IC封装制程与CAE应用(第三版)

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具体描述

  本书除了对IC封装类型、材料、制程、新世代技术有深入浅出的介绍外,针对电脑辅助工程(Computer-Aided Engineering,CAE) 的应用有更详细的描述;从IC封装制程(晶圆切割、封胶、联线技术..)、IC元件的介绍(PLCC、QFP、BGA..)、MCM等封装技术到CAE工程分析应用在IC封装,能使读者在IC封装制程的领域有更多的收获!本书适合大学、科大电子、电机系"半导体制程"课程或相关业界人士及有兴趣之读者使用。

本书特色

  1.提供一完整IC封装资讯的中文图书。

  2.提供IC封装产业及其先进封装技术的学习。

  3.使读者了解CAE工程在IC封装制程的相关应用。

  4.适用于大学、科大电子、电机系「半导体制程」课程或相关业界人士及有兴趣之读者。

《半导体封装技术进展与未来趋势》 内容简介 本书深入探讨了当前半导体封装领域的前沿技术、关键挑战以及未来的发展方向。全书结构严谨,内容涵盖了从传统封装技术到先进封装架构的广泛议题,旨在为行业工程师、研究人员以及高等院校师生提供一本全面、深入且富有洞察力的参考书。 第一部分:封装技术基础与材料科学 本部分首先回顾了半导体封装的历史演变,重点阐述了摩尔定律在封装层面的挑战与应对策略。 第一章:封装基础理论与材料体系 详细介绍了封装的基本物理原理,包括热管理、机械应力分析以及电学性能要求。重点剖析了当前主流封装材料的特性及其适用范围,包括: 引线键合材料: 介绍了金、铜、铝等不同金属丝的力学性能、电学特性及其在高速信号传输中的局限性。讨论了超声波能量控制在保证键合质量中的关键作用。 塑封材料(EMC): 深入分析了环氧塑封料的固化机理、热膨胀系数(CTE)匹配的重要性,以及在潮湿敏感性(MSL)测试中材料选择的关键考量。 封装基板材料: 区分了有机基板(BT树脂、Polyimide)与无机基板(如陶瓷、硅基板)的性能差异,特别关注了高频应用中对低损耗材料(Low-Loss Material)的需求,如Ajinomoto Build-up Film (ABF) 的发展脉络。 介电与缓冲材料: 探讨了在倒装芯片(Flip Chip)结构中,使用环氧底部填充胶(Underfill)的目的、流变学特性以及如何优化填充效率以消除空洞。 第二章:先进封装的驱动力与关键指标 本章分析了系统级集成(System Level Integration, SLI)对封装技术提出的新要求,特别是异构集成(Heterogeneous Integration)的背景。讨论了衡量封装性能的关键指标: I/O 密度与间距(Pitch): 分析了从引线键合到微凸点(Micro-bump)阵列的演进,及其对良率和成本的影响。 热设计功耗(TDP)与热阻: 详细讲解了热阻的计算模型,从结到壳($R_{ heta JC}$)和从结到环境($R_{ heta JA}$),并对比了不同的热界面材料(TIM 1 和 TIM 2)的热导率及其在实际应用中的选择标准。 可靠性工程: 深入阐述了封装结构在温度循环(TCN)、高低温存储(HTS)、以及湿气敏感性等级(MSL)等标准下的失效模式分析,特别是对BGA和CSP器件的疲劳寿命预测。 第二部分:主流封装技术深度解析 本部分聚焦于当前产业中应用最为广泛且技术迭代最快的封装技术。 第三章:引线键合(Wire Bonding)技术的精进 尽管是传统技术,引线键合仍在持续优化。本章详细描述了: 超细线键合: 针对高密度I/O需求,探讨了20微米甚至更细铜线的应用挑战,包括金丝和铜丝在不同气氛下的键合工艺窗口。 倒装芯片技术(Flip Chip Bonding): 全面解析了基于焊锡凸点(Solder Bump)的连接技术。内容涵盖了焊锡球的合金选择(如SAC体系)、回流焊曲线的优化、以及凸点阵列设计(Area Array Design)对热应力和电学性能的影响。重点区分了Pb-free与含铅工艺的差异。 非导电胶连接(NCP/NCF): 探讨了无需传统焊锡球的直接芯片连接技术,分析其在微小间距应用中的优势与工艺控制难点。 第四章:先进封装的突破:2.5D与3D集成 这是当前半导体封装领域最具战略意义的部分。 2.5D 硅中介层(Interposer)技术: 详细介绍了硅中介层在实现多个芯片(如GPU/HBM堆栈)并排连接中的作用。内容包括中介层的TSV(Through-Silicon Via)制造工艺(深孔刻蚀、TSV填充),以及如何通过光刻、薄化(Thinning)和晶圆键合(Bonding)技术实现高密度互连。 3D 堆叠(3D Stacking): 聚焦于垂直集成,特别是针对存储器(如HBM/V-NAND)和逻辑芯片的堆叠。深入分析了混合键合(Hybrid Bonding)技术,这是实现极小间距(亚微米级)和高I/O数量的关键,包括直接金属-金属接触的形成机制与表面准备工艺。 扇出型封装(Fan-Out): 详细对比了扇出晶圆级封装(FOWLP)和扇出面板级封装(FOPLP)。着重分析了重构晶圆(Reconstitution Wafer)的制作流程、模塑(Molding)过程中的应力管理,以及如何利用重布线层(RDL)实现更灵活的I/O布局。 第三部分:封装的可靠性、测试与制造优化 第五章:封装过程中的质量控制与测试 本章探讨了如何确保封装产品的长期可靠性和功能性。 失效分析(Failure Analysis, FA): 介绍了非破坏性测试(如X-Ray, C-Mode Scanning Acoustic Microscopy (CSAM))和破坏性测试(如Decapping, FIB Cross-sectioning)在识别封装缺陷中的应用。 封装测试与量测: 讨论了晶圆级测试(Wafer Level Test)与封装后测试(Post-Package Test)的策略差异,以及如何利用高精度量测技术(如激光共聚焦显微镜)来监控键合点的形貌和尺寸。 第六章:制造挑战与未来展望 本章展望了封装技术在特定应用领域的突破: 异构集成与Chiplet 架构: 探讨了在不同制造工艺节点(Node)下生产的Chiplet如何通过先进封装技术有效集成,实现系统的功能扩展。分析了互连协议(如UCIe)在封装层面的实现挑战。 新兴材料与工艺: 讨论了在更高频率(如毫米波通信)应用中对超薄封装、透明封装以及柔性封装(Flexible Packaging)材料的探索,例如聚合物基底和薄膜封装技术的应用前景。 全书强调理论与实践相结合,通过丰富的案例分析和工艺流程图解,旨在帮助读者建立对现代半导体封装复杂系统的全面认知。

