數位邏輯閘如何用電晶體實現

數位邏輯閘如何用電晶體實現 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

李傢同
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具體描述

  專門為資訊係學生寫的電晶體類比電路。
  電腦的最低層都是由電晶體和其他元件所構成,身為資訊係學生,一定要瞭解的知識!

  大傢都知道電腦內部的線路都是所謂的數位電路,也就是說,電路的元件是一些AND gate、OR gate等等,但是如果打開任何一個晶片,裡麵的元件卻是電晶體、電阻、電容等等。換言之,任何一個數位電路都要被轉換成一個由電晶體、電阻、電容等元件的電路,這種電路就是類比電路。

  很多同學都對類比電路感到害怕,資訊係同學更是如此,因為他們不太熟悉電晶體。

  雖然類比電路不容易學,但是由數位電路對應的類比電路卻是很容易理解的,因此我們決定寫下這本書,使很多資訊係同學能夠對類比電路多一些瞭解。

  在這本書中,我們將很多專有名詞保持英文版,道理很簡單,同學們應該盡量多懂英文,在職場中,科技名詞仍是用英文的。

  這本書是為瞭資訊係的學生寫的,的確資訊係的學生不可能搞懂類比電路,但是讀瞭這本書,相信大傢會比較瞭解電腦的最低層是怎麼一迴事,因為電腦的最低層都是由電晶體和其他元件所構成的。資訊係的學生總不能完全不瞭解一個電腦的最低層吧!

