電子學(進階分析)  (電子書)

電子學(進階分析)  (電子書) pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

林奎至
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具體描述

  本書以作者多年教學經驗,配閤淺顯易懂的文字和圖形的描述編撰而成,對於重要觀念及公式,善用問答的方式陳述,加強研讀時的吸收與想像。各章皆以學習流程圖及生活化短文,啟發學習興趣、確立學習目標,內容節選重要定理及觀念,以中、英語對照的方式呈現,建立課堂雙語互動,並收錄豐富且經典的題型及各校入學考題,有效驗證學習成果;全書共分成「基礎概念」、「進階分析」兩冊,適用於大學及科大之電子、電機、資工係「電子學」課程。

本書特色

  1.每章皆以學習流程圖歸納重點、確立學習目標。
  2.每章前皆設計「生活電子學」短文,以生活、歷史為喻說明電子專業,啟發學習興趣。
  3.每章皆節選重要定理、觀念,以中、英語對照呈現,活絡雙語學習的潛力。
  4.本書以簡單扼要的方式闡述觀念,定理推導有條理且詳盡。
  5.本書收錄豐富的例題及習題,且精選近十所大專校院研究所入學考題、公務員高考考題,有效驗證學習成果。
電子技術基礎與前沿:從原理到實踐的深度探索 本書旨在為讀者提供一個全麵而深入的電子技術學習路徑,涵蓋瞭從最基礎的半導體物理原理到現代先進電路設計與應用的全景圖。我們聚焦於理論的嚴謹性與實踐操作的緊密結閤,引導讀者不僅理解“是什麼”,更能洞察“為什麼”以及“如何做”。 第一部分:半導體器件的微觀世界與宏觀錶現 本部分將帶領讀者走進半導體材料的本質,理解其獨特的電學特性如何成為現代電子學的基石。 第一章:半導體物理基礎 能帶理論的精要重述: 從晶格結構齣發,詳細闡述瞭導體、絕緣體和半導體的能帶差異。重點解析瞭費米能級、本徵載流子濃度以及有效質量的概念,為後續器件分析奠定理論基礎。 雜質與摻雜效應: 深入討論瞭N型和P型半導體的形成機製。通過定量分析外加雜質對載流子濃度的影響,解釋瞭少數載流子和多數載流子的輸運行為。 載流子的輸運機製: 詳細剖析瞭漂移(Drift)和擴散(Diffusion)電流的物理過程。引入瞭擴散長度、載流子壽命等關鍵參數,並利用愛因斯坦關係式(Einstein Relation)將遷移率與擴散係數聯係起來,為PN結的建立提供瞭動力學基礎。 第二章:PN結的建立與基本特性 平衡態下的能帶彎麯: 精確推導瞭PN結在熱平衡狀態下內建電場的形成過程,以及空間電荷區(耗盡層)的寬度與摻雜濃度的關係。 二極管的伏安特性: 基於少子注入理論,詳細推導瞭著名的肖特基(Shockley)二極管方程。隨後,分析瞭在高注入、低溫等非理想條件下的修正模型,並探討瞭結電容(過渡電容和擴散電容)的頻率響應特性。 特殊二極管的應用: 介紹並分析瞭齊納二極管的擊穿機製及其在穩壓電路中的應用;闡述瞭光電二極管、發光二極管(LED)和激光二極管(LD)的光電轉換原理和器件結構。 第三章:BJT:電流控製的藝術 雙極性結型晶體管(BJT)的結構與工作原理: 深入剖析瞭NPN和PNP晶體管的幾何結構,重點闡述瞭Ebers-Moll模型和混閤$pi$模型的基礎。 晶體管的工作區分析: 詳細區分瞭截止區、放大區、正嚮有源區和飽和區的物理機製。在有源區,通過對不同區域內電場和載流子流動的分析,推導齣$eta$(電流放大係數)的物理意義及其限製因素。 小信號模型與頻率響應: 構建瞭高頻下考慮集電極反饋效應(米勒效應)的混閤$pi$模型,並分析瞭晶體管的轉摺頻率($f_T$)和最大振蕩頻率($f_{max}$),指導讀者理解和優化高頻電路設計。 第二部分:場效應與集成電路基礎 本部分將焦點轉嚮瞭電流控製電壓的器件——場效應晶體管(FET),並引入大規模集成電路(LSI)的設計哲學。 第四章:MOSFET:現代電路的核心 MOS結構與跨導機製: 詳盡描述瞭MOS電容器的工作原理,包括歐姆區、弱反型區和強反型區的形成。推導瞭理想MOS晶體管(NMOS/PMOS)的輸齣特性麯綫。 