半导体的27个关键：电晶体、CMOS、TFT，突破性的创新科技 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2024

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让我们生活便利与创新的小元件是如何诞生？
　　又是谁发明它们？
　　太阳能如何实化应用？
　　奈米科技为何这么夯？

　　课本上没写、老师也不见得知道的历史上的发明瞬间，全在这本书里。
　　我们的生活更便利、联系更快速，因为有他们与他们发明的科技技术。

　　今日人们处在数位科技发达的时代，网际网路、智慧型手机、桌上型与笔记型电脑、ATM、数位相机等电子设备早已司空见惯；线上购物与付费、FB、IG、Line等现代交际途径，更是与社会中的每个人密不可分。但有多少人知道，我们所享受的这一切，完全得益于1947年发明的电晶体和1958年发明的积体电路？

　　而半导体经过半个世纪以来的发展，日新月异的科技也不断推动半导体的进步，27项对半导体产业有深远影响的技术，是如何发展？如何被人们研发出来，又是如何影响着我们的生活。透过本书，让宝贵的历史典故与创业经验财富流传下来。

作者简介

张汝京

　　毕业于台湾大学机械工程系，纽约州立大学工程学硕士、美国南方卫理公会大学电子工程博士。2000年，创办中芯国际积体电路制造有限公司。

　　在美国德州仪器公司(TI)20年期间，相继在美国与日本建立并管理该公司的多座半导体工厂。离开德州仪器后，就任为世大积体电路公司(WSMC)总裁。

　　现为昇瑞光电科技(上海)有限公司董事长兼执行长，西安神光安瑞光电有限公司执行长兼总经理，是亚洲屈指可数的LED全产业链垂直整合的先导者并领军人物，在中国大陆有半导体产业教父之称。

　　为人谦和、与人为善；常常以身作则、事必躬亲，虽然严格但不严厉。

第1章   电晶体的发明
第2章   积体电路的发明
第3章   LCD技术的发明
第4章   CCD和CIS技术的发明
第5章   DRAM技术的发明
第6章   非挥发性记忆体
第7章   半导体镭射器的发明
第8章   光纤发展背后的人物故事
第9章   太阳能电池的发展史简介
第10章  电脑技术与华人
第11章  DLP与DMD技术的发明
第12章  等离子体刻蚀
第13章  浸入式光刻技术
第14章  新兴非挥发储存技术(NVM)
第15章  短距离通信系统
第16章  MEMS/NEMS
第17章  LED发光二极体的创新过程
第18章  1+1>2: CMOS器件的发明
第19章  肖特基二极体——半导体技术的革新
第20章  功率半导体器件和积体电路
第21章  薄膜电晶体(TFT)
第22章  量子霍耳效应
第23章  微光显微镜
第24章  分析显微镜
第25章  分子束外延
第26章  有机金属化学气相沉积
第27章  奈米技术的发展及其应用

萧克莱（William Bradford Shockley，1910-1989）， 美国物理学家。1945 年下半年，贝尔电话实验室成立了以萧克莱为组长，萧克莱、巴丁（John Bardeen,1908-1991）、布拉顿（Walter Houser Brattain,1902-）为核心的固体物理学研究小组（见图1-2）。该小组于1947 年12 月发明点接触电晶体，1948 年6 月贝尔电话实验室报导了这一发明，并申请专利。1949 年萧克莱提出结型电晶体理论，1950 年由贝尔电话实验室M. 斯帕克斯（M. Sparks）和G.L. 皮尔逊（G.L Pearson）制造出结型电晶体。1956 年萧克莱、巴丁、布拉顿共同获得诺贝尔物理学奖。
 
这里我们特别介绍一下布拉顿（见图1-3），他的父亲罗斯和母亲奥蒂莉毕业于美国华盛顿的惠特曼学院。他们刚结婚后就来到了中国厦门，罗斯得到一份在中国学校教授科学和数学的工作，布拉顿在1902 年2 月10 日生于厦门。布拉顿一家人在中国居住了一段时间后，1903 年，布拉顿和家人回到了华盛顿。
 
萧克莱于1910 年2 月13 日生于英国伦敦。其父母都是美国人，父亲毕业于美国麻省理工学院，曾以採矿工程师等身份在包括中国在内的多个国家工作过，后被派驻英国。读中学期间，萧克莱深受其父亲的好友──史丹佛大学物理系教授、X 射线领域专家罗斯（P．Ross）的影响，并被其收为义子。1932 年，萧克莱在加州理工学院物理系获得学士学位； 此后，他转入麻省理工学院主攻固体物理学，并于1936年获得博士学位； 1936 年6 月，他接受贝尔基础研究部主任凯利（M．J. Kelly）的邀请加盟贝尔实验室。
 
依据量子力学理论，萧克莱勾画出了P 型和N 型硅半导体的能带和能级图，并对这些能带、能级在外部强电场的作用下可能的变化情况进行了分析。之后，萧克莱意识到这一统也许可以用于放大器的设计。这种利用空间场效应设计放大器的思想形成后，萧克莱便开始尝试用实验来验证自己的设想。
 
1945 年7 月，由萧克莱和化学家摩尔根（S．Morgam）领导固体物理组，该组下设半导体和冶金两个研究小组，分别负责元件和材料的研究开发，并明确由萧克莱兼任半导体研究小组组长。研究小组成立后不久，萧克莱在贝尔实验室的一些伙伴──实验物理学家布拉顿和皮尔逊、物理化学家吉布尼（R．Gibney）和电路专家摩尔（H．Moore）等人便先后加盟半导体研究小组。在萧克莱的推荐下，半导体研究小组引进了精通固体物理的杰出理论物理学家巴丁（见图1-4）。

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