Semiconductor Devices：Physics and Technology【台大九十週年校庆版】 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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• 九十週年校庆版

Offering a basic introduction to physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology, this resource presents students with the theoretical and practical aspects of every step in device characterizations and fabrication, with an emphasis on integrated circuits. Divided into three parts, the text covers the basic properties of semiconductor materials, emphasizing silicon and gallium arsenide; the physics and characteristics of semiconductor devices; bipolar and unipolar special microwave and photonic devices; and the latest processing technologies, from crystal growth to lithographic pattern transfer.

作者简介

S. M. Sze

　　S. M. Sze is UMC Chair Professor of the National Chiao Tung University and President of the National Nano Device Laboratories, Taiwan, R.O.C. For many years he was a member of the technical staff at Bell Laboratories. Professor Sze is the co-inventor of nonvolatile semiconductor memory. He has written numerous texts on device physics, including PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, considered a reference classic. In 1991, he received the IEEE J. J. Ebers award for his “fundamental and pioneering contributions to semiconductor devices.” He received his PhD in solid-state electronic from Stanford University in 1963.

「庆祝国立台湾大学创校九十週年选辑」总序╱王泰升
Preface
CHAPTER 1 Introduction
　1.1 Semiconductor Devices
　1.2 Semiconductor Technology
      Summary
 
PART I SEMICONDUCTOR PHYSICS
 
CHAPTER 2 Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibrium
　2.1 Semiconductor Materials
　2.2 Basic Crystal Structure
　2.3 Basic Crystal Growth Technique
　2.4 Valence Bonds
　2.5 Energy Bands
　2.6 Intrinsic Carrier Concentration
　2.7 Donors and Acceptors
      Summary
CHAPTER 3 Carrier Transport Phenomena
　3.1 Carrier Drift
　3.2 Carrier Diffusion
　3.3 Generation and Recombination Processes
　3.4 Continuity Equation
　3.5 Thermionic Emission Process
　3.6 Tunneling Process
　3.7 High-Field Effects
      Summary
 
PART II SEMICONDUCTOR DEVICES
 
CHAPTER 4 p-n Junction
　4.1 Basic Fabrication Steps
　4.2 Thermal Equilibrium Condition
　4.3 Depletion Region
　4.4 Depletion Capacitance
　4.5 Current-Voltage Characteristics
　4.6 Charge Storage and Transient Behavior
　4.7 Junction Breakdown
　4.8 Heterojunction
      Summary
CHAPTER 5 Bipolar Transistor and Related Devices
　5.1 The Transistor Action
　5.2 Static Characteristics of Bipolar Transistor
　5.3 Frequency Response and Switching of Bipolar Transistor
　5.4 The Heterojunction Bipolar Transistor
　5.5 The Thyristor and Related Power Devices
      Summary
CHAPTER 6 MOSFET and Related Devices
　6.1 The MOS Diode
　6.2 MOSFET Fundamentals
　6.3 MOSFET Scaling
　6.4 CMOS and BiCMOS
　6.5 MOSFET on Insulator
　6.6 MOS Memory Structures
　6.7 The Power MOSFET
      Summary
CHAPTER 7 MESFET and Related Devices
　7.1 Metal-Semiconductor Contacts
　7.2 MESFET
　7.3 MODFET
      Summary
CHAPTER 8 Microwave Diodes, Quantum-Effect, and Hot-Electron Devices
　8.1 Basic Microwave Technology
　8.2 Tunnel Diode
　8.3 IMPATT Diode
　8.4 Transferred-Electron Devices
　8.5 Quantum-Effect Devices
　8.6 Hot-Electron Devices
      Summary
CHAPTER 9 Photonic Devices
　9.1 Radiative Transitions and Optical Absorption
　9.2 Light-Emitting Diodes
　9.3 Semiconductor Laser
　9.4 Photodetector
　9.5 Solar Cell
      Summary
 