 
邏輯的基石:探索現代電子電路的實現原理 本書旨在為讀者深入剖析現代電子設備中最基礎也最重要的組成部分——邏輯門電路的物理實現。我們專注於探究,那些在數字世界中扮演“是”與“非”角色的基本邏輯運算,是如何通過半導體器件的巧妙組閤而被構建齣來的。 在信息時代的浪潮中,無論是智能手機的處理器、計算機的內存,還是復雜的控製係統,其核心功能都建立在一層又一層的邏輯判斷之上。這些判斷的最小執行單位,就是邏輯門。然而,要理解數字世界的強大效能,就必須迴溯到這些邏輯門是如何在物理層麵被構造齣來的。本書將聚焦於晶體管(尤其是現代電子學中最核心的MOSFET,即金屬氧化物半導體場效應晶體管)如何被用作開關,從而實現布爾代數中的基本運算,如與(AND)、或(OR)、非(NOT)、異或(XOR)等。 第一部分:從基礎物理到開關元件 要理解數字邏輯的實現,我們必須首先建立對半導體物理的紮實認識。本部分將從原子結構和能帶理論入手,解釋半導體材料(如矽)的獨特性質,以及如何通過摻雜(N型和P型)來控製其導電性。 1.1 半導體的基本性質與摻雜 我們將詳細介紹電子和空穴的概念,它們如何在電場作用下形成電流。晶體管的運作正是基於對這些載流子流動的精確控製。我們會探討P型和N型半導體的形成過程,以及它們的費米能級如何決定瞭材料的導電特性。 1.2 晶體管的誕生:二極管與PN結 在進入復雜的三端器件之前,我們將用一章的篇幅來解析PN結。PN結是所有半導體器件的基石,它的單嚮導電性是構建二極管的基礎。瞭解PN結的反嚮和正嚮偏置特性,是理解晶體管作為可控開關的關鍵前奏。 1.3 MOSFET:現代數字電路的肌肉 本部分的核心內容是MOSFET——金屬氧化物半導體場效應晶體管。我們將詳細解構其結構,包括源極(Source)、漏極(Drain)、柵極(Gate)和襯底(Substrate)。重點在於柵氧層作為絕緣體的作用,它使得柵極能夠通過施加電壓來“感應”通道的形成或關閉,從而實現對源極到漏極電流的控製。我們將區分增強型(Enhancement Mode)和耗盡型(Depletion Mode)器件,並深入分析其工作在截止區、綫性區和飽和區的電學特性麯綫。 第二部分:邏輯門的單管實現與演變 掌握瞭晶體管作為開關的能力後,我們將進入如何利用這些開關來執行邏輯運算的階段。本部分將介紹早期的實現技術,並逐步過渡到占據現代數字電路主導地位的技術。 2.1 早期的邏輯實現:電阻晶體管邏輯(RTL)與二極管邏輯(DL)的局限 在晶體管技術尚未成熟的年代,早期的邏輯電路依賴於電阻和真空管(或早期的晶體管)。我們將分析RTL和DL的電路結構,並重點闡述它們在功耗、速度和集成度方麵存在的根本性缺陷,例如“扇齣”(Fan-out)能力差和噪聲容限低的問題。 2.2 極性反轉的魔力:實現非門(NOT Gate) 非門是所有邏輯運算的基礎。我們將展示如何僅用一個MOSFET,通過恰當的偏置和連接,完美地實現信號的邏輯反轉。這是理解推挽結構和CMOS技術的前提。 2.3 耦閤晶體管邏輯(CTL)與直接耦閤晶體管邏輯(DCTL)的過渡 在TTL齣現之前,這些技術曾是高速邏輯的重要嘗試。我們將分析它們如何利用晶體管的飽和特性來提高開關速度,同時也探討它們如何犧牲瞭電壓裕度,為後續技術的發展留下瞭改進空間。 第三部分:互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術的統治地位 CMOS技術因其極低的靜態功耗和優異的抗乾擾能力,成為瞭現代集成電路的絕對主流。本部分將聚焦於CMOS技術的原理及其在構建復雜邏輯功能中的應用。 3.1 CMOS的基本結構與工作原理 我們將詳細解析CMOS的反相器(Inverter)結構,其中P溝道MOSFET(PMOS)與N溝道MOSFET(NMOS)互補工作。當輸入為高電平時,NMOS導通而PMOS截止,輸齣被拉低;當輸入為低電平時,PMOS導通而NMOS截止,輸齣被拉高。這種“推挽”機製確保瞭輸齣電平能夠乾淨地擺動到電源軌和地之間,極大地提高瞭邏輯電平的清晰度。 3.2 構建基本邏輯門:NAND與NOR的“萬能性” 布爾代數的完備性理論指齣,僅通過NAND門或僅通過NOR門就可以構建齣所有其他邏輯功能。我們將展示在CMOS結構中,如何通過串聯(實現邏輯與)和並聯(實現邏輯或)的NMOS/PMOS對,簡潔高效地實現: CMOS NAND Gate: PMOS並聯,NMOS串聯。 CMOS NOR Gate: PMOS串聯,NMOS並聯。 我們將分析這些結構的對稱性和對偶性,並討論其在麵積和延遲上的權衡。 3.3 復閤邏輯門的實現 基於NAND和NOR,我們將進一步構建AND、OR、XNOR等復閤邏輯門。例如,AND門可以視為一個NOT門接在一個NAND門之後。我們將探討如何優化這些復閤結構,以最小化電路的層數(級數)和信號傳播延遲。 第四部分:高級功能與電路優化 現代數字係統對速度、麵積和功耗的要求永無止境。本部分將介紹如何通過優化邏輯門的實現,來滿足這些嚴苛的要求。 4.1 傳輸門與多路復用器 晶體管不僅可以作為邏輯運算的單元,也可以作為信號的“通路控製器”。我們將研究傳輸門(Transmission Gate)的結構,它由一對反嚮連接的CMOS對組成,可以實現近乎無損的雙嚮開關。基於傳輸門,我們將構建高效的2:1和4:1多路復用器(Multiplexer)和數據選擇器。 4.2 靜態與動態邏輯 隨著集成度提高,電路延遲成為瓶頸。我們將對比靜態邏輯(如標準CMOS)與動態邏輯(如CMOS的交錯式邏輯,Domino Logic)。動態邏輯通過犧牲靜態功耗換取更高的開關速度,適用於需要高速運算的場景,但同時也帶來瞭對時鍾信號質量和輸入信號約束的新要求。 4.3 功耗管理:亞閾值操作與低功耗設計 現代芯片麵臨的最大挑戰之一是功耗牆。我們將討論晶體管漏電流(Subthreshold Leakage)的來源,並介紹低功耗設計技術,例如: 電壓縮放(Voltage Scaling): 降低電源電壓對功耗的平方影響。 多閾值電壓(Multi-Vt)設計: 混閤使用高閾值電壓(慢但漏電小)和低閾值電壓(快但漏電大)的晶體管,以在性能和功耗之間取得平衡。 通過對這些核心概念的係統性講解,本書旨在讓讀者深刻理解:數字邏輯的抽象世界,最終依賴於對半導體材料中電子和空穴流動的精確控製。掌握晶體管的物理特性,是理解乃至創新未來電子係統的第一步。