著者信息

图书目录

1 前 言
1-1 封装的目的[1]1-1
1-2 封装的技术层级区分1-2
1-3 封装的分类1-4
1-4 IC封装技术简介1-4
1-5 IC封装的发展[4]1-5

2 IC封装制程
2-1  晶圆切割(Wafer Saw)2-1
2-2 晶片黏结2-3
2-3 联线技术2-5
2-3-1 打线接合(Wire Bonding)2-6
2-3-2 卷带自动接合(Tape Automated Bonding,TAB)[6][7]2-11
2-3-3 覆晶接合(Flip Chip,FC)2-13
2-4 封胶(Molding)2-15
2-5 剪切 / 成型(Trim/Form)2-17
2-6 印字(Mark)2-18
2-7 检测(Inspection)2-19

3 IC元件的分类 / 介绍
3-1 封装外型标准化的机构[1]3-1
3-2 IC元件标准化的定义3-4
3-2-1 依封装中组合的IC晶片数目来分类3-4
3-2-2 依封装的材料来分类3-4
3-2-3 依IC元件与电路板接合方式分类3-6
3-2-4 依引脚分佈型态分类3-7
3-2-5 依封装形貌与内部结构分类3-9
3-3 IC元件的介绍3-11
3-3-1 DIP3-11
3-3-2 SIP3-13
3-3-3 PGA3-14
3-3-4 SOP3-14
3-3-5 SOJ3-15
3-3-6 PLCC3-15
3-3-7 QFP3-16
3-3-8 BGA3-17
3-3-9 FC3-17

