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图书介绍


CMOS数位积体电路分析与设计(4/e)

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著者
出版者 出版社:东华 订阅出版社新书快讯 新功能介绍
翻译者 译者: 黄崇禧, 陈右罡
出版日期 出版日期:2015/12/28
语言 语言:繁体中文



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发表于2024-11-26

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图书描述

本书涵盖层面甚广,包含半导体制程、元件模型、电路设计、制造测试等相关议题。前段内容可供一般学生建立有关超大型积体电路设计的基础入门知识,而全书不仅可以使从事数位系统设计工程师了解底层标准元件电路知识,也能作为混合讯号/类比电路设计工程师建立高速积体电路设计之参考。

  有关第四版的内容,作者除改写当代半导体制程演进介绍外,亦採用短通道电晶体模型来推导相关电路特性,并删除原有空乏型反相器电路范例,以虚拟nMOS反相器替代,以符合现今主流的次微米/奈米制程电路设计。记忆体章节亦部分改写,增加低电压SRAM介绍;BiCMOS章节则改为算术运算单元电路介绍;时脉产生章节也增加锁相回路与延迟锁定回路简介。此次内容的更新,使得本书得更趋于完整且符合时代之潮流。

本书改版特色

  ‧本书内容旨在强化学生对数值方法的认知,除了维持前版优点,尽可能让内容适合大学部学生使用。
  ‧透过问题导向方法引起学习动机,促进良好的学习效果。
  ‧Visual Basic、Fortran 90与C/语言引导学生自行开发结构化且简单的程式,以弥补现有软体的不足。
  ‧更新更具挑战的题组、题材及案例探讨。

著者信息

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图书目录

第 1 章 简介
第 2 章 MOSFET的制造
第 3 章 MOS电晶体
第 4 章 使用SPICE的MOS电晶体模型化
第 5 章 MOS 反相器:静态特性
第 6 章 MOS 反相器:切换特性与连接线效应
第 7 章 组合MOS逻辑电路
第 8 章 循序MOS逻辑电路
第 9 章 动态逻辑电路
第 10 章 半导体记忆体
第 11 章 低功率CMOS逻辑电路
第 12 章 算术建构区块
第 13 章 时脉与/IO电路
第 14 章 可制造性设计 
第 15 章 可测试性设计

图书序言

图书试读

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