半导体的27个关键：电晶体、CMOS、TFT，突破性的创新科技 pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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具体描述

让我们生活便利与创新的小元件是如何诞生？
　　又是谁发明它们？
　　太阳能如何实化应用？
　　奈米科技为何这么夯？

　　课本上没写、老师也不见得知道的历史上的发明瞬间，全在这本书里。
　　我们的生活更便利、联系更快速，因为有他们与他们发明的科技技术。

　　今日人们处在数位科技发达的时代，网际网路、智慧型手机、桌上型与笔记型电脑、ATM、数位相机等电子设备早已司空见惯；线上购物与付费、FB、IG、Line等现代交际途径，更是与社会中的每个人密不可分。但有多少人知道，我们所享受的这一切，完全得益于1947年发明的电晶体和1958年发明的积体电路？

　　而半导体经过半个世纪以来的发展，日新月异的科技也不断推动半导体的进步，27项对半导体产业有深远影响的技术，是如何发展？如何被人们研发出来，又是如何影响着我们的生活。透过本书，让宝贵的历史典故与创业经验财富流传下来。

著者信息

作者简介

张汝京

　　毕业于台湾大学机械工程系，纽约州立大学工程学硕士、美国南方卫理公会大学电子工程博士。2000年，创办中芯国际积体电路制造有限公司。

　　在美国德州仪器公司(TI)20年期间，相继在美国与日本建立并管理该公司的多座半导体工厂。离开德州仪器后，就任为世大积体电路公司(WSMC)总裁。

　　现为昇瑞光电科技(上海)有限公司董事长兼执行长，西安神光安瑞光电有限公司执行长兼总经理，是亚洲屈指可数的LED全产业链垂直整合的先导者并领军人物，在中国大陆有半导体产业教父之称。

　　为人谦和、与人为善；常常以身作则、事必躬亲，虽然严格但不严厉。

图书目录

第1章电晶体的发明
第2章积体电路的发明
第3章 LCD技术的发明
第4章 CCD和CIS技术的发明
第5章 DRAM技术的发明
第6章非挥发性记忆体
第7章半导体镭射器的发明
第8章光纤发展背后的人物故事
第9章太阳能电池的发展史简介
第10章电脑技术与华人
第11章 DLP与DMD技术的发明
第12章等离子体刻蚀
第13章浸入式光刻技术
第14章新兴非挥发储存技术(NVM)
第15章短距离通信系统
第16章 MEMS/NEMS
第17章 LED发光二极体的创新过程
第18章 1+1>2: CMOS器件的发明
第19章肖特基二极体——半导体技术的革新
第20章功率半导体器件和积体电路
第21章薄膜电晶体(TFT)
第22章量子霍耳效应
第23章微光显微镜
第24章分析显微镜
第25章分子束外延
第26章有机金属化学气相沉积
第27章奈米技术的发展及其应用

图书序言

萧克莱（William Bradford Shockley，1910-1989），美国物理学家。1945 年下半年，贝尔电话实验室成立了以萧克莱为组长，萧克莱、巴丁（John Bardeen,1908-1991）、布拉顿（Walter Houser Brattain,1902-）为核心的固体物理学研究小组（见图1-2）。该小组于1947 年12 月发明点接触电晶体，1948 年6 月贝尔电话实验室报导了这一发明，并申请专利。1949 年萧克莱提出结型电晶体理论，1950 年由贝尔电话实验室M. 斯帕克斯（M. Sparks）和G.L. 皮尔逊（G.L Pearson）制造出结型电晶体。1956 年萧克莱、巴丁、布拉顿共同获得诺贝尔物理学奖。

这里我们特别介绍一下布拉顿（见图1-3），他的父亲罗斯和母亲奥蒂莉毕业于美国华盛顿的惠特曼学院。他们刚结婚后就来到了中国厦门，罗斯得到一份在中国学校教授科学和数学的工作，布拉顿在1902 年2 月10 日生于厦门。布拉顿一家人在中国居住了一段时间后，1903 年，布拉顿和家人回到了华盛顿。

萧克莱于1910 年2 月13 日生于英国伦敦。其父母都是美国人，父亲毕业于美国麻省理工学院，曾以採矿工程师等身份在包括中国在内的多个国家工作过，后被派驻英国。读中学期间，萧克莱深受其父亲的好友──史丹佛大学物理系教授、X 射线领域专家罗斯（P．Ross）的影响，并被其收为义子。1932 年，萧克莱在加州理工学院物理系获得学士学位；此后，他转入麻省理工学院主攻固体物理学，并于1936年获得博士学位； 1936 年6 月，他接受贝尔基础研究部主任凯利（M．J. Kelly）的邀请加盟贝尔实验室。

依据量子力学理论，萧克莱勾画出了P 型和N 型硅半导体的能带和能级图，并对这些能带、能级在外部强电场的作用下可能的变化情况进行了分析。之后，萧克莱意识到这一统也许可以用于放大器的设计。这种利用空间场效应设计放大器的思想形成后，萧克莱便开始尝试用实验来验证自己的设想。

1945 年7 月，由萧克莱和化学家摩尔根（S．Morgam）领导固体物理组，该组下设半导体和冶金两个研究小组，分别负责元件和材料的研究开发，并明确由萧克莱兼任半导体研究小组组长。研究小组成立后不久，萧克莱在贝尔实验室的一些伙伴──实验物理学家布拉顿和皮尔逊、物理化学家吉布尼（R．Gibney）和电路专家摩尔（H．Moore）等人便先后加盟半导体研究小组。在萧克莱的推荐下，半导体研究小组引进了精通固体物理的杰出理论物理学家巴丁（见图1-4）。