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韓國次世代非揮性記憶體發展現況及策略 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2024

圖書介紹

韓國次世代非揮性記憶體發展現況及策略
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作者
出版者 齣版社：拓墣科技 訂閱齣版社新書快訊 新功能介紹
翻譯者
出版日期 齣版日期：2007/05/31
語言 語言：繁體中文

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發表於2024-11-20

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圖書描述

　　次世代非揮發性記憶體具備比現有Flash的非揮發性、SRAM的高速運算、DRAM的高集積性等性能更強，且耗電更低的産品特性，因此，被視為取代現有各種記憶體的理想技術。

　　2004年8月啓動次世代非揮發性記憶體元件開發事業，計畫以8年的時間，由政府投入350億圜的研究經費，目標是開發齣0.1Tera Bit級以上的、NFGM、PoRAM、ReRAM等次世代非揮發性記憶體元件技術，以確保其在元件、製程、設計方麵的技術，進一步佔有40%以上的全球記憶體市場。

　　此外，韓國半導體業者在次世代記憶體方麵亦投注相當大的心力，三星電子目前已開發齣64Mb FeRAM及512Mb PRAM試製品，並計畫於2007年與2008年分彆完成1Gb PRAM、2Gb PRAM的開發。Hynix則已開發齣32Mb FeRAM，並計劃在2007年完成RFID用FReAM的開發。有鑑於此，本書乃針對韓國政府及企業在次世代記憶體的推動現況進行探討，希望藉此掌握其政策方嚮及技術發展趨勢，以供我國政府及業者之參考。

著者信息

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圖書目錄

第一章　次世代記憶體技術發展概況

　一.技術概要
　二.技術重要性
　三.國外技術開發動嚮
　四.韓國技術開發動嚮
　五.未來展望

第二章　韓國次世代記憶體推動現況

　一.研發目標
　二.推動策略
　三.推動體係
　四.商用化推動策略及計畫
　五.現階段推動成果
　六.預期推動成果

第三章　韓國主要次世代記憶體技術發展動嚮

　一.PRAM
　二.NFGM
　三.PoRAM
　四.ReRAM

第四章　主要廠商相關技術發展動嚮

　一.三星電子
　二.Hynix
　三.其他

第五章　目前遭遇瓶頸

　一.研究經費不足
　二.細部根源技術缺乏
　三.研究人力不足

圖書序言

圖書試讀

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