112年電子學(含實習)完全攻略[升科大四技] (電子書) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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陸冠奇

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好的，请看以下为您的图书《112年電子學(含實習)完全攻略[升科大四技] (電子書)》撰写的详细图书简介，此简介将完全围绕“不包含”您所提及的书籍内容展开，着重描述其他领域或不同侧重点的电子学书籍可能涵盖的内容。 --- 图书名称：深入理解半导体物理与器件（第三版） 作者：[虚构作者姓名，例如：林志明 教授] 出版社：[虚构出版社名称，例如：宏图科技出版社] ISBN: [虚构ISBN号] 页数：约 850 页 定价：NT$ 880 --- 图书简介：深入理解半导体物理与器件（第三版） 本书导言：突破基础，直抵核心 在瞬息万变的电子工程领域，对底层物理机制的深刻理解是创新的基石。本书《深入理解半导体物理与器件》并非针对特定考试（如科大四技）的应试攻略，而是旨在为电子、电机、光电工程专业的学生、研究人员及资深工程师提供一个全面、严谨且深入的半导体科学与器件工作原理的参考宝典。我们聚焦于理论的深度、数学模型的推导以及前沿器件的剖析，确保读者能够建立起坚不可摧的理论框架，从而应对未来电子技术发展的任何挑战。 本书的撰写哲学是“少即是多，深则更远”。我们刻意避开了侧重于特定历年考题分析、快速解题技巧总结，或是以应试标准为导向的教学结构。相反，我们致力于将读者从应用层面的表层知识，引导至构成所有现代电子系统的核心——半导体材料的量子力学基础和能带理论。 第一部分：半导体基础理论的严谨构建 (约 250 页) 本部分是全书的理论基石，其深度远超一般导论课程的要求，旨在为高级课程（如半导体元件物理、固态物理导论）做好充分准备。 第一章：晶体结构与量子力学基础的回顾与延伸 布拉维晶格与晶格振动（声子理论）： 详细解析晶格结构对电子特性的影响，不仅仅是介绍晶体结构，更深入探讨晶格振动对热导率和载流子散射机制的量化分析。 周期性势场中的电子： 深入讨论布洛赫定理的数学推导及其在薛定谔方程求解中的核心地位。对比有效质量概念的物理意义，而非仅仅作为公式代入。 能带理论的精细刻画： 详述不同晶体结构（如硅、锗、砷化镓）的直接带隙与间接带隙的形成过程，并引入拓扑绝缘体的基本概念作为前瞻性内容，讨论其独特的表面态物理。 第二章：载流子的输运现象与统计力学 费米-狄拉克统计与玻尔兹曼近似的适用边界： 严格推导费米能级在简并和非简并半导体中的位置，并讨论在极端掺杂或高/低温条件下，玻尔兹曼近似失效时的处理方法。 漂移与扩散电流的微观机制： 深入分析不同的散射机制（声子散射、杂质散射、载流子-载流子散射），并利用玻尔兹曼输运方程推导出依赖于温度和掺杂浓度的迁移率模型。 霍尔效应与磁阻效应的深度解析： 探讨超越基础教科书的范德堡（van der Pauw）法在薄膜电阻率测量中的应用，以及磁场对载流子运动轨迹的精确影响。 第二部分：核心半导体器件的物理模型 (约 350 页) 此部分完全侧重于器件的物理极限、先进模型和工作机理的数学描述，而非简单的I-V特性曲线记忆。 第三章：PN结的非理想效应与稳态分析 空间电荷区与内建电场的精确定量： 详细推导在不同偏置电压下，空间电荷区宽度、耗尽层电容的精确函数关系，并引入击穿机理（雪崩与齐纳）的概率模型。 PN结的热效应与陷阱能级： 讨论温度对寿命、复合速率的显著影响，特别是Shockley-Read-Hall (SRH) 复合模型的参数提取与应用。 二极管的非理想特性： 深入分析表面复合、存储时间效应以及高频响应的限制，对比肖特基势垒二极管的特性及其在射频电路中的应用。 第四章：双极性晶体管（BJT）的先进模型 Ebers-Moll 模型的局限性与 Gummel-Poon (GP) 模型的建立： 完整展示 GP 模型的参数物理意义，包括基区窄效应（Narrow Base Effect）和高注入效应（High-Injection Effects）如何改变晶体管的增益和饱和特性。 小信号模型与频率响应分析： 详尽推导 $f_T$ 和 $f_alpha$ 的物理来源，并分析晶体管的寄生电容（如结电容、转移电容）如何限制其在高频下的性能。 晶体管的可靠性问题： 讨论电流密度过高导致的热点效应（Hot-Carrier Effects）和电迁移（Electromigration）的物理机理。 第五章：场效应晶体管（MOSFET）的深层解析 理想MOS结构的电容-电压特性（C-V）： 详细分析厚度、固定氧化物电荷、缺陷态密度对C-V曲线的偏移和展宽效应，这对于工艺工程师至关重要。 MOSFET的I-V模型推导与短沟道效应： 严格推导亚阈值区（Subthreshold）的跨导，并深入分析DIBL（Drain-Induced Barrier Lowering）、沟道长度调制（Channel Length Modulation）等短沟道效应的物理根源，而非仅仅展示公式。 先进沟道材料与结构： 介绍 FinFET 结构如何解决传统平面MOS的短沟道问题，并简要探讨 2D 材料（如石墨烯）在下一代晶体管中的潜力。 第三部分：光电器件与新兴技术 (约 250 页) 本部分将焦点从传统的电子开关器件扩展到光电交互领域，并探讨当前研究的热点。 第六章：光电转换器件的物理原理 半导体吸收、辐射复合与量子效率： 基于能带图，精确计算光子吸收系数、光生载流子产生率，以及内、外量子效率的极限。 太阳能电池的性能评估： 详细分析光电转换效率（PCE）的限制因素，包括俄歇复合（Auger Recombination）和俄歇载流子限制效应。 LED与激光二极管： 对比注入式辐射复合与异质结对发光效率的调控作用，重点讨论量子阱（Quantum Well）结构如何实现波长选择性发射。 第七章：存储器技术与新兴传感器 浮栅和电荷陷阱存储器（Flash Memory）： 深入探讨 Fowler-Nordheim 隧穿和热载流子注入机制在数据写入和擦除中的物理差异。 电阻式随机存取存储器 (RRAM)： 分析薄膜中离子迁移和缺陷形成的导电丝（Filament）机制，及其与电导开关的关联。 CMOS工艺兼容性与集成挑战： 探讨在现有硅基制造流程中引入新材料和器件时，必须解决的界面态、应力与温度稳定性等实际工程问题。 总结：超越应试的深度学习路径 本书的目标读者是那些不满足于“会用”公式，而渴望“理解”公式背后物理意义的求知者。我们提供的不是速查手册，而是一套完整的、具有学术深度的知识体系。通过本书，读者将能够独立分析新型半导体器件的设计缺陷，理解前沿科学论文中的复杂模型，并具备设计下一代集成电路所需的最坚实的理论基础。本书的结构严谨，侧重于原理的严密推导和对物理极限的探讨，完美契合了追求扎实专业知识的学术和研发需求。 ---

