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韩国次世代非挥性记忆体发展现况及策略 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2024

图书介绍

韩国次世代非挥性记忆体发展现况及策略
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著者
出版者 出版社：拓墣科技 订阅出版社新书快讯 新功能介绍
翻译者
出版日期 出版日期：2007/05/31
语言 语言：繁体中文

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发表于2024-04-23

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图书描述

　　次世代非挥发性记忆体具备比现有Flash的非挥发性、SRAM的高速运算、DRAM的高集积性等性能更强，且耗电更低的产品特性，因此，被视为取代现有各种记忆体的理想技术。

　　2004年8月启动次世代非挥发性记忆体元件开发事业，计画以8年的时间，由政府投入350亿圜的研究经费，目标是开发出0.1Tera Bit级以上的、NFGM、PoRAM、ReRAM等次世代非挥发性记忆体元件技术，以确保其在元件、制程、设计方面的技术，进一步佔有40%以上的全球记忆体市场。

　　此外，韩国半导体业者在次世代记忆体方面亦投注相当大的心力，三星电子目前已开发出64Mb FeRAM及512Mb PRAM试制品，并计画于2007年与2008年分别完成1Gb PRAM、2Gb PRAM的开发。Hynix则已开发出32Mb FeRAM，并计划在2007年完成RFID用FReAM的开发。有鑑于此，本书乃针对韩国政府及企业在次世代记忆体的推动现况进行探讨，希望借此掌握其政策方向及技术发展趋势，以供我国政府及业者之参考。

著者信息

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图书目录

第一章　次世代记忆体技术发展概况

　一.技术概要
　二.技术重要性
　三.国外技术开发动向
　四.韩国技术开发动向
　五.未来展望

第二章　韩国次世代记忆体推动现况

　一.研发目标
　二.推动策略
　三.推动体系
　四.商用化推动策略及计画
　五.现阶段推动成果
　六.预期推动成果

第三章　韩国主要次世代记忆体技术发展动向

　一.PRAM
　二.NFGM
　三.PoRAM
　四.ReRAM

第四章　主要厂商相关技术发展动向

　一.三星电子
　二.Hynix
　三.其他

第五章　目前遭遇瓶颈

　一.研究经费不足
　二.细部根源技术缺乏
　三.研究人力不足

图书序言

图书试读

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