具体描述
本书内容包含微波半导体元件与模型、射频放大器、功率放大器与线性化技术、振盪器及混频器。且特别注重文献参考资料，以彰显射频知识的传承。另外为增加思考广度，列举了不同的电路分析方法。本书适用于私立大学、科大电子系「射频系统导论」之相关课程。
本书特色
1.针对无线通讯产品中之射频晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作详尽之介绍。
2.列举各种设计理论和分析方法，以增加思考广度。
3.重视文献回顾，以彰显射频知识的沿革。
4.提供模拟和实作例题，以便使读者更加了解射频晶片。
本书特色
1.针对无线通讯产品中之射频晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作详尽之介绍。
2.列举各种设计理论和分析方法，以增加思考广度。
3.重视文献回顾，以彰显射频知识的沿革。
4.提供模拟和实作例题，以便使读者更加了解射频晶片。
著者信息
图书目录
第7章 半导体元件与模型
7.1 半导体物理概述 2
7.2 二极体元件 17
7.3 双极性电晶体(Bipolar Junction Transistor , BJT) 26
7.4 异质接面双极性电晶体(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT) 32
7.5 接面场效电晶体(Junction Field Effect Transistor, JFET) 35
7.6 金氧半场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 37
7.7 金半场效电晶体(Metal- Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET) 42
7.8 高速电子移动电晶体(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 43
7.9 半导体参数测试及元件特性分析 47
7.10 微波元件特性及模型 49
第8章 射频放大器
8.1 混成射频放大器与单晶射频放大器 66
8.2 输出与输入功率的比值-增益 69
8.3 讯号波流理论(Signal Flow Theory) 73
8.4 稳定度分析 83
8.5 消除不稳定的方法 91
8.6 直流偏压电路 103
8.7 单向增益匹配 108
8.8 双向增益匹配 111
8.9 功率匹配 115
8.10 杂讯匹配 119
8.11 设计实例 125
第9章 功率放大器与线性化技术
9.1 功率放大器特性之概述 148
9.2 功率放大器之类别 150
9.3 克里普斯(Cripps)负载线法 166
9.4 负载拉挽方法(Load-Pulling Method) 175
9.5 回馈线性化技术 177
9.6 前馈线性化(Feedforward Linearization)技术 184
9.7 前置失真技术(Pre-Distortion) 186
9.8 封包消弭与回复技术(Envelope Elimination and Restoration) 188
9.9 功率放大器设计实例 189
第10章 振盪器
10.1 简介 200
10.2 形成振盪的必要条件-小讯号负电阻分析法 202
10.3 形成振盪的必要条件-小讯号回授分析法 206
10.4 形成振盪的必要条件-小讯号S参数分析法 211
10.5 形成振盪的充份且必要条件-根轨迹法 215
10.6 形成振盪的充份且必要条件-阻抗轨迹法 219
10.7 稳定振盪功率-大讯号Y参数分析法 226
10.8 稳定振盪功率-大讯号S参数分析法 230
10.9 负载拉挽效应 233
10.10 注入锁定效应 236
10.11 评估振盪器效能之各项参数 238
10.12 设计实例 241
第11章 混频器
11.1 混频器之发展与效能参数 260
11.2 单端二极体混频器 264
11.3 单平衡二极体混频器 275
11.4 双平衡二极体混频器 294
11.5 单闸极MESFET混频器 302
11.6 双闸极MESFET混频器 306
11.7 平衡型MESFET混频器 308
11.8 电阻型MESFET混频器 312
11.9 单端MOSFET混频器 316
11.10 平衡型MOSFET混频器 318
11.11 电阻型MOSFET混频器 330
11.12 平衡型BJT混频器 332
11.13 次谐波驱动混频器 333
11.14 镜像拒斥降频器 336
11.15 单边带升频器 339
A 索引
7.1 半导体物理概述 2
7.2 二极体元件 17
7.3 双极性电晶体(Bipolar Junction Transistor , BJT) 26
7.4 异质接面双极性电晶体(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT) 32
7.5 接面场效电晶体(Junction Field Effect Transistor, JFET) 35
7.6 金氧半场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 37
7.7 金半场效电晶体(Metal- Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET) 42
7.8 高速电子移动电晶体(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 43
7.9 半导体参数测试及元件特性分析 47
7.10 微波元件特性及模型 49
第8章 射频放大器
8.1 混成射频放大器与单晶射频放大器 66
8.2 输出与输入功率的比值-增益 69
8.3 讯号波流理论(Signal Flow Theory) 73
8.4 稳定度分析 83
8.5 消除不稳定的方法 91
8.6 直流偏压电路 103
8.7 单向增益匹配 108
8.8 双向增益匹配 111
8.9 功率匹配 115
8.10 杂讯匹配 119
8.11 设计实例 125
第9章 功率放大器与线性化技术
9.1 功率放大器特性之概述 148
9.2 功率放大器之类别 150
9.3 克里普斯(Cripps)负载线法 166
9.4 负载拉挽方法(Load-Pulling Method) 175
9.5 回馈线性化技术 177
9.6 前馈线性化(Feedforward Linearization)技术 184
9.7 前置失真技术(Pre-Distortion) 186
9.8 封包消弭与回复技术(Envelope Elimination and Restoration) 188
9.9 功率放大器设计实例 189
第10章 振盪器
10.1 简介 200
10.2 形成振盪的必要条件-小讯号负电阻分析法 202
10.3 形成振盪的必要条件-小讯号回授分析法 206
10.4 形成振盪的必要条件-小讯号S参数分析法 211
10.5 形成振盪的充份且必要条件-根轨迹法 215
10.6 形成振盪的充份且必要条件-阻抗轨迹法 219
10.7 稳定振盪功率-大讯号Y参数分析法 226
10.8 稳定振盪功率-大讯号S参数分析法 230
10.9 负载拉挽效应 233
10.10 注入锁定效应 236
10.11 评估振盪器效能之各项参数 238
10.12 设计实例 241
第11章 混频器
11.1 混频器之发展与效能参数 260
11.2 单端二极体混频器 264
11.3 单平衡二极体混频器 275
11.4 双平衡二极体混频器 294
11.5 单闸极MESFET混频器 302
11.6 双闸极MESFET混频器 306
11.7 平衡型MESFET混频器 308
11.8 电阻型MESFET混频器 312
11.9 单端MOSFET混频器 316
11.10 平衡型MOSFET混频器 318
11.11 电阻型MOSFET混频器 330
11.12 平衡型BJT混频器 332
11.13 次谐波驱动混频器 333
11.14 镜像拒斥降频器 336
11.15 单边带升频器 339
A 索引
图书序言
图书试读
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