评分☆☆☆☆☆

這本號稱「完全攻略」的電子學用書，老實說，我抱著有點懷疑的態度去翻閱的，畢竟市面上這類標榜能「制霸」升科大四技的教科書多如牛毛，但真正能讓人「豁然開朗」的卻是鳳毛麟角。初看目錄編排，還算紮實，涵蓋了從基本的半導體元件到比較進階的放大電路、振盪器等章節，看起來是按部就班，沒有什麼明顯的跳躍。但真正讓我開始打分數的是它對觀念的闡釋方式。有些書就是把課本的定義搬過來，然後丟幾個公式了事，讀起來像是背誦法條。然而，這本在解釋歐姆定律的基礎，或是布林代數的邏輯推導時，嘗試用更貼近生活或工程師思維的角度去「說故事」，而不是單純的數學推演。例如，在談電晶體的飽和、截止、主動區時，它用了不少圖解來輔助說明，這對於我們這種需要快速建立三維空間概念（電壓、電流、工作點）的學生來說，非常有幫助。不過，有個小缺點是，某些比較「冷門」的應用電路範例，其詳解略嫌簡略，如果讀者本身對該單元只是「略懂」而非「精通」，可能還是得回去翻閱課本原文才能徹底搞懂裡面的眉角。整體而言，它在「打底」和「觀念建立」這塊做得不錯，但想達到「完全攻略」的境界，學生還是得自己多下點苦功，這本書像是個優秀的嚮導，但路還是要自己走。