小信號模型與參數提取: 介紹瞭運用於交流分析的跨導模型,並深入探討瞭溝道長度調製效應、亞閾值導通(Subthreshold Conduction)對低功耗設計的影響。 CMOS器件的工藝挑戰: 探討瞭短溝道效應(如DIBL、漏緻勢壘降低)對現代納米級MOSFET性能的影響,以及背柵效應(Body Effect)在CMOS電路中的錶現。 第五章:放大電路的基本構建塊 偏置電路與工作點確定: 學習設計穩定的晶體管偏置電路(如分壓器偏置、發射極反饋偏置),確保放大器工作在最佳綫性區域。 單級放大器的分析: 詳細分析瞭共源極、共基極、共集電極以及BJT的共射極、共基極、共集電極等基本組態的電壓增益、輸入阻抗和輸齣阻抗。 負反饋理論的應用: 引入反饋的基本拓撲結構(串聯、並聯),推導反饋對增益、帶寬、輸入/輸齣阻抗的影響。利用波特圖分析反饋係統的穩定裕度。 第六章:集成電路中的關鍵模塊 電流鏡與有源負載: 深入研究電流鏡電路(包括鏡像電流源和精度改進型電流鏡)的工作原理,理解其在集成電路中提供精確參考電流的作用。 差分放大器(Diff Amp): 詳細分析差分對的結構,推導其共模抑製比(CMRR)和差模增益,這是構建高性能運算放大器的基石。 運算放大器(Op-Amp)的結構與性能指標: 分析雙極性輸入級和CMOS輸入級的內部結構,深入解析輸入失調電壓、開環增益、單位增益帶寬(GBW)和壓擺率(Slew Rate)等關鍵參數的物理成因。 第三部分:信號處理與係統集成 本部分將視角從單個器件拓展到信號的有效處理,涉及濾波器設計和高級係統的概念。 第七章:頻率選擇性電路設計 基本網絡理論迴顧: 復習網絡函數、極點和零點的概念,理解它們如何決定係統的頻率響應。 有源濾波器設計: 專注於使用運放和RC網絡實現高通、低通、帶通和帶阻濾波器。詳細介紹巴特沃斯(Butterworth)、切比雪夫(Chebyshev)和橢圓(Elliptic)濾波器的設計規範與特性對比。 運算放大器的非綫性應用: 探討比較器(包括施密特觸發器)的設計,以及利用運放實現乘法器、除法器和函數發生器的原理。 第八章:電源管理與功率電子基礎 綫性穩壓器與開關穩壓器對比: 剖析LDO(低壓差綫性穩壓器)的效率限製和開關型穩壓器(Buck, Boost, Buck-Boost)的工作模式。 開關穩壓器的脈衝寬度調製(PWM): 詳細分析PWM控製信號的生成機製,以及如何通過反饋迴路實現高效率和低紋波的直流電壓轉換。 功率器件的驅動與保護: 介紹MOSFET和IGBT在功率應用中的選擇標準,以及柵極驅動電路的設計,以應對大電流開關帶來的瞬態問題。 第九章:噪聲、失真與現代電路設計考量 電路中的噪聲來源: 辨析熱噪聲(約翰遜噪聲)、散粒噪聲和閃爍噪聲(1/f噪聲)的物理機理及其在不同器件中的主導地位。 信號失真分析: 討論諧波失真(THD)和互調失真,並介紹如何通過設計(如使用推挽級、深度反饋)來綫性化電路輸齣。 版圖與寄生效應: 闡述在IC設計中,金屬綫的電阻、電容、電感等寄生參數如何影響高頻電路的性能,強調版圖設計對最終電路錶現的決定性作用。 本書內容循序漸進,理論推導紮實,並穿插瞭大量實際電路實例和工程考量,旨在為有誌於從事電子係統設計、半導體工藝或相關科研領域的讀者打下堅實而全麵的專業基礎。

著者信息

圖書目錄

Chapter9 頻率響應
9.1 基本概念
9.1.1 一般性的考量
9.1.2 轉移函數和頻率響應的關係
9.1.3 波德規則
9.1.4 極點及零點與轉移函數的關係
9.1.5 米勒定理
9.1.6 一般性的頻率響應
9.2 電晶體的高頻模型
9.2.1 BJT的高頻模型
9.2.2 MOSFET的高頻模型
9.2.3 通過頻率
9.3 解題分析步驟
9.4 CE和CS組態的頻率響應
9.4.1 低頻的頻率響應
9.4.2 高頻的頻率響應
9.4.3 米勒定理法
9.4.4 直接分析法
9.4.5 主極點法
9.4.6 輸入阻抗
9.5 CB和CG組態的頻率響應
9.5.1 低頻的頻率響應
9.5.2 高頻的頻率響應
9.6 CC和CD組態的頻率響應
9.6.1 輸入阻抗
9.6.2 輸齣阻抗
9.7 實例挑戰
重點迴顧

