第1章　真空技术与气体传输安全
1-1　气　压
1-2　气体动力学
1-3　真空系统
1-3.1　气导(conductance)
1-3.2　抽气速率
1-4　真空泵浦
1-4.1　回转式机械泵浦(rotary mechanical pump)与干式泵浦(dry pump)
1-4.2　扩散泵浦(diffusion pump)
1-4.3　涡轮式分子泵浦(turbo molecular pump)
1-4.4　低温泵浦(cryogenic pump)
1-5　真空气压计(vacuum pressure gauge)
1-5.1　Pirani真空计
1-5.2　热电偶真空计(thermocouple gauge)
1-5.3　Baratron电容式真空计
1-5.4　离子式真空计
1-5.5　Penning冷阴极真空计
1-5.6　剩余气体分析仪(residual gas analyzer)
1-6　漏气测定
1-7　气体传输系统
1-7.1　阀门(valve)
1-7.2　真空导引(feed through)
1-7.3　管件的连接
1-8　危险气体的处理
1-9　流量的量测与控制
习题
参考资料

第2章　电浆物理
2-1　电浆中的气相碰撞
2-2　各种电浆粒子与表面之作用
2-2.1　溅　射
2-2.2　二次电子
2-2.3　在基板表面沉积薄膜或蚀刻
2-3　直流辉光放电(D.C glow discharge)
2-3.1　直流辉光放电特性
2-3.2　阴极暗区
2-3.3　电浆辉光放电区
2-3.4　阳极暗区
2-4　射频辉光放电(radio frequency glow discharge)
2-4.1　RF电浆的直流自我偏压
2-4.2　RF系统的电压分布
2-4.3　调频器(matching box or tunner)
2-5　磁控管(magnetron)辉光放电
2-5.1　带电粒子在磁场方向螺旋前进
2-5.2　带电粒子受电力和磁力作用
2-6　高密度电浆(high density plasma)
习题
参考资料

第3章　表面动力学与薄膜生长机制
3-1　物理吸附(physisorption)
3-2　化学吸附(chemisorption)
3-3　吸附原子在基板表面产生表面张力
3-4　结合能与表面张力
3-5　吸附量与温度、气压之关系
3-6　掺质原子在晶体中的扩散
3-7　表面扩散与薄膜间的互扩散
3-8　孕核(nucleation)
3-9　原子团的生长与聚合
3-10 薄膜的结构与缺陷
习题
参考资料

第4章　薄膜制作技术
4-1　热氧化(thermal exidation)
4-2　物理汽相沉积(PVD)
4-2.1　蒸镀(evaporation)
4-2.2　脉冲雷射沉积(PLD)
4-2.3　溅射沈积或干蚀刻(Sputtering Deposition or Dry Etching)
4-2.4　离子束沉积与蚀刻(Ion beam deposition or Ion mill)
4-3　化学汽相沉积(CVD)
4-3.1　反应腔中气体传送原理
4-3.2　CVD动力学
4-3.3　CVD反应系统
4-4　导电薄膜和介电薄膜制作
4-5　磊晶技术(epitaxial technology)
4-5.1　卤化物系VPE同质磊晶
4-5.2　Ⅲ一Ⅴ族半导体异质磊晶
4-6 微影制版术(lithography technology)
4-6.1 光阻材料
4-6.2 紫外线曝光技术
4-6.3 图案对准技术
4-7 蚀刻技术(Etching technology)
4-7.1 湿式蚀刻
4-7.2 干蚀刻
习题
参考资料

第5章　磊晶生长与光学薄膜
5-1　同质磊晶生长模式
5-2　异质磊晶的能隙与晶格常数
5-3　晶格失配的结构
5-4　异质磊晶层中的应变能
5-5　异质磊晶的差排能
5-6　超晶格应变层与插入差排
5-7　电磁波在固态界面的传输
5-8　光在薄膜界面的反射与穿透
5-9　多层抗反射薄膜
5-10 超晶格高反射薄膜
习题
参考资料

第6章　表面、界面与元件电性
6-1　表面能态
6-2　金属与半导体界面
6-3　欧姆接触
6-4　金属-氧化层-半导体(MOS)界面
6-5　异质结构的应用元件
6-5.1　发光二极体(Light Emitting Diode LED)
6-5.2　半导体雷射二极体(Laser Diode LD)
6-5.3　异质双载子接面电晶体
(Heterojunction Bipolor Transistor HBT)
6-5.4　高电子迁移率电晶体(pseudomorphic High Electron
Mobility Transistor pHEMT)
习题
参考资料

第7章　散射与薄膜结构或成分分析
7-1　X-射线绕射与三维倒晶个格
7-2　电浆振盪子(plasmons)与电磁耦合量子(polaritons)
7-2.1　离子晶体的声子
7-2.2　电浆振盪子
7-3　二维结晶学
7-3.1　基板晶格表面
7-3.2　表面结构的Wood符号与叠层覆盖率
7-3.3　薄膜与基板的绕射图案关系
7-4　电子绕射(LEED & RHEED)
7-5　拉塞福(Rutherford)反向散射光谱仪(RBS)
7-6　二次离子质谱仪 (SIMS)
习题
参考资料

第8章　薄膜特性检测技术与原理
8-1　光学特性分析技术
8-1.1　光学显微镜
8-1.2　椭圆仪(ellipsometer)
8-1.3　红外光谱仪(FTIR)
8-1.4　拉曼(Raman)光谱分析
8-1.5　激发光光谱分析
8-1.6　感应耦合电浆原子发射光谱(ICPOES)
8-2　电子束分析技术
8-2.1　扫描式电子显微镜 (SEM)
8-2.2　穿透式电子显微镜 (TEM)
8-2.3　欧杰电子光谱仪 (AES)
8-3　扫描探针显微技术(Scanning Probe Microscopy)
8-3.1　扫描式穿隧显微镜 (STM)
8-3.2　原子力显微镜(AFM)
8-3.3　近场光学显微镜
8-4　X-射线分析技术
8-4.1　X射线特性
8-4.2　X光绕射仪
8-4.3　光电子光谱仪 (photoemission spectroscopy)
8-4.4　X射线萤光分析
8-5　薄膜应力量测
8-6　金属薄膜的片电阻
8-7　绝缘薄膜的介电强度与崩溃电荷密度
习题
参考资料

附录
附录A　部分习题解答
附录B　元素週期表
附录C　室温下一些半导体之物性
附录D　Si、Ge、GaAs和SiO的性质(300°K)
附录E　用于电子材料的某些元素的物理性质
附录F　物理常数及其换算