你我日常生活离不开的电脑、手机等电子产品，它们具备的智慧型功能要靠半导体才得以完成，因此半导体是资讯化社会不可或缺的核心要素。本书即针对半导体如何制造的具体内容来说明，从实践的观点专业分析半导体制造的整体架构，着重在半导体的所有制程与具代表性制造装置。

本书特色

　　本书针对制造半导体的主要装置详尽解说。介绍半导体所有制程及与使用装置的关系，并深入了解装置的构造、动作原理及性能，辅以图解进行细部分析，建立系统化知识。

监修者简介

菊地正典

　　1944年生，1968年东京大学工学部物理工学科毕业后，即进入日本电气公司（NEC），长期从事半导体元件及制程开发相关工作，累积半导体开发与量产的丰富经验。1996年担任NEC公司半导体事业集团总工程师，2000年担任NEC电子元件总工程师，2002年起担任日本半导体制造装置协会（SEAJ）专务理事。

执笔者简介

赖金雅春

　　1972年神户大学工学部毕业后，即任职于日本电气公司（NEC），负责超高速半导体元件、制程开发工作，并于相模原事业场从事半导体制造工厂前段制程到后段制程的生产线及制程品质管理。2002年4月起，外派至日本半导体制造装置协会。共同着作有《ULSI制造装置实用便览》（Science Forum）。

春日寿夫

　　1970年大坂大学基础工学部毕业后，即任职于日本电气公司（NEC），进行半导体封装技术开发，以及执行美国NEC公司半导体后段工程的工场建设及营运。目前从事NEC Electronics的技术涉外总括业务，并兼任JEITA及IEC半导体．实装相关标准化与技术动向委员会的要职。主要着作有：《CSP/BGA技术》、《CSP实装技术》（以上日刊工业新闻社出版）、《高密度实装技术100问》（工业调查会）等。

审订者简介

罗丞曜

　　国立中央大学光电科学研究所硕士。目前就读于东京大学工学系研究科电气工学专攻博士课程。近期研究兴趣为半导体元件、微机电系统、印刷电子电路及软性显示器。于2001年至2005年任职于台湾积体电路公司担任90奈米及45奈米制程整合专案资深研发工程师。个人着有十一篇科技论文并拥有六件半导体元件制程国际专利。并自2000年起持续从事英文及日文科技图书及论文的翻译、校稿及润稿工作。

译者简介

张萍

高雄科技大学应用日语系、云林科技大学企研所毕业，日本特别研究生一年。
目前任职于财团法人从事对日国际业务，兼职翻译。

前言

第1章　概观半导体制程
1-1　前段制程与后段制程
          前段制程安装元件、配线；后段制程进行组装、选别、检验等  8
1-2　元件形成制程(前段制程 FEOL) 1
         从晶圆洗净、氧化到闸极氧化层之形成  12
1-3　元件形成制程(前段制程 FEOL) 2
         闸极多结晶硅之形成到埋设接触孔  16
1-4　配线形成制程(前段制程 BEOL)
　　 将电晶体等以金属配线、接续后形成回路  20
1-5　晶圆电路检查制程
          确认埋入晶圆内晶片回路特性，判定其优、劣  24
1-6　组装制程(后段制程)
          将优质的晶片与外埠端子连接，用薄膜来保护晶片  26
1-7　选别、检验制程(后段制程)
          逐个检查已完成之LSI电力特性、尺寸、外观  28
          Column  新材料、新技术持续登场  29
1-8　制造流程与所使用之装置
          各元件构成零组件之流程概观  30

