具体描述
此书为探讨「硅元件与积体电路制程」之教科书。本书第1、2章探讨硅半导体材料之特性。从硅导体之物理概念开始，一直到半导体结构、能带作完整的解说。第3、4章则说明积体电路的原理、结构及制程。第5、6章则着重于硅晶圆的配制。全书通用于大学、科大电子、电机系「积体电路制程」或「半导体物理与元件」课程或相关业界人士及有兴趣之读者。
本书特色
1.深入浅出说明半导体元件物理和积体电路结构、原理及制程。
2.从硅导体之物理概念开始，一直到半导体结构、能带作完整的解说，使读者学习到全盘知识。
3.图片清晰，使读者一目了然更容易理解。
4.适用于大学、科大电子、电机系「积体电路制程」或「半导体物理与元件」课程或相关业界人士及有兴趣之读者。
本书特色
1.深入浅出说明半导体元件物理和积体电路结构、原理及制程。
2.从硅导体之物理概念开始，一直到半导体结构、能带作完整的解说，使读者学习到全盘知识。
3.图片清晰，使读者一目了然更容易理解。
4.适用于大学、科大电子、电机系「积体电路制程」或「半导体物理与元件」课程或相关业界人士及有兴趣之读者。
著者信息
图书目录
第0章 半导体与积体电路之发展史
0-1 半导体之缘起 0-2
0-2 电晶体 0-2
0-3 积体电路 0-4
0-4 半导体制程 0-4
第1章 半导体物理与材料(一)
1-1 原子模型与週期表 1-2
1-2 晶体结构 1-4
1-3 物质种类 1-7
1-4 本硅，质量作用定律 1-9
1-5 掺杂质，负型和正型 1-10
第2章 半导体物理与材料(二)
2-1 能带 2-2
2-2 电阻系数与薄片电阻 2-5
2-3 载子传输 2-9
第3章 积体电路(I)：半导体元件
3-1 二极体 3-2
3-2 双载子电晶体 3-5
3-3 金氧半场效电晶体 3-9
3-4 互补金氧半场效电晶体 3-12
3-5 电阻 3-13
3-6 电容 3-15
3-7 电感 3-16
第4章 积体电路(II)：制程、电路与佈局
4-1 双载子制程技术 4-2
4-2 MOS制程技术 4-5
4-3 电路与积体电路 4-6
4-4 IC设计原则 4-9
4-5 佈局原则 4-11
第5章 硅晶圆之制作(一)
5-1 原料配制 5-2
5-2 硅晶棒生长 5-3
5-3 晶片方向、切割和抛光 5-6
第6章 硅晶圆之制作(二)
6-1 晶体方向 6-2
6-2 晶体生长时掺杂质之分佈 6-4
6-3 晶体缺陷 6-6
6-4 十二吋晶圆效益分析 6-8
第7章 硅磊晶的成长(一)
7-1 磊晶膜 7-2
7-2 磊晶原理 7-5
7-3 磊晶膜之生长程序 7-10
第8章 硅磊晶的成长(二)
8-1 磊晶系统 8-2
8-2 磊晶膜之评估 8-5
第9章 氧化制程(一)
9-1 二氧化硅与氧化 9-2
9-2 热氧化炉 9-3
9-3 氧化程序 9-4
9-4 氧化膜之评估 9-7
9-5 氧化膜品质改进方法 9-9
第10章 氧化制程(二)
10-1 氧化膜厚度之决定 10-2
10-2 氧化反应 10-5
10-3 薄氧化层 10-6
10-4 热氧化时掺杂原子之重行分佈 10-7
第11章 掺杂质之扩散植入(一)
11-1 扩散概念 11-2
11-2 扩散过程 11-3
11-3 扩散之分佈曲线 11-12
第12章 掺杂质之扩散植入(二)
12-1 离子植入 12-2
12-2 火退火 12-6
12-3 离子佈植在CMOS积体电路制程上的应用 12-8
12-4 离子佈植制程实务 12-13
第13章 微影蚀刻术(一)
13-1 微影蚀刻技术 13-2
13-2 光罩之制作 13-2
13-3 光微影术 13-5
13-4 微影术之光源 13-10
第14章 微影蚀刻术(二)
14-1 湿、干蚀刻 14-2
14-2 湿蚀刻 14-2
14-3 干蚀刻 14-3
14-4 干蚀刻反应器 14-7
第15章 化学气相沈积
15-1 化学气相沈积概念 15-2
15-2 化学气相沈积流程 15-5
15-3 低压化学气相沈积 15-10
15-4 电浆化学气相沈积 15-10
15-5 光照射化学气相沈积 15-11
15-6 液相沈积 15-12
第16章 金属接触与蒸着
16-1 金属化之要求 16-2
16-2 真空蒸着 16-3
16-3 蒸着技术 16-8
16-4 真空蒸着程序 16-12
16-5 合金／火退火 16-14
16-6 铜制程技术 16-15
第17章 制程洁净控制与安全(一)
17-1 洁净程序与药品 17-2
17-2 水 17-3
17-3 空气／无尘室 17-5
17-4 人员 17-7