著者信息

作者簡介

李傢同


  現為國立清華大學鈺寶科技榮譽講座教授。
  國立臺灣大學電機工程學係學士,美國加州大學柏剋萊校區電機及計算機博士。
  曾任靜宜大學校長、暨南大學校長、清華大學代理校長,以及總統府無給職資政等。
  研究領域為符號邏輯、演算法設計分析、生物計算、生物資訊等。
  曾獲得許多獎項的肯定,包括科技部連續五屆傑齣研究獎、教育部工科部學術獎、侯金堆傑齣榮譽獎等,同時也是美國電機電子學會榮譽會員。

侯冠維

  現為瑞昱半導體工程師。
  國立清華大學電機工程學係學士、碩士。曾任旺宏電子股份有限公司主任工程師。專長為積體電路設計與測試、半導體記憶體測試、可測性設計。
 

圖書目錄


第一章  電路的開關
第二章  NMOS電晶體
第三章  PMOS電晶體
第四章  CMOS和反嚮器
第五章  NAND Gate(反及閘)
第六章  NOR Gate(反或閘)
第七章  AND Gate(及閘)
第八章  OR Gate(或閘)
第九章  XOR Gate(互斥或閘)
第十章  Latch(閂鎖器)
第十一章  Flip Flop(正反器)
第十二章  Multiplexer(多工器)
第十三章  Decoder(解碼器)
第十四章  Matching(比對)
第十五章  Adder(加法器)

 

圖書序言

  • ISBN:9789570872095
  • 規格:平裝 / 88頁 / 14.8 x 21 x 0.6 cm / 普通級 / 單色印刷 / 初版
  • 齣版地:颱灣

圖書試讀

用戶評價

评分

我個人認為,這本書的深度和廣度,使其超越瞭一般的入門讀物,達到瞭可以作為專業參考書的高度。作者在論述完基本的CMOS邏輯門之後,很自然地過渡到瞭更高級的主題,比如靜態電路與動態電路的功耗差異對比,以及噪聲容限的量化分析。這些內容的處理非常成熟,既保留瞭理論的嚴謹性,又沒有陷入純粹的數學推導泥潭。例如,在討論靜電放電(ESD)保護機製時,作者並未簡單地給齣標準電路圖,而是分析瞭不同保護元件在應對高壓瞬態事件時,其內部材料特性的響應速度差異。這種對“邊界條件”的關注,是區分優秀工程師和閤格操作員的關鍵。總而言之,這是一部能夠提升從業者底層架構認知水平的著作,它的價值在於提供瞭一種構建穩固電子工程思維的基石。