第2章　前段制程(洗净 ~ 曝后烤)之主要制程与装置
2-1　洗净 1
　　 一般使用药剂之化学性清除方法  40
2-2　洗净 2
         晶圆洗净技术与新兴洗净技术  43
2-3　干燥
          晶圆处理后务必要水洗、干燥  45
2-4　氧化
         将晶圆硅表面转换为硅氧化层  47
2-5　化学气相沈积(CVD) 1
          让反应瓦斯进行化学反应，沉积出膜  49
2-6　化学气相沈积(CVD) 2
          ALD与Cat-CVD  52
2-7　光阻蚀剂涂佈
          图形(pattern)加工前之光阻蚀剂涂佈  54
2-8　预烤
          将光阻蚀剂稍微加热  56
2-9　曝光 1
          步进机(stepper) 、扫描机(scanner)、液浸曝光装置  57
2-10　曝光 2
            EUV与图形解析度提升技术  59
2-11　曝光 3
            电子束曝光装置  62
             Column  曝光装置方式  63
2-12　显像．曝后烤
　　    在光阻蚀剂上制作图形，烧刻  64

第3章　前段制程(干式蚀刻~金属镀膜) 之主要制程与装置
3-1　干式蚀刻 1
　　 反应性离子蚀刻装置   72
3-2　干式蚀刻 2
         非等向性蚀刻与等向性蚀刻  74
3-3　抗蚀剂剥离．灰化
         去除不要之光阻蚀剂  76
3-4　CMP
         表面研磨、平坦化  78
3-5　湿式蚀刻
          整体蚀刻之主要用途  80
          Column  硅化物技术  82
3-6　不纯物质(杂参)导入装置 1
          离子佈植  83
          Column  离子佈植光罩  84
3-7　不纯物质(杂参)导入装置 2
          新的不纯物质导入技术  85
3-8　氧化层蚀刻(反蚀刻)
         闸极侧璧以自我对准方式形成绝缘膜  87
3-9　PVD(物理气相沉积)装置 1
         溅镀  88
3-10　PVD(物理气相沉积)装置 2
           各种PVD技术  91
3-11　热处理(退火)
           非活性气体中之晶圆热处理  93
3-12　镀膜
            将配线用的铜金属做全面性的镀膜  95
3-13　其他技术．装置 1
            磊晶沉积、热扩散  97
3-14　其他技术．装置 2
            绝缘膜涂佈、奈米压印  99

第4章　后段制程(切割~接合) 之主要制程与装置
4-1　封装 1
          封装的种类与特征  108
4-2　封装 2
          从实装技术来看半导体封装的趋势  112
          Column  为何需要高密度实装技术  115
4-3  　LSI后段制程方法
           将LSI装置以封装方法收?  116
4-4　研磨
          薄化硅晶圆  118
4-5　切割
          将硅晶圆分割为单个积体电路  120
          Column  借由超纯水洗净破坏半导体晶片的静电  123
4-6　黏晶
          将分割后的半导体晶片搭载于封装基板  124
4-7 　打线接合
          将分割后的半导体晶片与外部电力连接  126
          Column  未来的新型态打线接合技术  129
4-8　无接线接合
　　 将半导体晶片与外部电力以无接线方式接合  130

第5章　后段制程(树脂封装、端子加工、检查)之主要制程与装置
5-1　树脂封装 1
　　 导线架型封装之传送模塑树脂封装装置  140
         Column  为何无铅对环境保护来说是必要的？  142
5-2　树脂封装 2
　　 仅有基板单边设有缝细，可以树脂封装金属方式注入树脂  144
5-3　导线架式封装端子加工
　　 镀、导线成形装置  146
5-4　BGA式封装端子加工
　　 附有球型、封装切断．分离  152
5-5　标记(Marking)
　　 于封装产品上标记姓名与地址  154
5-6　无接线接合中具有代表性之后段制程制造方法案例
　　 TBGA与FCBGA   156
5-7　3D晶片堆叠构装
　　 晶片堆叠之高密度、高性能化  160
         Column  何谓半导体~机器组合系统之统合设计  163
5-8　晶圆阶段之封装
　　 后段制程中，直接以扩散制程制造晶圆的方式
          Column  裸晶封装所需要的KGD  167
5-9　半导体检查制程
　　 LSI检查  168