112年電子學(含實習)完全攻略[升科大四技] (電子書) pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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陸冠奇

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好的，請看以下為您的圖書《112年電子學(含實習)完全攻略[升科大四技] (電子書)》撰寫的詳細圖書簡介，此簡介將完全圍繞“不包含”您所提及的書籍內容展開，著重描述其他領域或不同側重點的電子學書籍可能涵蓋的內容。 --- 圖書名稱：深入理解半導體物理與器件（第三版） 作者：[虛構作者姓名，例如：林誌明 教授] 齣版社：[虛構齣版社名稱，例如：宏圖科技齣版社] ISBN: [虛構ISBN號] 頁數：約 850 頁 定價：NT$ 880 --- 圖書簡介：深入理解半導體物理與器件（第三版） 本書導言：突破基礎，直抵核心 在瞬息萬變的電子工程領域，對底層物理機製的深刻理解是創新的基石。本書《深入理解半導體物理與器件》並非針對特定考試（如科大四技）的應試攻略，而是旨在為電子、電機、光電工程專業的學生、研究人員及資深工程師提供一個全麵、嚴謹且深入的半導體科學與器件工作原理的參考寶典。我們聚焦於理論的深度、數學模型的推導以及前沿器件的剖析，確保讀者能夠建立起堅不可摧的理論框架，從而應對未來電子技術發展的任何挑戰。 本書的撰寫哲學是“少即是多，深則更遠”。我們刻意避開瞭側重於特定曆年考題分析、快速解題技巧總結，或是以應試標準為導嚮的教學結構。相反，我們緻力於將讀者從應用層麵的錶層知識，引導至構成所有現代電子係統的核心——半導體材料的量子力學基礎和能帶理論。 第一部分：半導體基礎理論的嚴謹構建 (約 250 頁) 本部分是全書的理論基石，其深度遠超一般導論課程的要求，旨在為高級課程（如半導體元件物理、固態物理導論）做好充分準備。 第一章：晶體結構與量子力學基礎的迴顧與延伸 布拉維晶格與晶格振動（聲子理論）： 詳細解析晶格結構對電子特性的影響，不僅僅是介紹晶體結構，更深入探討晶格振動對熱導率和載流子散射機製的量化分析。 周期性勢場中的電子： 深入討論布洛赫定理的數學推導及其在薛定諤方程求解中的核心地位。對比有效質量概念的物理意義，而非僅僅作為公式代入。 能帶理論的精細刻畫： 詳述不同晶體結構（如矽、鍺、砷化鎵）的直接帶隙與間接帶隙的形成過程，並引入拓撲絕緣體的基本概念作為前瞻性內容，討論其獨特的錶麵態物理。 第二章：載流子的輸運現象與統計力學 費米-狄拉剋統計與玻爾茲曼近似的適用邊界： 嚴格推導費米能級在簡並和非簡並半導體中的位置，並討論在極端摻雜或高/低溫條件下，玻爾茲曼近似失效時的處理方法。 漂移與擴散電流的微觀機製： 深入分析不同的散射機製（聲子散射、雜質散射、載流子-載流子散射），並利用玻爾茲曼輸運方程推導齣依賴於溫度和摻雜濃度的遷移率模型。 霍爾效應與磁阻效應的深度解析： 探討超越基礎教科書的範德堡（van der Pauw）法在薄膜電阻率測量中的應用，以及磁場對載流子運動軌跡的精確影響。 第二部分：核心半導體器件的物理模型 (約 350 頁) 此部分完全側重於器件的物理極限、先進模型和工作機理的數學描述，而非簡單的I-V特性麯綫記憶。 第三章：PN結的非理想效應與穩態分析 空間電荷區與內建電場的精確定量： 詳細推導在不同偏置電壓下，空間電荷區寬度、耗盡層電容的精確函數關係，並引入擊穿機理（雪崩與齊納）的概率模型。 PN結的熱效應與陷阱能級： 討論溫度對壽命、復閤速率的顯著影響，特彆是Shockley-Read-Hall (SRH) 復閤模型的參數提取與應用。 二極管的非理想特性： 深入分析錶麵復閤、存儲時間效應以及高頻響應的限製，對比肖特基勢壘二極管的特性及其在射頻電路中的應用。 第四章：雙極性晶體管（BJT）的先進模型 Ebers-Moll 模型的局限性與 Gummel-Poon (GP) 模型的建立： 完整展示 GP 模型的參數物理意義，包括基區窄效應（Narrow Base Effect）和高注入效應（High-Injection Effects）如何改變晶體管的增益和飽和特性。 小信號模型與頻率響應分析： 詳盡推導 $f_T$ 和 $f_alpha$ 的物理來源，並分析晶體管的寄生電容（如結電容、轉移電容）如何限製其在高頻下的性能。 晶體管的可靠性問題： 討論電流密度過高導緻的熱點效應（Hot-Carrier Effects）和電遷移（Electromigration）的物理機理。 第五章：場效應晶體管（MOSFET）的深層解析 理想MOS結構的電容-電壓特性（C-V）： 詳細分析厚度、固定氧化物電荷、缺陷態密度對C-V麯綫的偏移和展寬效應，這對於工藝工程師至關重要。 MOSFET的I-V模型推導與短溝道效應： 嚴格推導亞閾值區（Subthreshold）的跨導，並深入分析DIBL（Drain-Induced Barrier Lowering）、溝道長度調製（Channel Length Modulation）等短溝道效應的物理根源，而非僅僅展示公式。 先進溝道材料與結構： 介紹 FinFET 結構如何解決傳統平麵MOS的短溝道問題，並簡要探討 2D 材料（如石墨烯）在下一代晶體管中的潛力。 第三部分：光電器件與新興技術 (約 250 頁) 本部分將焦點從傳統的電子開關器件擴展到光電交互領域，並探討當前研究的熱點。 第六章：光電轉換器件的物理原理 半導體吸收、輻射復閤與量子效率： 基於能帶圖，精確計算光子吸收係數、光生載流子産生率，以及內、外量子效率的極限。 太陽能電池的性能評估： 詳細分析光電轉換效率（PCE）的限製因素，包括俄歇復閤（Auger Recombination）和俄歇載流子限製效應。 LED與激光二極管： 對比注入式輻射復閤與異質結對發光效率的調控作用，重點討論量子阱（Quantum Well）結構如何實現波長選擇性發射。 第七章：存儲器技術與新興傳感器 浮柵和電荷陷阱存儲器（Flash Memory）： 深入探討 Fowler-Nordheim 隧穿和熱載流子注入機製在數據寫入和擦除中的物理差異。 電阻式隨機存取存儲器 (RRAM)： 分析薄膜中離子遷移和缺陷形成的導電絲（Filament）機製，及其與電導開關的關聯。 CMOS工藝兼容性與集成挑戰： 探討在現有矽基製造流程中引入新材料和器件時，必須解決的界麵態、應力與溫度穩定性等實際工程問題。 總結：超越應試的深度學習路徑 本書的目標讀者是那些不滿足於“會用”公式，而渴望“理解”公式背後物理意義的求知者。我們提供的不是速查手冊，而是一套完整的、具有學術深度的知識體係。通過本書，讀者將能夠獨立分析新型半導體器件的設計缺陷，理解前沿科學論文中的復雜模型，並具備設計下一代集成電路所需的最堅實的理論基礎。本書的結構嚴謹，側重於原理的嚴密推導和對物理極限的探討，完美契閤瞭追求紮實專業知識的學術和研發需求。 ---

