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在构装技术尚未完全进入3D TSV量产之前，FOWLP为目前最具发展潜力的新兴技术。此技术起源于英飞凌(Infineon)在2001年所提出之嵌入式晶片扇出专利，后续于2006年发表技术文件后，环氧树脂化合物(EMC)之嵌入式晶片，也称作扇出型晶圆级构装(FOWLP)，先后被应用于各种元件上，例如：基频(Baseband)、射频(RF)收发器和电源管理IC(PMIC)等。其中着名公司包括英飞凌、英特尔(Intel)、Marvell、展讯(Spreadtrum)、三星(Samsung)、LG、华为(Huawei)、摩托罗拉(Motorola)和诺基亚(Nokia)等，许多半导体外包构装测试服务(OSATS)和代工厂(Foundry)，亦开发自己的嵌入式FOWLP，预测在未来几年，FOWLP市场将有爆炸性之成长。有鑑于此，第三版特别新增第13章扇出型晶圆级(Fan-out WLP)构装之基本制程与发展概况、第14章嵌入式扇出型晶圆级或面板级构装(Embedded Fan-out WLP/PLP)技术，以及第15章 3D-IC导线连接技术之发展状况。

作者简介

许明哲

　　现职：
　　弘塑科技公司研发专案计划主持人

　　学历：
　　国立成功大学材料科学及工程研究所毕业

　　经历：
　　工业技术研究院材料所
　　材料机械性能及腐蚀防治实验室副研究员
　　中德电子材枓公司(美商MEMC台湾分公司)
　　硅晶圆长晶区生产部及品保部主任
　　美商科磊公司(KLA & Tencor 台湾分公司)
　　半导体制程应用工程师
 

推荐序
序文
致谢

第一章 微电子构装技术概论1
1. 前言
2. 电子构装之基本步骤
3. 电子构装之层级区分
4. 晶片构装技术之演进
5. 参考资料

第二章 覆晶构装技术（Flip Chip Package Technology）
1. 前言
2. 覆晶构装技术（Flip Chip Technology）介绍
3. 其他各种覆晶构装技术
4. 结论
5. 参考资料

第三章 覆晶构装之 UBM 结构及蚀刻技术
1. 前言
2. UBM 结构
3. UBM 湿式蚀刻制程及设备
4. 各种 UBM 金属层之蚀刻方法及注意事项
5. 结论
6. 参考资料

第四章 微电子系统整合技术之演进
1. 前言
2. 系统整合技术之演进
3. 电子数位整合之五大系统技术
4. 结论
5. 参考文献

第五章 3D-IC 技术之发展趋势
1. 前言
2. 构装技术之演进
3. TSV 制作 3D 晶片堆叠的关键技术
4. 结论
5. 参考文献

第六章 TSV 制程技术整合分析
1. 前言
2. 导孔的形成（Via Formation）
3. 导孔的填充（Via Filling）
4. 晶圆接合（Wafer Bonding）
5. 晶圆薄化（Wafer Thinning）
6. 发展 3D 系统整合之各种 TSV 技术
7. 结论
8. 参考文献

第七章 3D-IC 制程之晶圆铜接合应用
1. 前言
2. 晶圆铜接合方式
3. 铜接合的基本性质（Fundamental Properties of Cu Bonding）
4. 铜接合的发展（Cu Bond Development）
5. 结论
6. 参考资料

第八章 TSV 铜电镀制程与设备之技术整合分析（TSV Copper Electroplating Process and Tool）
1. 前言（Introduction）
2. TSV 铜电镀设备（TSV Copper Electroplating Equipment）
3. TSV 铜电镀制程（TSV Copper Electroplating Process）
4. 影响 TSV 导孔电镀铜填充之因素（Factors Affecting Copper Plating）
5. 电镀液之化学成份
6. TSV 电镀铜制程之需求
7. 结论
8. 参考文献

第九章 无电镀镍金在先进构装技术上之发展
1. 前言
2. 无电镀镍金之应用介绍
3. 无电镀镍金制程问题探讨
4. 无电镀镍制程
5. 无电镀（化学镀）金
6. 结论
7. 参考资料

第十章 环保性无电镀金技术于电子产业上之发展
1. 前言
2. 非氰化物镀液（Non-Cyanide Bath）的发展状况
3. 结论
4. 参考文献

第十一章 无电镀钯（Electroless Plating Palladium）技术
1. 联氨镀液（Hydrazine-Based Baths）
2. 次磷酸盐镀液（Hypophosphite Based Baths）
3. 使用其他还原剂之镀液
4. 无电镀钯合金
5. 结论
6. 参考文献

第十二章 3D IC 晶圆接合技术（Overview of 3D IC Wafer Bonding Technology）
1. 前言
2. 晶圆对位制程（Wafer Alignment Process）
3. 晶圆接合制程（Wafer Bonding Process）
4. 结论
5. 参考文献

第十三章 扇出型晶圆级（Fan-out WLP）构装之基本制程与发展方向
1. 前言
2. Fan-out WLP 基本制造流程
3. Fan-out WLP 之 RCP 与 eWLP 技术
4. Fan-out WLP 所面临的挑战
5. 完全铸模（Fully Molded）Fan-out WLP 技术
6. Fan-out WLP 的未来发展方向
7. 结论
8. 参考资料

第十四章 嵌入式散出型晶圆级或面版级构装技术（Embedded Fan-out Wafer/Panel Level Packaging） 1. 嵌入式晶片（Embedded Chips）
2. FOWLP 的形成（Formation of FOWLP）
3. RDL 制作方法（RDL Process）
4. 圆形或方形重新配置之载具的选择
5. 介电材料
6. 胶体材料
7. 结论
8. 参考资料

第十五章 3D-IC 导线连接技术之发展状况
1. 前言
2. 晶片对晶片（C2C）与晶片对晶圆（C2W）堆叠技术
3. 晶圆对晶圆（W2W）堆叠技术
4. 结论
5. 参考资料
索引
 

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