Chapter10 迴授
10.1 一般性的考量
10.2 負迴授的特性
10.2.1 增益脫敏
10.2.2 頻寬放大
10.2.3 輸入/輸齣阻抗改變
10.2.4 線性度增加
10.3 放大器的形式
10.3.1 放大器的模型
10.3.2 四種放大器的實際例子
10.4 偵測與返迴機製
10.5 迴授的極性
10.6 迴授的組態
10.6.1 電壓—電壓迴授
10.6.2 電壓—電流迴授
10.6.3 電流—電壓迴授
10.6.4 電流—電流迴授
10.7 非理想的輸入/輸齣阻抗效應
10.8 迴授係統的穩定性
10.8.1 波德規則的迴顧
10.8.2 不穩定的問題
10.8.3 相位邊界
10.8.4 頻率補償
10.8.5 米勒補償
10.9 實例挑戰
重點迴顧

Chapter11 堆疊級與電流鏡
11.1 堆疊級
11.1.1 堆疊當成一個電流源
11.1.2 堆疊當成放大器
11.2 電流鏡
11.2.1 初始的想法
11.2.2 BJT電流鏡
11.2.3 MOS電流鏡
11.3 實例挑戰
重點迴顧

Chapter12 差動放大器
12.1 一般性的考量
12.1.1 初始的想法
12.1.2 差動信號
12.1.3 差動對
12.2 BJT差動對
12.2.1 定性分析
12.2.2 大訊號分析
12.2.3 小訊號模型分析
12.3 MOS差動對
12.3.1 定性分析
12.3.2 大訊號分析
12.3.3 小訊號模型分析
12.4 堆疊式差動放大器
12.5 共模排斥
重點迴顧

Chapter13 輸齣級與功率放大器
13.1 基本考量
13.2 射極隨耦器當成一個功率放大器
13.3 推拉級
13.4 改良式推拉級
13.4.1 降低失真
13.4.2 具放大效果的改良式推拉級
13.5 大訊號考量
13.5.1 偏壓電流的考量
13.5.2 輸齣端pnp電晶體的考量
13.5.3 高傳真設計
13.6 短路的保護
13.7 熱的消散
13.7.1 射極隨耦器的功率額定
13.7.2 改良式推拉級的功率額定
13.7.3 熱量的散逸
13.8 效率
13.8.1 射極隨耦器的效率
13.8.2 改良式推拉級的效率
13.9 功率放大器的分類
重點迴顧

Chapter14 數位互補式金氧半場效電晶體的電路
14.1 反相器
14.1.1 MOS反相器
14.1.2 CMOS反相器
14.2 反或閘和反及閘
14.2.1 反或閘
14.2.2 反及閘
14.2.3 任意布林函數之CMOS電路實現
14.3 CMOS反相器的動態特性與功率消耗
14.3.1 動態特性
14.3.2 功率消耗
重點迴顧

ChapterA SPICE概論
A.1 電子元件的描述
A.1.1 電阻、電容和電感
A.1.2 電壓源
A.1.3 電流源
A.1.4 二極體
A.1.5 BJT電晶體
A.1.6 MOSFET電晶體
A.1.7 相依電源
A.1.8 初始值
A.2 模擬的步驟與程序
A.3 分析的型態
A.3.1 工作點的分析
A.3.2 直流分析
A.3.3 暫態分析

索引
習題演練

圖書序言

  • ISBN:9786263280854
  • EISBN:9786263285217
  • 規格:普通級 / 再版
  • 齣版地:颱灣
  • 檔案格式:EPUB固定版型
  • 建議閱讀裝置:平闆
  • TTS語音朗讀功能:無
  • 檔案大小:45.7MB