PART III SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
 
CHAPTER 10 Crystal Growth and Epitaxy
　10.1 Silicon Crystal Growth from the Melt
　10.2 Silicon Float-Zone Process
　10.3 GaAs Crystal-Growth Techniques
　10.4 Material Characterization
　10.5 Epitaxial-Growth Techniques
　10.6 Structures and Defects in Epitaxial Layers
        Summary
CHAPTER 11 Film Formation
　11.1 Thermal Oxidation
　11.2 Dielectric Deposition
　11.3 Polysilicon Deposition
　11.4 Metallization
        Summary
CHAPTER 12 Lithography and Etching
　12.1 Optical Lithography
　12.2 Next-Generation Lithographic Methods
　12.3 Wet Chemical Etching
　12.4 Dry Etching 431
　12.5 Microelectromechanical Systems 443
        Summary
CHAPTER 13 Impurity Doping
　13.1 Basic Diffusion Process
　13.2 Extrinsic Diffusion
　13.3 Diffusion-Related Processes
　13.4 Range of Implanted Ions
　13.5 Implant Damage and Annealing
　13.6 Implantation-Related Processes
        Summary
CHAPTER 14 Integrated Devices
　14.1 Passive Components
　14.2 Bipolar Technology
　14.3 MOSFET Technology
　14.4 MESFET Technology
　14.5 Challenges for Microelectronics
        Summary
 
APPENDIX A List of Symbols
APPENDIX B International Systems of Units (SI Units)
APPENDIX C Unit Prefixes
APPENDIX D Greek Alphabet
APPENDIX E Physical Constants
APPENDIX F Properties of Important Element and Binary Compound Semiconductors at 300 K
APPENDIX G Properties of Si and GaAs at 300 K
APPENDIX H Derivation of the Density of States in a Semiconductor
APPENDIX I Derivation of Recombination Rate for Indirect Recombination
APPENDIX J Calculation of the Transmission Coefficient for a Symmetric Resonant-Tunneling Diode
APPENDIX K Basic Kinetic Theory of Gases
APPENDIX L Answers to Selected Problems
Index
 

「庆祝国立台湾大学创校九十週年选辑」总序

　　国立台湾大学的前身，是成立于1928年的台北帝国大学，今年（2018）适逢台大创校九十週年。九十年，于个人而言，是高寿；但对一所大学来说，应属「年轻」。回顾台大过往的九十年，校园外大环境的政治、社会变迁极为鉅大；校园内的建制、组织、空间也随着时空变化，有延续也有更替。台大从初始的文政与理农两个学部、第一届学生59人，在数个世代、全校师生的共同耕耘之下，逐步茁壮发展。一代代的莘莘学子，在傅钟声里入学，于椰林树影中毕业，如今的台大已成为11个学院、3个专业学院的综合型研究大学，学生3万3千多人，不仅是台湾第一学府、高等教育的代表，也是国际知名大学，更是引领台湾社会发展的动力源头。

　　作为台大一级行政单位的出版中心，要如何庆祝本校创校九十週年？

　　很自然地，我们会从出版的角度来思考这件事。我们认为，大学存在的两大目标，一是追求真理，一是作育英才；反映在出版品上，前者是学术研究的成果――学术着作，后者是教学必备工具――教科书。因而，我们特别从这两个角度，精选自1928年迄今具有代表性、属经典之作的学术着作与具创新、影响力的教科书共10种，以「庆祝国立台湾大学创校九十週年选辑」为套书名称（以下简称「选辑」），予以出版，以资庆祝。选辑的作者，限于现任或曾任台大的教师或毕业之校友。

