本书以深入浅出的方式，系统性地介绍目前主流半导体元件(CMOS)之元件物理与制程整合所必须具备的基础理论、重要观念与方法、以及先进制造技术。内容可分为三个主轴：第一至第四章涵盖目前主流半导体元件必备之元件物理观念、第五至第八章探讨现代与先进的CMOS IC之制造流程与技术、第九至第十二章则讨论以CMOS元件为主的IC设计和相关半导体制程与应用。由于强调观念与实用并重，因此尽量避免深奥的物理与繁琐的数学；但对于重要的观念或关键技术均会清楚地交代，并尽可能以直观的解释来帮助读者理解与想像，以期收事半功倍之效。

　　本书宗旨主要是提供读者在积体电路制造工程上的 know-how 与 know-why；并在此基础上，进一步地介绍最新半导体元件的物理原理与其制程技术。它除了可作为电机电子工程、系统工程、应用物理、与材料工程领域的大学部高年级学生或研究生的教材，也可以作为半导体业界工程师的重要参考。

　　本书内容足以提供连续两学期的半导体元件物理与制程技术的课程。若是一个一学期的课程，则教师可以使用第一章至第五章的内容来讲授半导体元件物理；或是使用第一章与第五至第八章的内容来讲授现代半导体制程技术。

第一章　半导体元件物理的基础
　　1.1　半导体能带观念与载子浓度
　　1.2　载子的传输现象
　　1.3　支配元件运作的基本方程式
　　1.4　本章习题

第二章　P-N 接面
　　2.1　P-N接面的基本结构与特性
　　2.2　零偏压
　　2.3　逆向偏压
　　2.4　空乏层电容
　　2.5　单侧陡接面
　　2.6　理想的电流－电压特性
　　2.7　实际的电流－电压特性
　　2.8　接面崩溃现象与机制
　　2.9　本章习题

第三章　金氧半场效电晶体(MOSFET)的基础
　　3.1　MOS电容的结构与特性
　　3.2　理想的MOS(金氧半)元件
　　3.3　实际的MOS(金氧半)元件
　　3.4　本章习题

第四章　长通道MOSFET元件
　　4.1　MOSFET的基本结构与类型
　　4.2　基本操作特性之观念
　　4.3　电流－电压特性之推导
　　4.4　其他重要元件参数与特性
　　4.5　本章习题

第五章　短通道MOSFET元件
　　5.1　短通道元件的输出特性
　　5.2　短通道元件的漏电流现象
　　5.3　本章习题

第六章　CMOS制造技术与制程介绍
　　6.1　CMOS制造技术
　　6.2　CMOS制造流程介绍
　　6.3　本章习题

第七章　制程整合
　　7.1　元件发展需求
　　7.2　基板工程(substrate engineering)
　　7.3　闸极工程
　　7.4　源/汲极工程(Source/Drain engineering)
　　7.5　内连线工程(inter-connection)
　　7.6　本章习题

第八章　先进元件制程
　　8.1　先进元件制程需求
　　8.2　SOI
　　8.3　应变硅Strain Si
　　8.4　非平面元件 3D device
　　8.5　高介电闸极氧化层(High K gate dielectric)
　　8.6　金属闸极Metal gate
　　8.7　本章习题

第九章　逻辑元件
　　9.1　逻辑元件的要求—速度、功率
　　9.2　反向器(Inverter)
　　9.3　组合逻辑(Cmbinational Logic)
　　9.4　时序逻辑Sequential Logic —Latch, DFF
　　9.5　逻辑元件应用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
　　9.6　本章习题

第十章　逻辑/类比混合讯号
　　10.1　混合讯号特性
　　10.2　混合讯号电路
　　10.3　混合讯号的主动元件( Active device)
　　10.4　混合讯号被动元件(Passive device)
　　10.5　混合讯号电路特别需求
　　10.6　本章习题

第十一章　记忆体
　　11.1　CMOS记忆体特性与分类
　　11.2　静态随机存取记忆体SRAM
　　11.3　动态随机存取记忆体DRAM
　　11.4　快闪记忆体Flash
　　11.5　发展中的先进记忆体
　　11.6　本章习题

第十二章　SOC与半导体应用
　　12.1　IC功能分类
　　12.2　SOC
　　12.3　半导体应用
　　12.4　本章习题

第十三章　元件电性量测WAT
　　13.1　直流（DC）电性量测
　　13.2　C-V（capacitance-voltage）电性量测
　　13.3　RF 电性量测
　　13.4　元件模型
　　13.5　本章习题