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本书译自Hong Xiao(萧宏) 原着「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半导体制程相关加工技术之介绍与各种加工原理之说明与应用，是半导体制程实务最为鉅细靡遗的着作。本书适用于公私立大学、科大、技术学院，电子、电机、资工、机械系『半导体工程』、『半导体制程』、『半导体导论』课程使用。

本书特色

　　1.本书延续上一版，极完整的章节架构，并更新了各相关新技术。

　　2.本书的内容集中在最新的积体电路制程技术同时也兼顾较旧的技术以便读者对积体电路制程技术的历史发展有更完整的了解。

　　3.本书提供半导体制程相关加工技术之介绍与各种加工原理之说明与应用，使学生熟悉各种加工原理及其应用领域，以作为投入电子工业之基础训练课程。

第一章 导论 1
1.1 积体电路发展历史 3
1.2 积体电路发展回顾 14
1.3 本章总结 22
习题 22
参考文献 22

第二章 积体电路制程介绍 25
2.1 积体电路制程简介 26
2.2 积体电路的良率 26
2.3 无尘室技术 30
2.4 积体电路制程区间基本结构 38
2.5 积体电路测试与封装 48
2.6 积体电路未来发展趋势 55
2.7 本章总结 56
习题 57
参考文献 58

第三章 半导体基础 59
3.1 半导体基本概念 60
3.2 半导体基本元件 64
3.3 积体电路晶片 75
3.4 积体电路基本制程 79
3.5 互补式金属氧化物电晶体 86
3.6 2000后半导体制程发展趋势 90
3.7 本章总结 92
习题 93
参考文献 93

第四章 晶圆制造 95
4.1 简介 96
4.2 为什么使用硅材料 96
4.3 晶体结构与缺陷 98
4.4 晶圆生产技术 101
4.5 磊晶硅生长技术 109
4.6 基板工程 117
4.7 本章总结 121
习题 122
参考文献 122

第五章 加热制程 125
5.1 简介 126
5.2 加热制程的硬体设备 126
5.3 氧化制程 130
5.4 扩散制程 150
5.5 退火过程 155
5.6 高温化学气相沉积 159
5.7 快速加热制程(RTP)系统 167
5.8 加热制程发展趋势 174
5.9 本章总结 176
习题 177
参考文献 178

第六章 微影制程 179
6.1 简介 180
6.2 光阻 181
6.3 微影制程 184
6.4 微影技术的发展趋势 210
6.5 安全性 228
6.6 本章总结 229
习题 231
参考文献 232

第七章 电浆制程 235
7.1 简介 236
7.2 电浆基本概念 236
7.3 电浆中的碰撞 238
7.4 电浆参数 242
7.5 离子轰击 247
7.6 直流偏压 249
7.7 电浆制程优点 251
7-8 电浆增强化学气相沉积及电浆蚀刻反应器 255
7.10 高密度电浆制程 260
7.11 本章总结 262
习题 263
参考文献 263

第八章 离子佈植制程 265
8.1 简介 266
8.2 离子佈植技术简介 273
8.3 离子佈植技术硬体设备 281
8.4 离子佈植制程过程 290
8.5 安全性 304
8.6 离子佈植技术发展趋势 306
8.7 本章总结 308
习题 309
参考文献 310

第九章 蚀刻制程 311
9.1 蚀刻制程简介 312
9.2 蚀刻制程基础 314
9.3 湿式蚀刻制程 320
9.4 电浆(干式)蚀刻制程 325
9.5 电浆蚀刻制程 338
9.6 蚀刻制程发展趋势 357
9.7 蚀刻制程未来发展趋势 359
9.8 本章总结 361
习题 362
参考文献 362

第十章 化学气相沉积与介电质薄膜 365
10.1 简介 366
10.2 化学气相沉积 368
10.3 介电质薄膜的应用 385
10.4 介电质薄膜特性 393
10.5 介电质CVD制程 406
10.6 涂佈旋涂硅玻璃 420
10.7 高密度电浆CVD (HDP-CVD) 421
10.8 介电质CVD反应室清洁 424
10.9 制程发展趋势与故障排除 428
10.10 化学气相沉积制程发展趋势 434
10.11 本章总结 441
习题 443
参考文献 444

第十一章 金属化制程 447
11.1 简介 448
11.2 导电薄膜 450
11.3 金属薄膜特性 464
11.4 金属化学气相沉积 472
11.5 物理气相沉积 481
11.6 铜金属化制程 493
11.7 安全性 499
11.8 本章总结 499
习题 501
参考文献 502

第十二章 化学机械研磨制程 503
12.1 简介 504
12.2 CMP硬体设备 514
12.3 CMP研磨浆 517
12.4 CMP基本理论 523
12.5 CMP制程过程 529
12.6 CMP制程发展趋势 538
12.7 本章总结 539
习题 540
参考文献 542

第十三章 半导体制程整合 545
13.1 简介 546
13.2 晶圆准备 546
13.3 隔离技术 548
13.4 井区形成 554
13.5 电晶体制造 557
13.6 金属高k闸极MOS 561
13.7 互连技术 565
13.8 钝化 574
13.9 总结 575
习题 575
参考文献 576

第十四章 IC制程技术 577
14.1 简介 578
14.2 上世纪80年代CMOS制程流程 578
14.3 上世纪90年代CMOS制程流程 582
14.4 2000年代CMOS制程流程 596
14.5 2010年代CMOS制程流程 615
14.6 记忆体晶片制造制程 627
14.7 本章总结 644
习题 645
参考文献 646

第十五章 半导体制程发展趋势和总结 649
参考文献 656

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