具体描述
2004年DRAM产业的景气及DRAM产品ASP，在供给端主要受到全球景气循环及资本支出、业内竞合、产能及制程技术、良率、成本、新世代交替产品、产能转移效应、通路商存货以及预期心理效应等影响而有所变化；在需求端则主要考量季节性因素、PC类产品及搭载率、手机、DSC、MP3 Player所造成的产能转移效应为主。
2005、2006年由于以下三大主因，使得DRAM产业愈趋于稳定发展，而不若以往的巨幅波动：（1）Nand Flash产能转移效应，加上国际大厂逐渐不投资12吋厂，台湾12吋厂投片量佔全球12吋厂产能逼近50%，奠定亚太地区成为DRAM产业的重心；（2）DDRII良率的改善及世代交替渐趋缓慢；（3）2005下半年的90奈米制程转移不如2004下半年至2005上半年的0.13微米转至0.11微米般顺利，发生期间约在2006上半年。
随着2005年全球DRAM产出之各种因素，不如在2004年底预期之大量开出，加上台厂皆和世界大厂有稳定的技术移转与合作，并于12吋厂、0.11微米佈局完善，台厂的地位愈趋重要，预期将有效提高成本效益和竞争力；综言之，DRAM产业在处于乐观局面的状况下，2005年以后台厂在世界舞台的表现将较2004年前为佳。
本专题报告透过DRAM厂商策略及佈局之分析，以评估2005年DRAM产业景气及台厂竞争力的消长情形，内容包含（1）厂商策略合作：DRAM厂间、上下游产业链；（2）产能佈局：量产规模、赴中国设晶圆厂进度、募资及资本支出；（3）技术佈局：先进制程及成本结构、市场佈局、产品佈局、DDRII的发展时程等。期望借由本专题报告，提供业者掌握DRAM产业未来发展前景。
著者信息
图书目录
第一章 DRAM厂商策略及佈局
1-12005年全球DRAM产业概况综观
1-22005年全球DRAM厂策略佈局分析
第二章 2005年DDRII产品世代交替
2-1DDRII之创新技术与多元应用剖析
2-2DDRII兴起对台厂的影响
第三章 展望DRAM产业未来发展趋势
3-1DRAM产业2005上半年回顾与下半年展望
3-2DRAM产业2005下半年因产能转移效应有利价格持稳
3-3DRAM封测2005年仍为卖方市场
3-42005上半年DRAM测试回顾与展望
3-52005年Nand Flash市场解析
图书序言
图书试读
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