4 封装材料的介绍
4-1 封胶材料4-1
4-1-1 陶瓷材料4-1
4-1-2 固态封模材料(Epoxy Molding Compound,EMC)[1][2]4-2
4-1-3 液态封止材料(Liquid Encapsulant)[3]4-6
4-1-4 封装材料市场分析与技术现况[4]4-9
4-2 导线架4-10
4-2-1 导线架的材料[5][6]4-11
4-2-2 导线架的制造程序4-12
4-2-3 导线架的特性与技术现况[7]4-17
4-3 基 板4-18
4-3-1 基板的材料[8]4-19
4-3-2 基板的制造程序[7][8]4-20
4-3-3 基板的特性与技术现况[4][7]4-23

5 新世代的封装技术
5-1 MCM (Multi-Chip Module)5-1
5-1-1 多晶片模组的定义与分类5-3
5-1-2 多晶片模组的发展现况5-7
5-2 LOC (Lead-on-Chip)5-7
5-2-1 LOC的封装方式5-8
5-2-2 LOC封装的制程5-9
5-3 BGA (Ball Grid Array)5-11
5-3-1 BGA的定义、分类与结构5-12
5-3-2 BGA的优异性5-18
5-3-3 技术趋势和未来发展5-20
5-4 FC (Flip Chip)5-21
5-4-1 凸块接点制作5-24
5-4-2 覆晶接合5-33
5-4-3 底部填胶制程(Underfill)5-35
5-5 CSP (Chip Scale Package)5-37
5-5-1 CSP的构造5-38
5-5-2 CSP的制作方法5-40
5-5-3 CSP的特性5-42
5-5-4 CSP的发展现况5-44
5-6 COF(Chip on Flex or Chip on Film)5-46
5-6-1 COF的优点5-47
5-6-2 COF的缺点5-49
5-6-3 COF的现况与发展5-49
5-7 COG(Chip on Glass)5-50
5-7-1 驱动IC构装技术的介绍5-51
5-7-2 COG技术应用的关键材料5-52
5-7-3 目前COG的发展课题5-58
5-7-4 未来展望5-61
5-7-5 结论5-63
5-8 三次元封装 (3 Dimensional Package)5-63
5-8-1 三次元封装的特色及封装分类5-64
5-8-2 三次元封装技术的介绍5-70
5-8-3 三次元封装技术的应用和发展5-72

6 IC封装的挑战 / 发展
6-1 封装缺陷的预防6-1
6-1-1 金线偏移问题6-1
6-1-2 翘曲变形问题6-3
6-1-3 其他封装缺陷6-4
6-2 封装材料的要求和技术发展6-6
6-2-1 黏晶材料6-7
6-2-2 封胶材料[2][3]6-7
6-2-3 导线架、基板的技术发展[6]6-12
6-3 散热问题的规划[7][8][9][10]6-14
6-3-1 IC热传基本特性6-15
6-3-2 IC热阻量测技术与应用6-17
6-3-3 散热片(Heat Sink)的应用6-24
6-3-4 热管(Heat Pipe)的应用6-32
6-3-5 印刷电路板(PCB)之散热技术6-34
6-3-6 新型散热技术之发展6-43
6-3-7 3组不同封装型态的高密度元件热传改善探讨6-45
6-3-8 结 论6-50

7 CAE在IC封装制程的应用
7-1 CAE简介7-2
7-2 CAE的理论基础7-2
7-3 封装制程的模具设计7-4
7-4 封装制程的模流分析[7][8][9]7-4
7-5 封装制程的可靠度分析7-10
7-5-1 热应力与温度分佈的探讨7-10
7-5-2 金线偏移的预测7-10
7-5-3 翘曲变形的分析[14]7-15
7-5-4 钖球疲劳寿命的计算[15][16]7-21
7-5-5 钖球裂纹成长的分析7-24
7-5-6 覆晶底胶(Underfill)充填分析7-25
7-6 CAE工程分析应用在IC封装制程的案例介绍7-30
7-6-1 模流分析案例I:SAMPO_BGA 436L [9]7-30
7-6-2 模流分析案例II:SPIL_BGA 492L [9][36]7-37
7-6-3 模流分析案例III:SPIL_QFP 208L [9]7-46
7-6-4 金线偏移分析案例:SPIL_BGA 492L [9][36]7-55
7-6-5 翘曲变形分析案例:SAMPO_BGA 436L [14]7-58
7-6-6 翘曲变形分析案例:FCBGA7-71
7-6-7 疲劳寿命分析案例7-79
7-6-8 无铅钖球在温度循环试验下之可靠度评估7-83
7-6-9 Underfill分析案例I:钖球数量和凸块配置对充填流动的探讨7-95
7-6-10 Underfill分析案例II7-113
7-7 结 论7-130