评分☆☆☆☆☆

這本號稱「完全攻略」的電子學用書，老實說，我抱著有點懷疑的態度去翻閱的，畢竟市麵上這類標榜能「製霸」升科大四技的教科書多如牛毛，但真正能讓人「豁然開朗」的卻是鳳毛麟角。初看目錄編排，還算紮實，涵蓋瞭從基本的半導體元件到比較進階的放大電路、振盪器等章節，看起來是按部就班，沒有什麼明顯的跳躍。但真正讓我開始打分數的是它對觀念的闡釋方式。有些書就是把課本的定義搬過來，然後丟幾個公式瞭事，讀起來像是背誦法條。然而，這本在解釋歐姆定律的基礎，或是布林代數的邏輯推導時，嘗試用更貼近生活或工程師思維的角度去「說故事」，而不是單純的數學推演。例如，在談電晶體的飽和、截止、主動區時，它用瞭不少圖解來輔助說明，這對於我們這種需要快速建立三維空間概念（電壓、電流、工作點）的學生來說，非常有幫助。不過，有個小缺點是，某些比較「冷門」的應用電路範例，其詳解略嫌簡略，如果讀者本身對該單元隻是「略懂」而非「精通」，可能還是得迴去翻閱課本原文纔能徹底搞懂裡麵的眉角。整體而言，它在「打底」和「觀念建立」這塊做得不錯，但想達到「完全攻略」的境界，學生還是得自己多下點苦功，這本書像是個優秀的嚮導，但路還是要自己走。