17-5 化学药品 17-8
17-6 气体 17-11
第18章 制程洁净控制与安全(二)
18-1 高压气瓶 18-2
18-2 设备上应注意事项 18-5
18-3 废气之排放 18-6
18-4 紧急时应注意事项 18-9
第19章 半导体元件之缩小
19-1 金氧半电晶体之缩小化 19-2
19-2 短通道效应 19-4
第20章 积体电路封装
20-1 积体电路封装 20-2
20-2 封装分类 20-3
20-3 封装流程 20-4
0-1 半导体之缘起 0-2
0-2 电晶体 0-2
0-3 积体电路 0-4
0-4 半导体制程 0-4
第1章 半导体物理与材料(一)
1-1 原子模型与週期表 1-2
1-2 晶体结构 1-4
1-3 物质种类 1-7
1-4 本硅，质量作用定律 1-9
1-5 掺杂质，负型和正型 1-10
第2章 半导体物理与材料(二)
2-1 能带 2-2
2-2 电阻系数与薄片电阻 2-5
2-3 载子传输 2-9
第3章 积体电路(I)：半导体元件
3-1 二极体 3-2
3-2 双载子电晶体 3-5
3-3 金氧半场效电晶体 3-9
3-4 互补金氧半场效电晶体 3-12
3-5 电阻 3-13
3-6 电容 3-15
3-7 电感 3-16
第4章 积体电路(II)：制程、电路与佈局
4-1 双载子制程技术 4-2
4-2 MOS制程技术 4-5
4-3 电路与积体电路 4-6
4-4 IC设计原则 4-9
4-5 佈局原则 4-11
第5章 硅晶圆之制作(一)
5-1 原料配制 5-2
5-2 硅晶棒生长 5-3
5-3 晶片方向、切割和抛光 5-6
第6章 硅晶圆之制作(二)
6-1 晶体方向 6-2
6-2 晶体生长时掺杂质之分佈 6-4
6-3 晶体缺陷 6-6
6-4 十二吋晶圆效益分析 6-8
第7章 硅磊晶的成长(一)
7-1 磊晶膜 7-2
7-2 磊晶原理 7-5
7-3 磊晶膜之生长程序 7-10
第8章 硅磊晶的成长(二)
8-1 磊晶系统 8-2
8-2 磊晶膜之评估 8-5
第9章 氧化制程(一)
9-1 二氧化硅与氧化 9-2
9-2 热氧化炉 9-3
9-3 氧化程序 9-4
9-4 氧化膜之评估 9-7
9-5 氧化膜品质改进方法 9-9
第10章 氧化制程(二)
10-1 氧化膜厚度之决定 10-2
10-2 氧化反应 10-5
10-3 薄氧化层 10-6
10-4 热氧化时掺杂原子之重行分佈 10-7
第11章 掺杂质之扩散植入(一)
11-1 扩散概念 11-2
11-2 扩散过程 11-3
11-3 扩散之分佈曲线 11-12
第12章 掺杂质之扩散植入(二)
12-1 离子植入 12-2
12-2 火退火 12-6
12-3 离子佈植在CMOS积体电路制程上的应用 12-8
12-4 离子佈植制程实务 12-13
第13章 微影蚀刻术(一)
13-1 微影蚀刻技术 13-2
13-2 光罩之制作 13-2
13-3 光微影术 13-5
13-4 微影术之光源 13-10
第14章 微影蚀刻术(二)
14-1 湿、干蚀刻 14-2
14-2 湿蚀刻 14-2
14-3 干蚀刻 14-3
14-4 干蚀刻反应器 14-7
第15章 化学气相沈积
15-1 化学气相沈积概念 15-2
15-2 化学气相沈积流程 15-5
15-3 低压化学气相沈积 15-10
15-4 电浆化学气相沈积 15-10
15-5 光照射化学气相沈积 15-11
15-6 液相沈积 15-12
第16章 金属接触与蒸着
16-1 金属化之要求 16-2
16-2 真空蒸着 16-3
16-3 蒸着技术 16-8
16-4 真空蒸着程序 16-12
16-5 合金／火退火 16-14
16-6 铜制程技术 16-15
第17章 制程洁净控制与安全(一)
17-1 洁净程序与药品 17-2
17-2 水 17-3
17-3 空气／无尘室 17-5
17-4 人员 17-7
17-5 化学药品 17-8
17-6 气体 17-11
第18章 制程洁净控制与安全(二)
18-1 高压气瓶 18-2
18-2 设备上应注意事项 18-5
18-3 废气之排放 18-6
18-4 紧急时应注意事项 18-9
第19章 半导体元件之缩小
19-1 金氧半电晶体之缩小化 19-2
19-2 短通道效应 19-4
第20章 积体电路封装
20-1 积体电路封装 20-2
20-2 封装分类 20-3
20-3 封装流程 20-4
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