8 电子封装辞汇
8-1 专业术语8-1

A IC导线架之自动化绘图系统
A-1 软体简介附A-1
A-2 佈线区域理论和参数化附A-2
A-2-1 佈线区域理论附A-2
A-2-2 佈线区域参数化附A-3
A-3 自动规划佈线区域之准则附A-4
A-3-1 主区域的选取与搜寻附A-5
A-3-2 内引脚端点位置的搜寻与计算附A-6
A-3-3 次区域的规划附A-7
A-3-4 金线之计算与绘制附A-8
A-4 案例研究附A-9
A-4-1 DIP 24 pins附A-10
A-4-2 QFP型附A-17
A-5 研究成果附A-22
A-6 未来展望附A-23

B 金线偏移分析软体
B-1 软体简介附B-1
B-2 CAE分析资料的汇入附B-3
B-3 金线资料的输入附B-4
B-3-1 金线材料性质的定义附B-4
B-3-2 模穴参考几何中心的定义附B-5
B-3-3 金线几何座标的输入附B-7
B-3-4 Fit Curve的绘制附B-9
B-3-5 实际金线偏移量的输入和显示附B-11
B-4 金线偏移量的计算附B-13
B-4-1 CAE网格资料的撷取附B-14
B-4-2 Gapwise Information附B-14
B-4-3 Calculated Information附B-15
B-4-4 金线偏移量的计算结果附B-16
B-4-5 撷取网格位置的显示附B-16
B-4-6 Circular Arch公式解的计算附B-18
B-5 分析结果的整合与汇出附B-18
B-5-1 ANSYS Log档的输出附B-18
B-5-2 金线偏移趋势的绘出附B-21
B-6 未来展望附B-22

图书序言

图书试读

用户评价

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看到《IC封装制程与CAE应用(第三版)》的消息,我简直太兴奋了!作为一名在封测行业打拼多年的工程师,我深知封装技术和CAE应用在我们日常工作中的重要性。随着半导体技术的飞速发展,IC封装已经从简单的保护器件,演变成了集成多芯片、实现高性能、高密度封装的关键技术。我一直在寻找一本既能全面覆盖最新封装制程,又能深入讲解CAE应用的权威书籍,而这一版似乎正是我苦苦寻找的。 我尤其期待在CAE应用部分,能够看到更详尽的关于可靠性仿真的内容。比如,在高加速寿命测试(HALT)和高加速应力测试(HASS)中,CAE如何帮助我们预测潜在的失效模式?在应对复杂的热应力、机械应力以及湿气渗透等问题时,CAE又扮演了怎样的角色?此外,对于一些新兴的封装技术,如扇出封装(Fan-Out)、CoWoS、InFO等,它们在设计和制程中都有哪些独特的CAE挑战?如果书中能够提供一些具体的仿真流程、参数设置的建议,甚至是针对不同封装类型失效机理的仿真案例分析,那对我来说将是无价的。我希望能通过这本书,进一步提升自己在CAE领域的专业能力,更好地为产品开发和制程优化做出贡献。

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《IC封装制程与CAE应用(第三版)》这本书,对我们这些在IC设计、制造、封测一线打拼多年的工程师来说,绝对是一本不可或缺的宝典。我记得我刚入行的时候,封装这块很多知识都得靠老前辈一句一句地传授,很多细节都是靠自己慢慢摸索。当时的CAE工具也远不如现在这么强大,很多复杂的物理现象,我们只能靠经验去判断。随着技术的发展,封装的复杂度呈几何级数增长,从传统的QFP、BGA,到现在的WLCSP、SiP、3D封装,每一种都有其独特的设计和制程挑战。 尤其是在CAE应用这一块,我一直觉得它能极大地提升我们的设计效率和产品良率。但问题在于,怎么把CAE工具用得恰到好处,用出价值来?这一版的出现,让我充满了期待。我希望它能更深入地讲解各种封装制程的物理原理,比如锡膏印刷、回流焊、固晶、打线、成型等工艺中可能出现的缺陷,以及如何通过CAE来预测和避免这些缺陷。在CAE应用方面,我特别关注它对高级封装技术的仿真能力,比如多芯片异构集成(Heterogeneous Integration)的可靠性分析,以及对于高频信号完整性(Signal Integrity)和电源完整性的仿真。如果能有更细致的案例分享,讲解如何针对具体问题搭建仿真模型,优化参数,并解读仿真结果,指导实际生产,那绝对是太有价值了。

