统在指定时钟频率下正确同步运行。 3.3 先进半导体制造工艺概述 提供对现代半导体制造流程的宏观认知,包括光刻技术(从i线到EUV)、薄膜沉积(CVD/PVD)、掺杂(离子注入)和刻蚀工艺(干法与湿法)。解释了这些工艺参数如何直接影响到器件的电学性能和可靠性(如晶体管的阈值电压控制)。 3.4 存储器技术概览 除了逻辑功能,存储器是数字系统的关键组成部分。本章将对比分析不同类型的存储技术,如静态随机存取存储器(SRAM)的基本单元设计、动态随机存取存储器(DRAM)的刷新机制和读写操作,以及非易失性存储器(如Flash)的工作原理和可靠性挑战。 --- 第四部分:前沿计算范式与器件集成挑战 本部分展望了超越传统CMOS技术边界的未来电子系统构建方向,探讨了如何应对摩尔定律放缓带来的挑战。 4.1 低功耗与亚阈值电路设计 随着电源电压的降低,晶体管工作在亚阈值区成为提升能效的趋势。书中讨论了亚阈值电路的特殊挑战,例如更严重的工艺变异性、降低的跨导,以及如何应用近似计算(Approximate Computing)技术来换取功耗的进一步降低。 4.2 异构集成与系统级封装(SiP) 介绍将不同功能模块(如CPU、GPU、存储器、模拟射频前端)在同一封装内集成的新趋势。详细分析了3D堆叠技术(如TSV——穿透式硅通孔)在缩短互连延迟、提高系统带宽方面的优势与工艺难点。 4.3 新型晶体管结构探索 讨论了传统平面MOSFET的物理极限,并系统性地介绍了为克服这些限制而提出的新型器件结构,例如鳍式场效应晶体管(FinFET)的电场控制优势,以及探索中的平面隧道场效应晶体管(TFET)在实现陡峭亚阈值摆幅(SS)方面的潜力。 4.4 噪声、可靠性与可制造性设计(DfM) 分析在先进工艺节点下,工艺变化(Process Variation)对电路性能的显著影响。重点讨论如何通过冗余设计、片上测试(OBIST/MBIST)和错误纠正码(ECC)来提升系统可靠性,并将设计规则(DRC)纳入初始设计阶段,以确保设计的可制造性。 --- 本书结构紧凑,理论深度与工程实践相结合,为电子工程专业的学生、研发工程师以及致力于理解现代电子设备复杂性的技术人员,提供了一套从底层物理到系统架构的完整知识体系。

著者信息

作者簡介

李家同


  現為國立清華大學鈺寶科技榮譽講座教授。
  國立臺灣大學電機工程學系學士,美國加州大學柏克萊校區電機及計算機博士。
  曾任靜宜大學校長、暨南大學校長、清華大學代理校長,以及總統府無給職資政等。
  研究領域為符號邏輯、演算法設計分析、生物計算、生物資訊等。
  曾獲得許多獎項的肯定,包括科技部連續五屆傑出研究獎、教育部工科部學術獎、侯金堆傑出榮譽獎等,同時也是美國電機電子學會榮譽會員。

侯冠維

  現為瑞昱半導體工程師。
  國立清華大學電機工程學系學士、碩士。曾任旺宏電子股份有限公司主任工程師。專長為積體電路設計與測試、半導體記憶體測試、可測性設計。
 

图书目录


第一章  電路的開關
第二章  NMOS電晶體
第三章  PMOS電晶體
第四章  CMOS和反向器
第五章  NAND Gate(反及閘)
第六章  NOR Gate(反或閘)
第七章  AND Gate(及閘)
第八章  OR Gate(或閘)
第九章  XOR Gate(互斥或閘)
第十章  Latch(閂鎖器)
第十一章  Flip Flop(正反器)
第十二章  Multiplexer(多工器)
第十三章  Decoder(解碼器)
第十四章  Matching(比對)
第十五章  Adder(加法器)

 