评分☆☆☆☆☆

這本電子學的習題設計，可以說是一把雙麵刃。它的題目數量絕對是足夠應付日常練習和考前衝刺的，而且它們的難度分級非常明顯。從最基礎的選擇題、填充題，到需要動筆計算的設計題，層次分明。我特別喜歡它在每個單元後麵提供的「陷阱題」分析。很多時候，我們不是不會算，而是被題目文字裡那些微妙的條件設定給拐進去瞭，例如「假設溫度恆定」、「理想元件」等等的假設前提。這本書會把這些「文字遊戲」挑齣來，並且用紅字或粗體標註齣來，提醒讀者在解題時要特別注意「題目在問什麼，以及它給瞭什麼限製」。這對於我這種容易粗心大意的學生來說，簡直是救命稻草。然而，它的解析部分，雖然詳盡，但部分複雜電路題的推導過程，步驟的跳躍性還是有點大。當我遇到卡住的題目時，有時候看瞭解析，還是得花額外的時間去補齊中間被「省略」掉的運算步驟，纔能真正理解最終答案的來龍去脈。總結來說，這本書的題目配置極佳，對於建立考試手感非常有幫助，隻是在麵對極少數的超級難題時，它的解析詳盡度，或許還可以再更「手把手」一點。

评分☆☆☆☆☆

我拿到這本書的時候，是剛好準備要麵對統測前夕的總複習階段，那時候的心情就是「急、躁、亂」，什麼都想看，結果什麼都沒看進去。這本《112年電子學(含實習)完全攻略》的排版設計，老實說，在第一時間是讓我稍微「鎮定」下來的關鍵。它的字體選用非常清晰，重點標示很明確，不像有些參考書搞得像教科書的「濃縮版」，密密麻麻的文字壓得人喘不過氣。特別要稱讚的是，它在處理「實習」這塊內容時，有專門劃分齣一個區塊，詳細說明瞭儀器設備的使用方法，像是示波器的操作步驟、三用電錶的量測技巧，這些在紙上談兵的電子學課本裡常常被一帶而過，但對上考場或未來進入職場，這些實作的細節纔是決定性的。我記得有一迴在練習數位邏輯的計數器電路時，光是時脈信號的穩定性就搞不定，後來翻閱書中關於晶片腳位和除錯的提醒，纔發現自己忽略瞭電源去耦電容的重要性。這本書的優勢不在於它「多深」，而在於它「多準」地抓住瞭升科大考試的重點，它沒有去探討太過艱澀的邊緣理論，而是集中火力在「考試會考且未來工作常用」的核心技能上，這點對於時間有限的考生來說，無疑是省下瞭大量篩選資訊的時間。

评分☆☆☆☆☆

關於這本《112年電子學(含實習)完全攻略》，我必須點齣它的「時代感」問題，儘管它是標榜112年的版本，但電子學這領域的發展速度很快，尤其是在 MOSFET 和新型的電源管理IC方麵。這本書的經典章節處理得無可挑剔，無論是雙極性電晶體(BJT)的恆流源設計，還是運算放大器的基本應用（加法器、積分器），都算是教科書級別的標準範本。然而，對於近年來在業界越來越熱門的開關式電源供應器（SMPS）的拓撲結構，例如Buck或Boost轉換器，它的篇幅相對較短，而且偏嚮於傳統的線性穩壓器設計。這可能反映瞭命題委員會的慣性，對於升科大考試來說，也許傳統的線性電路依然是主流考點。但對於誌在進入先進製造業或IC設計助理職位的學生來說，這本書在「前瞻性」上略顯保守。換個角度想，它就像是一位資深的老師傅，教你把最基本的工具磨得非常鋒利，至於最新的CNC機颱操作，可能就需要額外的進修。所以，如果你是以穩紮穩打、確保拿到基本分數為目標，這本書的穩定性是極高的；但如果你想在特定高階領域展現齣超群的知識，可能需要搭配更專業、更即時更新的專書。

评分☆☆☆☆☆

坦白講，電子學這科，對某些人來說就是天書，尤其是那些數學底子沒那麼好的同學，看到一堆微積分、複數運算就先投降瞭。我當初就是這種情況，對於RLC電路裡的相位角計算，總是一頭霧水。這本攻略書在處理這些數學工具時，錶現得算是「接地氣」。它並沒有刻意避開數學，但它提供瞭解釋數學背後的「物理意義」，這點非常重要。舉例來說，當它解釋交流電路阻抗 $Z$ 的概念時，它不僅僅是寫齣 $Z = R + jX$ 這個公式，而是用瞭一個很直覺的比喻，把電阻想像成行駛在平坦道路上的阻力，而電抗（電感或電容）則像是上坡或下坡的路段，強迫你耗費額外的心力去「爬升」或「洩力」，進而影響到整體的「前進速度」（電流）。這種將抽象數學具象化的手法，讓我在麵對不同頻率下的電路響應時，可以快速判斷齣大緻的趨勢，而不需要每次都從頭把公式推導一遍。當然，如果你是數理天纔，或許會覺得這種解釋有點「囉嗦」，但對於我這種需要多重輔助纔能理解的學習者來說，這種「口語化」的教學風格，真的讓我對這科產生瞭信心。