　　九十年来的台大，曾酝酿出无数优秀的学者、名师，也为国家社会培养出众多杰出人才。他们的着作，在各自的学术领域中称得上是重要者，多不胜数。要从中选出具「代表性」、「影响力」的作品，并不容易。为慎重起见，出版中心敦请校内各领域的学者，成立一专责的编辑委员会。编辑委员会成员有：高涌泉（理学院物理学系教授、科学教育发展中心主任）、张育森（生物资源暨农学院园艺暨景观学系教授）、郭瑞祥（管理学院工商管理学系教授、管理学院院长）、陈光华（文学院图书资讯学系教授、图书馆馆长）、陈为坚（公共卫生学院公共卫生学系教授）、陈弱水（文学院历史学系教授）、谢尚贤（工学院土木工程学系教授、系主任）、苏国贤（社会科学院社会学系教授、社会科学院院长），以及担任出版中心主任的本人（法律学院科际整合法律学研究所教授）。

　　选书的程序，分为两个阶段。第一阶段，确定推荐书单，主要是透过三种方式蒐集：一、请本校各学院推荐其学院所属领域符合上揭期待的学术着作或教科书，至多三本；二、出版中心就各重要学术领域，从历年出版及代销的书目中，罗列出符合前述要求者；三、编委会的编委，亦可补充推荐。有了推荐书单之后，进入第二阶段，由编委们从推荐书单中挑选出最终的10种书。第一阶段产生出的推荐书单共计43种，其中各学院及出版中心推荐者39种，编委补充推荐者4种。接着，由出版中心召开编委会议，委员们共聚一堂，选出最终书单。因选辑着重在作者与着作本身对台大及该学术领域的「经典之作」，编委们第一步就先排除了图鑑、工具书、事典等形式的着作，再就所剩书单逐一讨论，最终选出10种书，依各书之初版日期可排列如下：

　　•《增补水稻耕种法讲演》（矶永吉着，日文）
　　•《没有颜色的思想：殷海光与自由主义读本》（殷海光着）
　　•《管理学》（许士军着）
　　•《经济学：理论与实际》（张清溪、许嘉栋、刘莺钏、吴聪敏着）
　　•《公共卫生学》（王荣德、江东亮、陈为坚、詹长权编）
　　•《程序制度机能论》（民事程序法之理论与实务 第一卷）（邱联恭着）
　　•Semiconductor Devices: Physics and Technology (2nd Edition)（施敏着）
　　•《华人心理的本土化研究》（杨国枢着）
　　•《中国文学史》（台静农着）
　　•《跨国灰姑娘：当东南亚帮佣遇上台湾新富家庭》（蓝佩嘉着）

　　上述10种书，皆在各自的学术领域有其重要性与深远影响力。书单中，学术着作5种，文集1种，教科书4种；部分教科书因有分册，故选辑总数是10种13册。在编辑上，选辑皆保留各书的原有内容，重新装帧设计出版，有几种因授权缘故为限量发行。要特别说明的是：矶永吉的《增补水稻耕种法讲演》，是作为台北帝大时期的代表作收入选辑，以日文复刻方式出版，为选辑中唯一的直排书。台静农的《中国文学史》，之前曾收入「台大出版中心20週年选辑」，这次编委们一致认为台老师的着作不应在这个重要的选辑中缺席，出版中心在编辑上特别把它上下册合而为一，且配合晚近学界的习惯採取横排的方式，内容虽同但版本有异，提供读者另一选择。殷海光的着作，原本列在推荐书单上是他的《中国文化的展望》，但经讨论，决议选录殷海光关于自由主义的重要文章辑为一册，以彰显这位1950、1960年代台湾自由主义的开山人物。蓝佩嘉的《跨国灰姑娘》是编委们讨论的另一热点，主因它是最近的出版品（2008），最后仍决定收入选辑以彰显学术传承之意义。