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这本《IC封装制程与CAE应用(第三版)》的出现,可以说正合我意。我在某封装厂工作了几年,一直觉得自己在封装的理论知识上存在一些短板,尤其是对于一些非常规的、或是最新的封装技术,了解得不够深入。CAE的应用更是我的强项短板,虽然知道它很重要,但在实际工作中,常常是靠经验和运气在摸索。很多时候,我们都希望能够通过仿真来提前规避风险,优化设计,但苦于缺乏系统性的指导。 我尤其希望这一版能够更侧重于实际的工程问题解决。比如,在封装过程中,我们经常会遇到翘曲(Warpage)、分层(Delamination)、气泡(Void)等问题,这些问题如何通过CAE来有效预测和分析,并给出具体的解决方案?再者,对于先进的封装技术,例如2.5D/3D封装,其内部的应力分布、热管理以及可靠性评估,都比传统封装要复杂得多。我期待书中能够提供更深入的CAE应用案例,不仅仅是理论的讲解,更能结合实际的生产数据,来验证和优化仿真模型。比如,如何设置更精确的材料模型参数?如何进行网格划分以保证仿真精度?如何解读仿真结果并转化为实际的工艺改进建议?这些都是我们一线工程师非常关心的。

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这本《IC封装制程与CAE应用(第三版)》的书名一出来,我就知道这绝对是值得我深入研读的好书。我个人在半导体业界有几年经验,尤其是在封装设计和制程优化的领域,一直觉得这是一个既有挑战又充满机遇的行业。虽然我在工作中接触了不少封装的相关技术,但总觉得理论基础不够扎实,尤其是在CAE模拟这一块,很多时候都是在摸索和试错。以前看的一些旧版本或者其他资料,可能更新不够及时,无法涵盖当下最新的封装技术,比如一些微间距(Fine Pitch)的封装技术,以及多芯片模组(MCM)的集成难度,这些都需要更先进的CAE工具来辅助设计和验证。 我特别期待第三版在CAE的应用部分,能够有更多针对性的、贴近实际工程应用的案例。比如,在进行热管理仿真时,如何更精确地模拟散热器的效率?在进行应力分析时,如何更准确地评估不同封装材料的可靠性?还有,对于一些新兴的封装技术,如扇入型(Fan-In)和扇出型(Fan-Out)封装,它们在材料选择、应力分布、以及可靠性测试方面有哪些独特的挑战,CAE又扮演了怎样的角色?如果书里能提供一些具体的软件操作指导,甚至是一些常用的仿真脚本示例,那对我们这些一线工程师来说,绝对是如获至宝。希望这一版能在这方面提供更清晰、更实用的指引。

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哇,看到《IC封装制程与CAE应用(第三版)》上市,真的太让人期待了!想当年还在学校的时候,封装这块就一直是很多同学的痛点,理论知识好多,实际操作又觉得雾里看花,很多工程师都是边做边学,或者靠前辈一点点带。我记得当时学CAE的时候,尤其是涉及到封装这种复杂的物理过程,模拟参数的设置、网格的划分、结果的解读,那真的是一门艺术。很多文献都太过于理论化,公式一大堆,但真正想在实际制程中找到应用点,就需要一本既有深度又不失广度的参考书。 听说这一版更新了很多最新的技术和工艺,比如先进的扇出型封装(Fan-Out)、3D封装的一些新进展,还有在高密度互连(HDI)方面的工艺改进。这些都是现在产业界非常关注的热点,也是未来IC封装发展的重要方向。CAE应用方面,我特别好奇会不会加入更多关于可靠性仿真(Reliability Simulation)的内容,像是热应力、机械应力对焊点寿命的影响,以及电迁移(Electromigration)的预测。如果能有更详细的案例分析,能够指导我们在遇到实际问题时,如何运用CAE工具去分析,找到根本原因,提出解决方案,那就太棒了。毕竟,CAE不是万能的,但用得好,绝对是提升产品良率、缩短研发周期的利器。希望这一版能在这方面提供更扎实的指导。

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