圖書試讀

用戶評價

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這本書的封麵設計得相當有品味,那種深邃的藍色調配上清晰的字體,讓人一眼就能感覺到這不是一本泛泛而談的入門讀物。我是在一個朋友的推薦下決定購買的,他當時說這本書在講解一些復雜的電磁場理論和半導體器件特性時,能提供非常深入且獨到的見解。我立刻被吸引瞭,因為我目前正在研究的項目恰好涉及到一些高速信號完整性(SI)的問題,而這恰恰是很多基礎教材避而不談或者一筆帶過的領域。我希望能從這本書中找到更嚴謹的數學模型和更貼近實際工程應用的分析方法。坦率地說,我期望它能像一個經驗豐富的老工程師在旁邊手把手地指導,而不是簡單地羅列公式。我尤其關注它對非綫性器件建模的深度,比如在高頻工作狀態下,晶體管的寄生參數如何動態變化,以及如何用更精確的方法來預測這些變化對係統性能的影響。如果這本書能在這方麵有所突破,對我來說就物超所值瞭。

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我特彆關注的是它對新興微納電子學領域的覆蓋程度。現在很多傳統的半導體物理模型在麵對納米尺度的效應時,已經顯得捉襟見肘。我希望這本書能引入一些最新的研究成果,例如量子隧穿效應在亞10納米晶體管中的實際影響,或者載流子輸運的量子統計方法。如果它能提供一個從經典模型過渡到量子模型之間的清晰的數學橋梁,那就太棒瞭。我曾聽聞有同行提及,這本書在處理熱力學平衡之外的非平衡態輸運問題時,有非常獨到的見解,能夠解釋一些在常規DRC模型中無法解釋的異常功耗現象。我期待通過閱讀,能理解這些“異常”背後的深層物理機製,從而為我們下一代芯片的功耗優化提供理論支撐。總而言之,這本書在我眼中,代錶著該領域最前沿、最不妥協的理論深度。

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拿到書後,我首先翻閱瞭一下目錄,感覺內容編排的邏輯性非常強,從基礎的麥剋斯韋方程組的進階應用開始,逐步深入到半導體物理學的量子力學基礎層麵,然後再過渡到集成電路設計中的具體挑戰。這種從宏觀到微觀再迴歸到實際應用的結構,顯示齣作者深厚的學術功底和清晰的教學思路。我注意到其中有一章專門討論瞭新型存儲器技術(如MRAM或RRAM)的物理機製,這讓我非常興奮,因為這正是我當前工作領域的前沿熱點。我特彆期待作者如何用統一的數學框架來闡述這些新奇現象,而不是簡單地堆砌實驗數據。好的教材不僅要告訴你“是什麼”,更重要的是要告訴你“為什麼是這樣”,以及“如何利用這個原理去創造新的東西”。我希望能在這本書中找到那種啓發性的思維引導,而不是僅僅獲得一堆可以直接套用的公式,畢竟公式的推導過程和背後的物理直覺纔是真正寶貴的財富。

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閱讀體驗上,這本書的排版和圖錶的清晰度是值得稱贊的。在處理涉及三維矢量和復雜波形圖時,如果圖示不夠直觀,很容易讓人在理解上産生偏差,尤其是在討論錶麵等離子激元或介質波導的模式時。這本書的插圖似乎經過瞭精心的設計,綫條銳利,標注準確,這極大地降低瞭我在啃讀那些晦澀難懂的理論時的認知負荷。另外,它的例題設置也顯得很有挑戰性,不像一些教材裏的例題隻是簡單地代入數值,而是往往需要讀者進行多步的邏輯推理和參數估算,這對於培養工程師的“感覺”至關重要。我希望作者在這些例題的解答部分,能提供比標準答案更深入的分析,比如討論不同假設條件下的敏感性分析,或者展示如何通過仿真工具來驗證解析解的有效性。隻有這樣,纔能真正將理論知識轉化為解決實際工程問題的工具箱。

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這本書的語言風格顯得非常嚴謹和學術化,幾乎沒有使用任何口語化的錶達,這對於我這種習慣瞭閱讀頂尖期刊論文的讀者來說,是一種享受。它不試圖去迎閤初學者,而是直接將讀者置於一個高階研究者的視角下進行探討。我特彆欣賞作者在引用前人研究成果時的精確性,每一處關鍵的理論突破都有明確的文獻溯源,這使得全書的論述建立在一個堅實可查證的基礎之上。不過,我也隱約感覺到,對於那些背景知識稍弱的讀者來說,可能會感到一定的閱讀壓力,因為作者很少會迴頭去復習那些“眾所周知”的基礎知識點。這本書更像是一份給專業人士的“工具手冊”,它假設你已經牢固掌握瞭經典電磁學和固體物理學的核心概念,然後直接進入到如何用這些工具去攻剋前沿難題的階段。這種毫不妥協的專業性,正是我選擇它的主要原因。

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