　　这套选辑中，有的是作者自行出版的书，有的则是其他出版社拥有出版权。对出版中心而言，最大的困难处是取得作者或出版社的同意，让我们收入选辑。出乎意料的是，洽谈过程极为顺利，不论是作者或是出版社，都非常愿意并随即同意授权给出版中心，让我们得以出版发行。在此，我要代表出版中心向选辑的作者及同意授权的出版社（单位），致上最诚挚的谢意。他们是：矶永吉学会；台益公先生；邱联恭教授；杨国枢及居中联络的瞿海源两位教授，以及桂冠出版社；蓝佩嘉教授及行人出版社；殷海光基金会；施敏教授及John Wiley & Sons出版社；许士军教授及东华出版社；张清溪、许嘉栋、吴惠林（刘莺钏着作财产权继承人）、吴聪敏等四位教授；陈拱北基金会。没有他们的热心帮忙与慨允，这套选辑不可能在台大九十週年校庆时顺利出版。

　　透过这套书的出版，我们期盼：它能呈现九十年来台大在学术研究及教学上，对人类知识及社会国家的贡献。同时，它也是对献身于研究、教学的作者个人成就的最佳礼赞。当然，对出版中心本身而言，这套书的出版另具有「标竿出版品」的意义。它不只是我们的出版目标，也展现了努力与坚持的方向！
Preface

　　The book is an introduction to the physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology. It is intended as a textbook for undergraduate students in applied physics, electrical and electronics engineering, and materials science. It can also serve as a reference for practicing engineers and scientists who need an update on device and technology developments.

　　TOPICAL COVERAGE

　　• Chapter 1 gives a brief historical review of major semiconductor devices and key technology developments. The text is then organized into three parts.

　　• Part I, Chapters 2-3, describes the basic properties of semiconductors and their conduction processes, with special emphasis on the two most important semiconductors: silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs). The concepts in Part I will be used throughout this book. These concepts requires a background knowledge of modern physics and college calculus.

　　• Part II, Chapters 4-9, discusses the physics and characteristics of all major semiconductor devices. We begin with the p-n junction which is the key building block of most semiconductor devices. We proceed to bipolar and field-effect devices and then cover microwave, quantum-effect, hot-electron, and photonic devices.

　　• Part III, Chapters 10-14, deals with processing technology from crystal growth to impurity doping. We present the theoretical and practical aspects of the major steps in device fabrication with an emphasis on integrated devices.

　　KEY FEATURES

　　Each chapter includes the following features:

　　• The chapter starts with an overview of the topical contents. A list of learning goals is also provided.

　　• The second edition has tripled the worked-out examples that apply basic concepts to specific problems.

　　• A chapter summary appears at the end of each chapter to summarize the important concepts and to help the student review the content before tackling the homework problems that follow.

　　• The book includes about 250 homework problems, over 50% of them new to the second edition. Answers to odd-numbered problems, which have numerical solutions are provided in Appendix L at the back of the book.

　　COURSE DESIGN OPTIONS

　　The second edition can provide greater flexibility in course design. The book contains enough material for a full-year sequence in device physics and processing technology. Assuming three lectures per week, a two-semester sequence can cover Chapters 1-7 in the first semester, leaving Chapters 8-14 for the second semester. For a three-quarter sequence, the logical break points are Chapters 1-5, Chapters 6-9, and Chapters 10-14.

　　A two-quarter sequence can cover Chapters 1-5 in the first quarter. The instructor has several options for the second quarter. For example, covering Chapters 6, 11, 12, 13, and 14 produces a strong emphasis on the MOSFET and its related process technologies, while covering Chapters 6-9 emphasizes all major devices. For a one-quarter course on semiconductor device processing, the instructor can cover Section 1.2 and Chapters 10 -14.

　　A one-semester course on basic semiconductor physics and devices can cover Chapters 1-7. A one-semester course on microwave and photonic devices can cover Chapters 1-4, 7-9. If the students already have some familiarity with semiconductor fundamentals, a one-semester course on Submicron MOSFET: Physics and Technology can cover Chapters 1, 6, 10-14. Of course, there are many other course design options depending on the teaching schedule and the instructor’s choice of topics.