图书序言

  • ISBN:9789570872095
  • EISBN:9789570872323
  • 規格:普通級 / 初版
  • 出版地:台灣
  • 檔案格式:EPUB固定版型
  • 建議閱讀裝置:平板
  • TTS語音朗讀功能:無
  • 檔案大小:31.4MB

图书试读

用户评价

评分

这本书的排版和图示是其另一大亮点。在处理复杂的电路图和时序波形时,制作者显然下了不少功夫,线条清晰,标注准确,即便是面对多层的MOS管结构,也能迅速定位关键路径。很多关键概念的解释都配有精心绘制的示意图,这些图示的逻辑性极强,常常只需要看图就能理解文字描述的复杂原理。这种视觉辅助极大地降低了理解门槛,尤其是在讨论电路的动态特性和竞争冒险(Race Condition)时,图示的作用无可替代。总而言之,这是一本从内容深度、广度,到外在呈现质量都达到顶尖水准的专业书籍,对于所有想深入了解数字电路底层奥秘的人来说,都是一次物超所值的阅读体验。

评分

这本书在理论与实践的结合点上找到了一个绝妙的平衡。许多关于逻辑功能实现的讨论,都紧密围绕着最小化的器件数量和最优化的性能指标展开。作者对于如何选择合适的晶体管尺寸、如何处理输入端的负载效应等细节问题的处理,展现了极高的专业素养。特别是他对不同工艺节点的演变对基本逻辑单元带来的影响的探讨,让我对半导体技术的发展脉络有了更宏观的认识。读完之后,我感觉自己对“数字”这个抽象概念背后的物理实在有了更坚实的把握,不再满足于将逻辑门视为黑盒子,而是真正理解了电流是如何在硅片上奔腾,从而实现“0”和“1”的转换。

评分

这本书的封面设计得非常有吸引力,那种复古与现代交织的风格,一下子就抓住了我的眼球。当我翻开第一页,那种厚重而又清晰的排版风格,让我感觉自己仿佛进入了一个充满探索精神的实验室。作者在行文过程中,那种对基础概念的梳理,简直是教科书级别的严谨,但又不失生动活泼。特别是对于那些初次接触数字电路的读者,很多复杂的理论经过他深入浅出的阐述,变得异常直观易懂。我记得其中有一段讲到CMOS结构时,他用了一个非常巧妙的比喻,瞬间打通了我之前一直困惑的逻辑关系。这本书的价值,不仅仅在于知识的传授,更在于它激发了一种“动手去做”的渴望,让人忍不住想要拿起烙铁,验证书中的每一个公式和每一个设计。读完前几章,我就已经迫不及待地想去搭建一个简单的触发器模型了。

评分

作为一本技术专著,它的可读性竟然达到了如此高的水准,这实在难得。作者的叙事节奏掌控得非常好,他知道什么时候该放慢脚步详细讲解原理,什么时候又该迅速推进到更高级的应用。文字风格上,时而如同一个严谨的教授在做学术报告,逻辑链条清晰无懈可击;时而又像一个经验丰富的工程师在分享“独门秘籍”,充满了实战智慧和技巧提示。这种风格的切换非常自然,使得长时间阅读也不会感到枯燥乏味。我喜欢它在章节末尾设置的那种“思考题”,它们往往不是简单的知识点回顾,而是需要综合运用前面所学知识进行设计和分析的开放性问题,极大地锻炼了读者的独立思考能力。

评分

这本书的深度和广度都超出了我的预期,它绝非市面上那些浅尝辄止的入门读物可比。作者在处理具体电路实现时,那种对晶体管特性的深刻理解,简直令人叹为观止。他没有停留在理想化的开关模型上,而是深入到了亚阈值导通、栅氧厚度等实际制造中会遇到的诸多非理想因素对逻辑功能的影响。这种对“真实世界”电路行为的关注,使得这本书对于正在从事或计划从事集成电路设计领域的朋友来说,简直就是一本宝典。我尤其欣赏作者对于不同逻辑家族(比如TTL和CMOS)的优缺点对比分析,那种细致入微的比较,完全体现了作者丰富的工程实践经验。阅读过程中,我数次停下来,反复琢磨那些涉及到功耗和速度权衡的章节,每一次重读都能发现新的理解层次。

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