评分

這本書的實用價值,在於它提供瞭一個堅實的“自下而上”的視角,這在當前許多側重於係統級或軟件定義的電子設計領域中,顯得尤為珍貴。我們現在很多設計都是基於現成的IP核或高層抽象的Verilog代碼,忘記瞭這些抽象背後最基礎的物理實現邏輯。本書則強迫讀者重新審視“0”和“1”是如何在電子世界中被物理地構造齣來的。它探討瞭亞閾值導通電流、柵氧化層的擊穿極限,以及如何通過調整柵極氧化層厚度來影響邏輯門的開關速度。這些信息雖然在日常的FPGA設計中可能不會被直接用到,但它們構成瞭工程師對電路穩定性和可靠性做齣判斷的底層知識儲備。讀完後,我對任何看似簡單的開關操作背後所蘊含的能量、速度和物理限製,都有瞭更深刻的敬畏感。它不是教你如何快速搭一個電路,而是教你如何真正理解電路的“生命力”所在。

评分

盡管主題聚焦於底層的晶體管實現,這本書在排版和圖示方麵也做得非常到位。很多技術書籍在這方麵往往因為成本考慮而草草瞭事,導緻復雜的電路圖晦澀難懂。但這本書的插圖,尤其是那些剖麵圖和波形圖,綫條清晰,標注精準,色彩對比度適宜,極大地提高瞭閱讀效率。我特彆喜歡作者在介紹CMOS反相器工作原理時使用的那組動態圖示——雖然隻是靜態印刷品,但通過精妙的布局,讀者仿佛能看到電壓閾值變化時,內部PMOS和NMOS晶體管的溝道區域是如何被精確控製的。這種對細節的關注,體現瞭作者對讀者的尊重。閱讀過程中,我幾乎不需要頻繁地在文字和圖示之間來迴跳轉來確認信息,因為信息是高度內聚和互補的。這種排版上的用心,極大地緩解瞭長時間研讀硬核技術資料可能帶來的視覺疲勞。

评分

這本書的封麵設計簡潔明瞭,黑底白字,透露齣一種嚴謹的學術氣息。我本以為內容會是那種枯燥乏味的教科書式敘述,畢竟“數位邏輯閘如何用電晶體實現”這個標題本身就帶著一種硬核技術的味道。然而,翻開第一頁,我就被作者清晰的思路和深入淺齣的講解方式所吸引。他沒有一上來就堆砌復雜的電路圖和公式,而是從最基本的半導體物理原理講起,娓娓道來,像是在和一位初學者耐心地對話。這種循序漸進的教學方法,極大地降低瞭理解復雜電路的門檻。特彆是關於MOSFET開關特性的分析部分,作者用瞭很多生動的比喻,將電子的運動和費米的能級變化描述得栩栩如生。讀到這裏,我感覺自己仿佛站在瞭微觀世界的邊緣,親眼見證著邏輯功能的誕生。這本書的結構安排非常巧妙,每一章的知識點都環環相扣,為讀者構建瞭一個堅實而完整的知識體係。對於那些希望從理論層麵徹底搞懂數字電路底層架構的工程師和學生來說,這本書無疑是一份極其寶貴的參考資料。它不僅僅告訴你“是什麼”,更重要的是解釋瞭“為什麼是這樣”。

评分

這本書的文字功底令人印象深刻,它成功地將高度抽象的電子工程概念轉化為瞭清晰、易於消化的文本。我特彆欣賞作者在處理那些曆史遺留的或約定俗成的術語時的嚴謹態度。例如,在討論不同類型的邏輯族(如TTL和CMOS)的演變時,作者沒有簡單地羅列它們之間的差異,而是深入剖析瞭驅動它們發展的根本技術瓶頸和工程需求。這使得讀者在學習技術細節的同時,也能理解技術進步背後的宏觀驅動力。其中有一段關於延遲和功耗權衡的討論,作者用瞭一種近乎哲學思辨的筆觸,探討瞭在集成度不斷提高的背景下,設計人員如何在地平綫上尋找那個“甜點”。這種超越純粹技術說明的洞察力,讓這本書的閱讀體驗遠超一本技術手冊。它更像是一部關於信息處理基礎的編年史,記錄瞭人類如何用矽片模擬思維過程的偉大曆程。

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