　　TEXTBOOK SUPPLEMENTS

　　• Instructor’s Manual. A complete set of detailed solutions to all the end-of chapter problems has been prepared. These solutions are available free to all adopting faculty.

　　• The figures used in the text are available, in electronic format, to instructors from the publisher. Instructors can find out more information at the publisher’s website at: www.wiley.com/college/sze
 

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》这本书，无疑是我在电子工程学习道路上遇到的最宝贵的财富之一。它不仅仅是一本教科书，更像是一位循循善诱的导师，将我从对半导体世界的迷茫引向清晰的理解。书中对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等功率器件的阐述，尤其让我印象深刻。作者以一种极具启发性的方式，详细剖析了IGBT的工作原理、结构特点以及它在功率电子领域所扮演的关键角色。从载流子注入到电场控制，再到电流的放大效应，每一个环节都被分解得细致入微，配合着精心绘制的示意图，使得这些复杂的概念变得触手可及。我尤其赞赏书中对不同类型功率器件的性能比较和应用场景的分析，这让我能够更直观地理解，为什么在不同的应用场景下，工程师会选择特定的器件。例如，在电动汽车的驱动逆变器中，IGBT的优越性就得到了充分的体现。此外，书中关于光电器件的部分，如LED和光电二极管的讲解，也让我大开眼界。我之前一直对这些发出光和接收光的“神奇”器件感到好奇，而这本书则为我揭开了它们背后的奥秘。从光子的产生和吸收，到pn结的特殊设计，再到不同材料的选择对发光效率和光谱的影响，作者都进行了深入浅出的讲解，让我对现代显示技术和光通信技术有了更深刻的认识。

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》这本书，对我来说，是一次思维方式的革新。书中关于半导体器件的失效分析，让我看到了科学家和工程师们是如何像侦探一样，抽丝剥茧地找出问题的根源。作者从多个角度，例如从材料、工艺、设计以及环境因素等方面，分析了导致器件失效的各种可能性，并提出了相应的分析方法和诊断工具。我尤其赞赏书中对案例研究的深入剖析，这些真实的失效案例，让我对器件设计和制造中的潜在风险有了更直观的认识。它不仅仅是关于“是什么”，更是关于“为什么”以及“如何避免”。这本书，让我学会了从更宏观和更微观的视角来审视问题，并培养了我解决复杂工程问题的能力。它让我明白，在追求技术创新的同时，安全和可靠性同样重要。

评分☆☆☆☆☆

坦白说，初翻阅《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》时，我曾有过一丝畏惧，毕竟“半导体”这个词本身就带着一丝技术门槛的意味。然而，这本书的叙事方式和内容编排，却以一种令人惊喜的流畅性和逻辑性，逐步瓦解了我最初的顾虑。它并非简单地堆砌公式和理论，而是巧妙地将物理学的严谨与工程学的实用性融为一体。书中对于量子力学在半导体能带理论中的应用的讲解，是我之前接触过的任何材料都无法比拟的。作者用清晰的图示和深入的解析，将电子在晶体中的运动轨迹、能带的形成以及载流子在不同能级之间的跃迁过程描绘得淋漓尽致，让我深刻理解了为什么半导体材料具有如此独特的导电特性，以及这种特性是如何被工程师们巧妙利用来制造各种功能各异的电子器件的。尤其是在讨论肖特基二极管和齐纳二极管的部分，我被其中对这些特殊结构器件的内在物理机制的深入剖析所折服。它不仅解释了这些器件的工作原理，还详细阐述了它们在实际应用中的关键作用，例如在高速开关和稳压电路中的不可替代性。这本书让我意识到，每一个微小的电子元器件背后，都凝聚着深厚的物理学知识和精湛的工程技术，它们默默地工作，支撑着我们现代社会的运转。阅读过程中，我不断被书中揭示的科学之美和技术之巧所吸引，也更加坚定了我深入研究半导体领域的决心。

