半导体干蚀刻技术 pdf epub mobi txt 电子书下载 2024

图书介绍

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著者

出版者出版社：白象文化订阅出版社新书快讯新功能介绍

翻译者译者：倪志荣

出版日期出版日期：2015/03/01

语言语言：繁体中文

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发表于2024-11-30

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图书描述

　　日本生产工程权威奖项得主力作，图解与表格详实，带领工程师掌握半导体干蚀刻技术的全貌，提升现场即战力。

　　◎作者于1989年，以「有磁场微波电浆蚀刻技术的开发与实用化」受奖大河内纪念赏。1994年，以「低温干蚀刻设备的开发」受奖机械振兴协会赏通产大臣赏。
　　◎图解干蚀刻技术的原理与实务，让你一读即懂。
　　◎由制程直到设备、新技术，更进一步设置有关电浆损伤的章节，以便理解全貌并了解干蚀刻今后的课题与展望。

　　针对半导体干蚀刻技术涉及的电浆物理、化学、材料、电磁等复杂现象，循序解析，详解各环节的连带影响，提升现场即时应变的作战能力，为优秀工程师养成必备的工具书！

　　非等向性蚀刻是如何实现？为何Si的蚀刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蚀刻则使用氟碳系列的气体？为何Poly-Si及Al的蚀刻使用ICP（电感耦合式电浆）之类的高密度电浆，而SiO2的蚀刻则使用中密度电浆于间距狭窄的平行板型蚀刻机？

　　本书告诉你这些连现场资深干蚀刻工程师都不见得充分理解的知识。
从干蚀刻技术的基础讲到应用，让初学者容易理解与整理；对于已有程度、经验的工程师而言，读之更加能理解、掌握干蚀刻技术的全貌。

　　《半导体干蚀刻技术》精彩内容请看：www.pressstore.com.tw/freereading/9789863581291.pdf

著者信息

作者简介

野尻一男（Nojiri Kazuo）

　　■1973年　群马大学工学部电子工学科毕业。
　　■1975年　群马大学大学院工学研究科硕士课程修毕。
　　■1975年　进入日立制作所。在半导体事业部从事CVD、元件整合、干蚀刻的研究开发。尤其是关于ECR电浆蚀刻、充电损伤，进行先驱的研究。而且担任技术开发的领导，历任许多经理职务。
　　■2000年　进入Lam Research公司担任董事‧CTO至今。

　　主要受奖
　　■1989年　以「有磁场微波电浆蚀刻技术的开发与实用化」受奖大河内纪念赏。
　　■1994年　以「低温干蚀刻设备的开发」受奖机械振兴协会赏通产大臣赏。

　　主要着作
　　《先端电气化学》（丸善）共着
　　《半导体プロセスにおけるチャージング･ダメージ》(リアライズ社）共着

译者简介

倪志荣（Ni, Chih-Jung)

　　■1988年　国立清华大学毕业
　　■1991年　中日交流协会留日奖学生
　　■1993年　日本东京大学工学院硕士
　　■2014年　中部科学园区模范劳工
　　■曾任地球村美日语中心日语讲师

　　现职华邦电子公司模组技术发展部经理，从事DRAM与Flash的制程研发。

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图书目录

序言

译者序

第１章　半导体积体电路的发展与干蚀刻技术
1.1 干蚀刻的概要
1.2 关于干蚀刻的评鑑参数
1.3 在大型积体电路上干蚀刻技术所扮演的角色
参考文献

第２章　干蚀刻的机制
2.1 电浆的基础
1 电浆是什么
2 电浆的各物理量
3 电浆中的碰撞反应过程
2.2 离子鞘以及离子鞘内的离子行为
1 离子鞘与Vdc
2 离子鞘内的离子散射
2.3 蚀刻制程的建构方法
1 干蚀刻的反应过程
2 非等向性蚀刻的机制
3 侧壁保护过程
4 蚀刻率
5 选择比
6 总结
参考文献

第３章　各种材料的蚀刻
3.1 闸极蚀刻
1 Poly-Si闸极蚀刻
2 晶圆面内CD均匀度的控制
3 WSi2／Poly-Si闸极蚀刻
4 W／WN／Poly-Si闸极蚀刻
5 Si基板的蚀刻
3.2 SiO2蚀刻
1 SiO2蚀刻的机制
2 SiO2蚀刻的关键参数
3 孔洞系列的蚀刻
4 SAC蚀刻
5 Spacer蚀刻
3.3 连线蚀刻
1 Al连线蚀刻
2 Al连线的防腐蚀处理技术
3 其它连线材料的蚀刻
3.4 总结
参考文献

