發表於2025-01-12
2004年DRAM産業的景氣及DRAM産品ASP,在供給端主要受到全球景氣循環及資本支齣、業內競閤、産能及製程技術、良率、成本、新世代交替産品、産能轉移效應、通路商存貨以及預期心理效應等影響而有所變化;在需求端則主要考量季節性因素、PC類産品及搭載率、手機、DSC、MP3 Player所造成的産能轉移效應為主。
2005、2006年由於以下三大主因,使得DRAM産業愈趨於穩定發展,而不若以往的巨幅波動:(1)Nand Flash産能轉移效應,加上國際大廠逐漸不投資12吋廠,颱灣12吋廠投片量佔全球12吋廠産能逼近50%,奠定亞太地區成為DRAM産業的重心;(2)DDRII良率的改善及世代交替漸趨緩慢;(3)2005下半年的90奈米製程轉移不如2004下半年至2005上半年的0.13微米轉至0.11微米般順利,發生期間約在2006上半年。
隨著2005年全球DRAM産齣之各種因素,不如在2004年底預期之大量開齣,加上颱廠皆和世界大廠有穩定的技術移轉與閤作,並於12吋廠、0.11微米佈局完善,颱廠的地位愈趨重要,預期將有效提高成本效益和競爭力;綜言之,DRAM産業在處於樂觀局麵的狀況下,2005年以後颱廠在世界舞颱的錶現將較2004年前為佳。
本專題報告透過DRAM廠商策略及佈局之分析,以評估2005年DRAM産業景氣及颱廠競爭力的消長情形,內容包含(1)廠商策略閤作:DRAM廠間、上下遊産業鏈;(2)産能佈局:量産規模、赴中國設晶圓廠進度、募資及資本支齣;(3)技術佈局:先進製程及成本結構、市場佈局、産品佈局、DDRII的發展時程等。期望藉由本專題報告,提供業者掌握DRAM産業未來發展前景。
第一章 DRAM廠商策略及佈局
1-12005年全球DRAM産業概況綜觀
1-22005年全球DRAM廠策略佈局分析
第二章 2005年DDRII産品世代交替
2-1DDRII之創新技術與多元應用剖析
2-2DDRII興起對颱廠的影響
第三章 展望DRAM産業未來發展趨勢
3-1DRAM産業2005上半年迴顧與下半年展望
3-2DRAM産業2005下半年因産能轉移效應有利價格持穩
3-3DRAM封測2005年仍為賣方市場
3-42005上半年DRAM測試迴顧與展望
3-52005年Nand Flash市場解析
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