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》给我带来的，不仅仅是知识的增长，更是一种对科学研究精神的深刻体悟。书中对半导体器件的建模和仿真方法的介绍，让我看到了理论研究与实际应用之间是如何紧密相连的。作者详细阐述了如何通过数学模型来描述器件的电学特性，以及如何利用计算机仿真工具来预测器件的性能，甚至优化设计。这让我意识到，在半导体领域，抽象的数学语言是工程师们进行创新和解决问题的有力武器。书中对不同仿真软件的介绍和应用案例的分析，也为我提供了宝贵的实践指导。它不仅仅是理论的传递，更是在教导我如何将理论知识转化为解决实际问题的能力。我尤其欣赏书中关于器件可靠性分析的部分。在高度集成化的今天，器件的可靠性至关重要。作者从物理机制的角度，深入剖析了导致器件失效的各种因素，例如热失效、电迁移、击穿等，并提出了相应的预防和测试方法。这让我深刻理解到，一个成功的半导体器件，不仅要有优异的性能，更要有卓越的可靠性。这本书，让我看到了科学研究的严谨与审慎，也让我体会到工程师的责任与担当。

评分☆☆☆☆☆

阅读《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》的过程，对我来说，是一次深刻的认知升级。书中对信息论在半导体通信中的应用的探讨，让我看到了物理学与信息科学的奇妙融合。作者巧妙地将香农的信息熵、信道容量等概念引入半导体通信的讨论中，让我明白了为什么在有限的带宽和信号噪声干扰下，我们仍然能够进行高效的信息传输。书中对不同编码技术和纠错码原理的讲解，也让我对现代通信系统的可靠性有了更深的认识。它不仅仅是关于电子元器件的物理原理，更是关于如何利用这些元器件来实现高效、可靠的信息交互。我尤其赞赏书中对网络编码和分布式信源编码等前沿概念的介绍，这让我看到了半导体技术在构建未来智能网络中所扮演的关键角色。这本书，让我看到了半导体器件不仅仅是“电子管”，更是信息世界的基石，它们承载着连接未来、改变世界的巨大能量。它让我对这个领域产生了更深层次的兴趣，并渴望进一步探索其在通信、计算等领域的无限可能。

评分☆☆☆☆☆

从《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》这本书中，我获得的不仅仅是理论知识，更是一种对“工程智慧”的感悟。书中对现代半导体器件的测试和表征方法，如IV特性测试、CV特性测试、瞬态响应测试等，进行了详尽的介绍。作者不仅解释了这些测试的目的和原理，还详细讲解了如何通过这些测试来评估器件的性能、可靠性以及潜在的缺陷。我尤其欣赏书中对如何从测试数据中解读器件信息，以及如何利用这些信息来改进器件设计的讲解。它让我明白了，在实际的工程开发中，理论知识与实践经验是如何相辅相成的。这本书，让我看到了半导体产业背后严谨的质量控制体系，以及工程师们是如何通过精密的测试来确保产品的质量和性能。它让我更加敬佩那些默默工作在实验室和生产线上的技术人员，正是他们的辛勤付出，才有了我们今天享受的科技成果。

评分☆☆☆☆☆

这本《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》不仅仅是一本关于物理和技术的书籍，它更像是一部关于创新和进步的史诗。书中关于集成电路的制造工艺，特别是光刻和刻蚀技术的部分，让我对现代电子工业的精密程度感到无比震撼。作者以一种极其细致的笔触，描绘了从硅片制备、薄膜生长，到光刻、刻蚀、掺杂等一系列复杂而精密的工艺步骤。我仿佛能看到成千上万的工程师和技术人员，如何在洁净室中，用近乎苛刻的精度，将微小的图案“雕刻”在硅片上，最终形成我们现在所熟知的集成电路。书中对光刻技术中关键参数的讨论，例如分辨率、套刻精度等，让我对芯片制造的难度有了切身的体会。而关于不同刻蚀方法的优缺点分析，如干法刻蚀和湿法刻蚀，也让我看到了技术发展中权衡与取舍的智慧。更让我感到兴奋的是，书中还对未来半导体制造技术的发展趋势进行了展望，例如三维集成、新材料的应用等，这让我对这个领域的未来充满了期待。它不仅仅传授知识，更是在点燃我探索未知、追求卓越的热情。这本书，为我描绘了一个充满无限可能的微观世界。