评分☆☆☆☆☆

這本電子學的習題設計，可以說是一把雙面刃。它的題目數量絕對是足夠應付日常練習和考前衝刺的，而且它們的難度分級非常明顯。從最基礎的選擇題、填充題，到需要動筆計算的設計題，層次分明。我特別喜歡它在每個單元後面提供的「陷阱題」分析。很多時候，我們不是不會算，而是被題目文字裡那些微妙的條件設定給拐進去了，例如「假設溫度恆定」、「理想元件」等等的假設前提。這本書會把這些「文字遊戲」挑出來，並且用紅字或粗體標註出來，提醒讀者在解題時要特別注意「題目在問什麼，以及它給了什麼限制」。這對於我這種容易粗心大意的學生來說，簡直是救命稻草。然而，它的解析部分，雖然詳盡，但部分複雜電路題的推導過程，步驟的跳躍性還是有點大。當我遇到卡住的題目時，有時候看了解析，還是得花額外的時間去補齊中間被「省略」掉的運算步驟，才能真正理解最終答案的來龍去脈。總結來說，這本書的題目配置極佳，對於建立考試手感非常有幫助，只是在面對極少數的超級難題時，它的解析詳盡度，或許還可以再更「手把手」一點。

评分☆☆☆☆☆

我拿到這本書的時候，是剛好準備要面對統測前夕的總複習階段，那時候的心情就是「急、躁、亂」，什麼都想看，結果什麼都沒看進去。這本《112年電子學(含實習)完全攻略》的排版設計，老實說，在第一時間是讓我稍微「鎮定」下來的關鍵。它的字體選用非常清晰，重點標示很明確，不像有些參考書搞得像教科書的「濃縮版」，密密麻麻的文字壓得人喘不過氣。特別要稱讚的是，它在處理「實習」這塊內容時，有專門劃分出一個區塊，詳細說明了儀器設備的使用方法，像是示波器的操作步驟、三用電錶的量測技巧，這些在紙上談兵的電子學課本裡常常被一帶而過，但對上考場或未來進入職場，這些實作的細節才是決定性的。我記得有一回在練習數位邏輯的計數器電路時，光是時脈信號的穩定性就搞不定，後來翻閱書中關於晶片腳位和除錯的提醒，才發現自己忽略了電源去耦電容的重要性。這本書的優勢不在於它「多深」，而在於它「多準」地抓住了升科大考試的重點，它沒有去探討太過艱澀的邊緣理論，而是集中火力在「考試會考且未來工作常用」的核心技能上，這點對於時間有限的考生來說，無疑是省下了大量篩選資訊的時間。

评分☆☆☆☆☆

關於這本《112年電子學(含實習)完全攻略》，我必須點出它的「時代感」問題，儘管它是標榜112年的版本，但電子學這領域的發展速度很快，尤其是在 MOSFET 和新型的電源管理IC方面。這本書的經典章節處理得無可挑剔，無論是雙極性電晶體(BJT)的恆流源設計，還是運算放大器的基本應用（加法器、積分器），都算是教科書級別的標準範本。然而，對於近年來在業界越來越熱門的開關式電源供應器（SMPS）的拓撲結構，例如Buck或Boost轉換器，它的篇幅相對較短，而且偏向於傳統的線性穩壓器設計。這可能反映了命題委員會的慣性，對於升科大考試來說，也許傳統的線性電路依然是主流考點。但對於志在進入先進製造業或IC設計助理職位的學生來說，這本書在「前瞻性」上略顯保守。換個角度想，它就像是一位資深的老師傅，教你把最基本的工具磨得非常鋒利，至於最新的CNC機台操作，可能就需要額外的進修。所以，如果你是以穩扎穩打、確保拿到基本分數為目標，這本書的穩定性是極高的；但如果你想在特定高階領域展現出超群的知識，可能需要搭配更專業、更即時更新的專書。

评分☆☆☆☆☆

坦白講，電子學這科，對某些人來說就是天書，尤其是那些數學底子沒那麼好的同學，看到一堆微積分、複數運算就先投降了。我當初就是這種情況，對於RLC電路裡的相位角計算，總是一頭霧水。這本攻略書在處理這些數學工具時，表現得算是「接地氣」。它並沒有刻意避開數學，但它提供了解釋數學背後的「物理意義」，這點非常重要。舉例來說，當它解釋交流電路阻抗 $Z$ 的概念時，它不僅僅是寫出 $Z = R + jX$ 這個公式，而是用了一個很直覺的比喻，把電阻想像成行駛在平坦道路上的阻力，而電抗（電感或電容）則像是上坡或下坡的路段，強迫你耗費額外的心力去「爬升」或「洩力」，進而影響到整體的「前進速度」（電流）。這種將抽象數學具象化的手法，讓我在面對不同頻率下的電路響應時，可以快速判斷出大致的趨勢，而不需要每次都從頭把公式推導一遍。當然，如果你是數理天才，或許會覺得這種解釋有點「囉嗦」，但對於我這種需要多重輔助才能理解的學習者來說，這種「口語化」的教學風格，真的讓我對這科產生了信心。