第４章　干蚀刻设备
4.1 干蚀刻设备的历史
4.2 圆筒型电浆蚀刻机
4.3 CCP电浆蚀刻机
4.4 磁电管RIE
4.5 ECR电浆蚀刻机
4.6 ICP电浆蚀刻机
4.7 干蚀刻设备的实例
4.8 静电吸盘
1 静电吸盘的种类以及吸附原理
2 晶圆温度控制的原理
参考文献

第５章　干蚀刻损伤
5.1 导入Si表层的损伤
5.2 充电损伤
1 充电损伤的评鑑方法
2 充电的发生机制
3 各种蚀刻设备的充电评鑑与减低方法
4 起因于图形的闸极氧化层破坏
参考文献

第６章　新蚀刻技术
6.1 Cu 镶嵌蚀刻
6.2 Low-k蚀刻
6.3 使用多孔型Low-k的镶嵌连线
6.4 金属闸极／High-k蚀刻
6.5 FinFET蚀刻
6.6 双重图形定义
6.7 用于3D IC的蚀刻技术
参考文献

第７章　干蚀刻技术今后的课题与展望
7.1 关于干蚀刻的技术革新
7.2 今后的课题与展望
7.3 作为工程师的心理准备
参考文献

图书序言

第3章　各种材料的蚀刻

在本章，针对实际被使用于半导体制造程序的材料的蚀刻作解说。关于半导体制程的蚀刻大致分为：(1)Si系列的蚀刻；(2）介电层系列的蚀刻；(3）连线材料的蚀刻。在本章，举例在各范畴中构成基础技术的闸极蚀刻、孔洞系列的SiO2蚀刻、间隙壁蚀刻以及Al合金层积金属结构的蚀刻，针对这些作详细说明。在此并不侷限于只是各论，关于支配蚀刻的参数及其控制方法，也能够理解的作解说。构成方式是关于这些蚀刻如果能先加以理解，对于其它材料也能有效的应用。例如，在闸极蚀刻，虽然针对Poly-Si闸极、WSi2/Poly-Si闸极、W/WN/Poly-Si闸极的蚀刻叙述，但是如果完全的理解这些，关于STI及W连线等的蚀刻，也能够以类似的途径构筑制程。而且在闸极蚀刻，不仅是加工形状，晶圆面内的图型尺寸的偏差该如何降低，也是强烈的被要求。关于这点，也从支配图型尺寸的晶圆面内均匀度的参数为何，还有其控制方法为何的观点，加以解说。

SiO2的蚀刻机制与Si系列不同，而且适合蚀刻的电浆也不同。因此在本章针对蚀刻机制，以及支配蚀刻的关键参数，也深入的解说，并且能够理解气体系统的构成方法，以及间距狭窄的平行板型蚀刻机被使用的理由等。

在Al连线蚀刻方面，也谈论到在制造工程上造成问题的Al腐蚀，并且针对其对策方法作解说。此外，关于连线，取代Al连线的Cu镶嵌连线技术目前已成为主流，关于这点则在第六章的「新蚀刻技术」中叙述。

3.1 闸极蚀刻

首先一开始针对闸极蚀刻作叙述。闸极蚀刻的工程流程如同已经在第一章的图1-5所说明。闸极乃决定电晶体特性的重要部分，特别是由于MOS电晶体的临界电压（Vth）取决于闸极尺寸，蚀刻完成后的尺寸（CD）的控制非常重要。在65nm之后的节点，逻辑元件的物理上闸极长度变成在45nm以下，接近25nm。在该处，不仅是CD本身的精度，CD的晶圆面内的偏差也强烈的被要求抑制变低。例如，在CD为30nm的闸极，就300mm晶圆面内的CD均匀度（3σ）而言，被要求须在3nm以下。蚀刻形状理所当然被要求垂直形状，而且，随着微缩化的同时，对于愈来愈薄膜化的闸极氧化层，被要求须有高选择比。就闸极材料而言，在逻辑元件是Poly-Si，而在DRAM则是WSi2/Poly-Si或W／WN／Poly-Si层积结构被使用中。