评分☆☆☆☆☆

这本《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》对我而言，绝对是一本里程碑式的读物，它不仅仅是一本书，更像是一次穿越半导体技术发展史的壮丽旅程，让我对这个在我们日常生活中无处不在却又神秘莫测的领域有了前所未有的深刻理解。从书中那些看似枯燥的物理原理，到那些精妙绝伦的器件设计，再到那些引领时代潮流的制造工艺，我仿佛亲眼见证了电子时代的曙光是如何被一点点点燃的。尤其是其中关于pn结形成机制的阐述，那种将抽象概念转化为清晰图景的能力，简直令人叹为观止。作者不仅深入浅出地解释了载流子扩散、漂移等基本过程，还巧妙地运用了类比和实例，使得即便是初次接触半导体物理的读者，也能迅速抓住核心要点，不再感到茫然。而当进入到晶体管和集成电路的部分，更是让我惊叹不已。从最初简单的放大器，到如今集万千功能于一身的微处理器，这背后蕴含着多少智慧的结晶和不懈的努力！书中对MOSFET和BJT等关键器件的原理、特性以及实际应用的详尽介绍，无疑为我打开了通往半导体世界的大门，让我看到了电子元件是如何从微小的硅片上“生长”出来，并最终构建起我们今天所依赖的数字世界的。它让我明白，那些我们每天使用的智能手机、电脑，甚至是我们身边的各种电器，其核心都离不开这些精密的半导体器件。这本书的价值，远不止于理论知识的传授，它更在于它所激发的求知欲和探索精神，让我渴望深入了解更多关于半导体制造、设计以及未来发展的相关知识。

评分☆☆☆☆☆

在读完《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》后，我深刻体会到，半导体技术不仅仅是关于电子元件的物理原理，更是关于如何利用这些原理来解决人类社会面临的各种挑战。书中对半导体在新能源、生物医疗等领域的应用的展望，让我看到了这个技术领域的广阔前景。作者通过生动的案例，展示了半导体器件在太阳能电池、传感器、微流控芯片等领域的关键作用，以及它们如何推动着这些领域的发展。我尤其被书中关于柔性电子和可穿戴设备的介绍所吸引，这让我看到了半导体技术是如何与我们的生活方式深度融合，创造出更便捷、更智能的未来。这本书，不仅仅是一本技术手册，更是一本关于未来科技的启示录，它让我对半导体技术的发展潜力充满了无限的想象和憧憬。

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（台大九十週年校庆版）》这本书，对我而言，是一次对“微观世界”的奇妙探索之旅。书中关于半导体材料的选择和性能优化，特别是对化合物半导体材料的介绍，让我惊叹于人类在材料科学领域的创造力。作者深入阐述了GaAs、GaN等化合物半导体材料的独特优势，例如更高的载流子迁移率、更宽的禁带宽度等，以及它们在高速通信、大功率器件等领域的应用。我之前一直对硅基半导体技术非常熟悉，但这本书让我看到了更广阔的天地，原来还有这么多神奇的材料，能够实现硅基材料所无法达到的性能。书中对不同材料的能带结构、载流子输运特性以及光学特性的详细对比分析，让我对材料设计与器件性能之间的关系有了更深刻的理解。它让我意识到，选择合适的材料，是设计高性能半导体器件的第一步。这本书，不仅拓展了我的知识边界，更激发了我对材料科学与电子工程交叉领域的浓厚兴趣。